|
VP2206N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
640mA(Tj) |
- |
3.5V @ 10mA |
900 毫欧 @ 3.5A,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
450pF @ 25V |
|
TP2640N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
180mA(Tj) |
- |
2V @ 1mA |
15 欧姆 @ 300mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
P 沟道 |
300pF @ 25V |
|
VP2450N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
100mA(Tj) |
- |
3.5V @ 1mA |
30 欧姆 @ 100mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
190pF @ 25V |
|
VP0808L-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
280mA(Tj) |
- |
4.5V @ 1mA |
5 欧姆 @ 1A,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
150pF @ 25V |
|
VN0550N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
50mA(Tj) |
- |
4V @ 1mA |
60 欧姆 @ 50mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
55pF @ 25V |
|
DN2540N5-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
500mA(Tj) |
- |
- |
25 欧姆 @ 120mA,0V |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
300pF @ 25V |
|
TP2535N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
86mA(Tj) |
- |
2.4V @ 1mA |
25 欧姆 @ 100mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
125pF @ 25V |
|
TP2540N8-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
125mA(Tj) |
- |
2.4V @ 1mA |
25 欧姆 @ 100mA,10V |
表面贴装 |
TO-243AA(SOT-89) |
TO-243AA |
剪切带(CT) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
125pF @ 25V |
|
VN0300L-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
640mA(Tj) |
- |
2.5V @ 1mA |
1.2 欧姆 @ 1A,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
190pF @ 20V |
|
TN0702N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
530mA(Tj) |
- |
1V @ 1mA |
1.3 欧姆 @ 500mA,5V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
200pF @ 20V |
|
TN0610N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
500mA(Tj) |
- |
2V @ 1mA |
1.5 欧姆 @ 750mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
150pF @ 25V |
|
TN0104N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
450mA(Ta) |
- |
1.6V @ 500µA |
1.8 欧姆 @ 1A,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
70pF @ 20V |
|
VN2410L-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
190mA(Tj) |
- |
2V @ 1mA |
10 欧姆 @ 500mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
125pF @ 25V |
|
VN2460N8-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
200mA(Tj) |
- |
4V @ 2mA |
20 欧姆 @ 100mA,10V |
表面贴装 |
TO-243AA(SOT-89) |
TO-243AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
N 沟道 |
150pF @ 25V |
|
TN2524N8-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
360mA(Tj) |
- |
2V @ 1mA |
6 欧姆 @ 500mA,10V |
表面贴装 |
TO-243AA(SOT-89) |
TO-243AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
125pF @ 25V |
|
TN0606N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
500mA(Tj) |
- |
2V @ 1mA |
1.5 欧姆 @ 750mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
150pF @ 25V |
|
VP0109N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
250mA(Tj) |
- |
3.5V @ 1mA |
8 欧姆 @ 500mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
60pF @ 25V |
|
VP0104N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
250mA(Tj) |
- |
3.5V @ 1mA |
8 欧姆 @ 500mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
60pF @ 25V |
|
DN2540N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
120mA(Tj) |
- |
- |
25 欧姆 @ 120mA,0V |
通孔 |
TO-92(TO-226) |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
300pF @ 25V |
|
DN2535N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
120mA(Tj) |
- |
- |
25 欧姆 @ 120mA,0V |
通孔 |
TO-92(TO-226) |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
300pF @ 25V |