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¥39.42
Texas Instruments 950MHz 射频前端 CC1190RGVT, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 15dB隔离, CMOS/TTL技术
京电港自营
自营
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CC1190RGVT
单单刀双掷
0.8dB
15dB
600ns
-
CMOS/TTL
VQFN
16
4.15 x 4.15 x 0.95mm
4.15mm
4.15mm
0.95mm
950MHz
-40 °C
-
¥7.47
Infineon 3GHz SPDT 射频开关 BGS 12AL7-6, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 15dB隔离, CMOS/TTL技术
京电港自营
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BGS 12AL7-6
单单刀双掷
0.8dB
15dB
5µs
1
CMOS/TTL
TSLP
6
1.26 x 1.4 x 0.34mm
1.26mm
1.4mm
0.34mm
3GHz
-30 °C
-
¥53.34
Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG919BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
京电港自营
自营
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ADG919BRMZ
单单刀双掷
1.25dB
34dB
-
1
CMOS / LVTTL
MSOP
8
3 x 3 x 0.85mm
3mm
3mm
0.85mm
2GHz
-40 °C
-
¥36.54
Analog Devices 4GHz SPDT 射频开关 ADG918BCPZ-500RL7, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 36dB隔离
京电港自营
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ADG918BCPZ-500RL7
单单刀双掷
0.8dB
36dB
9.5 ns, 10 ns
1
CMOS / LVTTL
LFCSP VD
8
3.25 x 3.25 x 0.85mm
3.25mm
3.25mm
0.85mm
4GHz
-40 °C
-
¥1855.92
Analog Devices 28GHz 射频开关 HMC547ALC3, 3.7dB介入损耗, 30dB隔离, GaAs MMIC技术, 16引脚
京电港自营
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HMC547ALC3
-
3.7dB
30dB
6ns
2
GaAs MMIC
表面安装
16
3 x 3 x 0.92mm
3mm
3mm
0.92mm
28GHz
-40 °C
-
¥1427.58
Analog Devices 28GHz 射频开关 HMC547ALC3, 3.7dB介入损耗, 30dB隔离, GaAs MMIC技术, 16引脚
京电港自营
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HMC547ALC3
-
3.7dB
30dB
6ns
2
GaAs MMIC
表面安装
16
3 x 3 x 0.92mm
3mm
3mm
0.92mm
28GHz
-40 °C
-
¥787.62
Analog Devices Hittite 系列 8GHz 射频开关电路 HMC427LP3E, 单路 SP4T, 2.1dB介入损耗, 27dB隔离
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HMC427LP3E
单路 SP4T
2.1dB
27dB
4ns
1
-
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
8GHz
-40 °C
-
¥52.11
Analog Devices 2GHz SPDT 射频开关 ADG936BRUZ, 双单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
京电港自营
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ADG936BRUZ
双单刀双掷
1.25dB
31dB
-
2
CMOS / LVTTL
TSSOP
20
6.5 x 4.4 x 1.05mm
6.5mm
4.4mm
1.05mm
2GHz
-40 °C
-
¥76.02
Analog Devices 2GHz SPDT 射频开关 ADG936BRUZ, 双单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
京电港自营
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ADG936BRUZ
双单刀双掷
1.25dB
31dB
-
2
CMOS / LVTTL
TSSOP
20
6.5 x 4.4 x 1.05mm
6.5mm
4.4mm
1.05mm
2GHz
-40 °C
-
¥446.73
Analog Devices 8GHz 射频开关 HMC321ALP4E, 单路 SP8T, 3.1dB介入损耗, 20dB隔离, GaAs MMIC技术, 24引脚
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HMC321ALP4E
单路 SP8T
3.1dB
20dB
150ns
1
GaAs MMIC
QFN
24
4 x 4 x 0.85mm
4mm
4mm
0.85mm
8GHz
-40 °C
-
¥76.02
Analog Devices 2GHz SPDT 射频开关 ADG936BCPZ, 双单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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ADG936BCPZ
双单刀双掷
1.25dB
31dB
-
2
CMOS / LVTTL
LFCSP
20
4 x 4 x 0.83mm
4mm
4mm
0.83mm
2GHz
-40 °C
-
¥50.16
Analog Devices 4GHz 射频开关 ADG918BCPZ-REEL7, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 36dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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ADG918BCPZ-REEL7
单单刀双掷
1.25dB
36dB
10ns
1
CMOS / LVTTL
LFCSP
8
3.25 x 3.25 x 0.85mm
3.25mm
3.25mm
0.85mm
4GHz
-40 °C
-
¥53.34
Analog Devices 4GHz SPDT 射频开关 ADG918BCPZ-500RL7, 单单刀双掷, 0.8dB介入损耗, 36dB隔离
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ADG918BCPZ-500RL7
单单刀双掷
0.8dB
36dB
9.5 ns, 10 ns
1
CMOS / LVTTL
LFCSP VD
8
3.25 x 3.25 x 0.85mm
3.25mm
3.25mm
0.85mm
4GHz
-40 °C
-
¥34.92
Analog Devices 2.5GHz SPDT 射频开关 ADG901BRMZ, 单单刀单掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
京电港自营
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ADG901BRMZ
单单刀单掷
1.25dB
31dB
-
1
CMOS / LVTTL
MSOP
8
3 x 3 x 0.85mm
3mm
3mm
0.85mm
2.5GHz
-40 °C
-
¥580.80
Analog Devices 8GHz 射频开关 HMC321ALP4E, 单路 SP8T, 3.1dB介入损耗, 20dB隔离, GaAs MMIC技术, 24引脚
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HMC321ALP4E
单路 SP8T
3.1dB
20dB
150ns
1
GaAs MMIC
QFN
24
4 x 4 x 0.85mm
4mm
4mm
0.85mm
8GHz
-40 °C
-
¥409.20
Analog Devices Hittite 系列 8GHz 射频开关 HMC344LP3E, 单路 SP4T, 2.5dB介入损耗, 31dB隔离, MESFET技术
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HMC344LP3E
单路 SP4T
2.5dB
31dB
150ns
1
MESFET
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
8GHz
-40 °C
-
¥38.25
Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG918BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
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ADG918BRMZ
单单刀双掷
1.25dB
34dB
-
1
CMOS / LVTTL
MSOP
8
3 x 3 x 0.85mm
3mm
3mm
0.85mm
2GHz
-40 °C
-
¥93.09
Analog Devices 1GHz 射频开关 ADG901SCPZ-EP, 单单刀单掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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ADG901SCPZ-EP
单单刀单掷
1.25dB
31dB
6.5 (On Time) ns, 10.5 (Off Time) ns
3
CMOS / LVTTL
LFCSP
8
3.1 x 3.1 x 0.75mm
3.1mm
3.1mm
0.75mm
1GHz
-55 °C
-
¥748.35
Analog Devices 8GHz 射频开关 HMC427ALP3E, 2.1dB介入损耗, 35dB隔离, GaAs MMIC技术, 最大为 5 V, 16引脚
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HMC427ALP3E
-
2.1dB
35dB
10ns
4
GaAs MMIC
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.85mm
3.1mm
3.1mm
0.85mm
8GHz
-40 °C
-
¥57.30
Analog Devices Hittite 系列 2.5GHz 射频开关电路 HMC348LP3E, 单单刀双掷, 1dB介入损耗, 45dB隔离
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HMC348LP3E
单单刀双掷
1dB
45dB
600ns
1
MESFET
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
2.5GHz
-40 °C
-

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