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FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
DMNH4011SK3-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
4V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1405pF @ 20V
±20V
-
2.6W(Ta)
10 毫欧 @ 50A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
TO-252
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
ZVP2110ASTZ
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
3.5V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW(Ta)
8 欧姆 @ 375mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
带盒(TB)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
ZXMP7A17KQTC
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA(最小)
18nC @ 10V
635pF @ 40V
±20V
-
2.11W(Ta)
160 毫欧 @ 2.1A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-252
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN4025LSD-13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
DMNH4011SPS-13
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
4V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1405pF @ 20V
±20V
-
1.5W(Ta),100W(Tc)
10 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
ZXMN6A08E6QTA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
5.8nC @ 10V
459pF @ 40V
±20V
-
1.1W(Ta)
80 毫欧 @ 4.8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMP1011UCB9-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.1V @ 250µA
10.5nC @ 4.5V
1060pF @ 4V
-6V
-
890mW(Ta)
10 毫欧 @ 2A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-WLB1515-9
9-UFBGA,WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMP26M7UFG-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
156nC @ 10V
5940pF @ 10V
±10V
-
2.3W(Ta)
6.7 毫欧 @ 15A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP2007UFG-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,10V
1.3V @ 250µA
85nC @ 10V
4621pF @ 10V
±12V
-
2.3W(Ta)
5.5 毫欧 @ 15A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
ZVN4210ASTZ
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2.4V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
带盒(TB)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMNH6021SPSQ-13
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
19.7nC @ 10V
1016pF @ 30V
±20V
-
1.6W(Ta), 53W(Tc)
23 毫欧 @ 12A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMNH6021SK3-13
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
20.1nC @ 10V
1143pF @ 25V
±20V
-
2.1W(Ta)
23 毫欧 @ 12A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5,DPak(4 引线 接片),TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMT6010LFG-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
41.3nC @ 10V
2090pF @ 30V
±20V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
7.5 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMT6008LFG-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
50.4nC @ 10V
2713pF @ 30V
±12V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
7.5 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMT6008LFG-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
50.4nC @ 10V
2713pF @ 30V
±12V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
7.5 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMT6010LFG-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
41.3nC @ 10V
2090pF @ 30V
±20V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
7.5 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN3009SFG-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
42nC @ 10V
2000pF @ 15V
±20V
-
900mW(Ta)
5.5 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
ZVN3310ASTZ
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
2.4V @ 1mA
-
40pF @ 25V
±20V
-
625mW(Ta)
10 欧姆 @ 500mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
ZVN3306ASTZ
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
2.4V @ 1mA
-
35pF @ 18V
±20V
-
625mW(Ta)
5 欧姆 @ 500mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN6013LFG-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
55.4nC @ 10V
2577pF @ 30V
±20V
-
1W(Ta)
13 毫欧 @ 10A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
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