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57.24
NXP 1GHz SPDT 射频开关 SA630D/01,112, 单单刀双掷, 2.8dB介入损耗, 24dB隔离, BiCMOS技术, 8引脚
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50.94
Analog Devices 2.5GHz SPDT 射频开关 ADG901BRMZ, 单单刀单掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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425.82
Analog Devices Hittite 系列 8GHz 射频开关 HMC344LP3E, 单路 SP4T, 2.5dB介入损耗, 31dB隔离, MESFET技术
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116.13
Analog Devices Hittite 系列 6GHz SPDT 射频开关 HMC536LP2E, 单单刀双掷, 1.3dB介入损耗, 24dB隔离
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1001.46
Analog Devices Hittite 系列 有源偏置控制器 HMC980LP4E, 5 - 16.5 V dc, 24引脚 QFN封装
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2085.33
Analog Devices Hittite 系列 20GHz 射频开关电路 HMC641LC4, 单路 SP4T, 3.5dB介入损耗, 30dB隔离
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537.24
Analog Devices Hittite 系列 8GHz 射频开关电路 HMC321LP4E, 单路 SP8T, 3.1dB介入损耗, 20dB隔离, TTL技术
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101.67
Analog Devices Hittite 系列 6GHz 射频开关 HMC336MS8GE, 单单刀双掷, 2dB介入损耗, 37dB隔离, MESFET技术
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63.45
Analog Devices 4GHz 射频开关 HMC435AMS8GE, 单单刀双掷, 1.8dB介入损耗, 30dB隔离, CATV/CMTS技术, 8引脚
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113.34
Analog Devices Hittite 系列 3.5GHz 射频开关电路 HMC245QS16E, 单路 SP3T, 1dB介入损耗, 26dB隔离
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1087.08
Analog Devices 20GHz 射频开关 HMC547ALP3E, 单单刀双掷, 3dB介入损耗, 31dB隔离, GaAs MMIC技术, 16引脚
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53.34
Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG918BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
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847.26
Analog Devices Hittite 系列 12GHz 射频开关电路 HMC232LP4E, 单单刀双掷, 3.1dB介入损耗, 37dB隔离
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280.50
Analog Devices Hittite 系列 2.5GHz 射频开关电路 HMC253QS24E, 单路 SP8T, 2.4dB介入损耗, 24dB隔离
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7.38
Infineon 3GHz 射频开关电路 BGS12AL7-4E6327, 单单刀双掷, 0.5dB介入损耗, CMOS/TTL技术
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1432.80
Analog Devices Hittite 系列 20GHz SPDT 射频开关 HMC547LP3E, 单单刀双掷, 2.5dB介入损耗, 33dB隔离
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10.05
NXP 射频开关 BF1108R,215, 4引脚 SC-61B封装
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57.27
Analog Devices Hittite 系列 3.5GHz 射频开关 HMC284AMS8GE, 单单刀双掷, 1.1dB介入损耗, 30dB隔离
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104.91
NXP 1GHz SPDT 射频开关 SA630D/01,112, 单单刀双掷, 2.8dB介入损耗, 24dB隔离, BiCMOS技术
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96.72
Maxim MAX1473EUI T 300 - 450MHz ASK 射频接收器芯片, 3 - 3.6 V电源, 28引脚 TSSOP封装
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最大介入损耗
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最高工作频带2频率
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最大工作电源电压
最高工作温度
最低工作频带1频率
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57.24
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型号
SA630D/01,112
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57.24
NXP 1GHz SPDT 射频开关 SA630D/01,112, 单单刀双掷, 2.8dB介入损耗, 24dB隔离, BiCMOS技术, 8引脚
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单单刀双掷
2.8dB
24dB
20ns
1
BiCMOS
1GHz
-40 °C
SA630D/01,112
SOIC
8
5 x 4 x 1.45mm
5mm
4mm
1.45mm
-
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50.94
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型号
ADG901BRMZ
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50.94
Analog Devices 2.5GHz SPDT 射频开关 ADG901BRMZ, 单单刀单掷, 1.25dB介入损耗, 31dB隔离, CMOS / LVTTL技术
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单单刀单掷
1.25dB
31dB
-
1
CMOS / LVTTL
2.5GHz
-40°C
ADG901BRMZ
MSOP
8
3 x 3 x 0.85mm
3mm
3mm
0.85mm
-
¥
425.82
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型号
HMC344LP3E
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425.82
Analog Devices Hittite 系列 8GHz 射频开关 HMC344LP3E, 单路 SP4T, 2.5dB介入损耗, 31dB隔离, MESFET技术
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单路 SP4T
2.5dB
31dB
150ns
1
MESFET
8GHz
-40 °C
HMC344LP3E
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
-
¥
116.13
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型号
HMC536LP2E
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116.13
Analog Devices Hittite 系列 6GHz SPDT 射频开关 HMC536LP2E, 单单刀双掷, 1.3dB介入损耗, 24dB隔离
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单单刀双掷
1.3dB
24dB
70ns
1
-
6GHz
-40 °C
HMC536LP2E
DFN
6
2.5 x 2.5 x 0.95mm
2.5mm
2.5mm
0.95mm
-
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1001.46
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型号
HMC980LP4E
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1001.46
Analog Devices Hittite 系列 有源偏置控制器 HMC980LP4E, 5 - 16.5 V dc, 24引脚 QFN封装
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-
-
-
-
-
-
-
-40 °C
HMC980LP4E
QFN
24
4.1 x 4.1 x 0.95mm
4.1mm
4.1mm
0.95mm
-
¥
2085.33
另提供行业标准包装
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型号
HMC641LC4
¥
2085.33
Analog Devices Hittite 系列 20GHz 射频开关电路 HMC641LC4, 单路 SP4T, 3.5dB介入损耗, 30dB隔离
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单路 SP4T
3.5dB
30dB
88ns
1
MESFET
20GHz
-40 °C
HMC641LC4
QFN
24
4 x 4 x 1.02mm
4mm
4mm
1.02mm
-
¥
537.24
另提供行业标准包装
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型号
HMC321LP4E
¥
537.24
Analog Devices Hittite 系列 8GHz 射频开关电路 HMC321LP4E, 单路 SP8T, 3.1dB介入损耗, 20dB隔离, TTL技术
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单路 SP8T
3.1dB
20dB
150ns
1
TTL
8GHz
-40 °C
HMC321LP4E
QFN
24
4.1 x 4.1 x 0.95mm
4.1mm
4.1mm
0.95mm
-
¥
101.67
另提供行业标准包装
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型号
HMC336MS8GE
¥
101.67
Analog Devices Hittite 系列 6GHz 射频开关 HMC336MS8GE, 单单刀双掷, 2dB介入损耗, 37dB隔离, MESFET技术
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单单刀双掷
2dB
37dB
20ns
1
MESFET
6GHz
-40 °C
HMC336MS8GE
MSOP
8
3.1 x 3.1 x 0.97mm
3.1mm
3.1mm
0.97mm
-
¥
63.45
另提供行业标准包装
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型号
EVAL-ADM3065EEBZ
¥
63.45
Analog Devices 4GHz 射频开关 HMC435AMS8GE, 单单刀双掷, 1.8dB介入损耗, 30dB隔离, CATV/CMTS技术, 8引脚
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单单刀双掷
1.8dB
30dB
60ns
2
CATV/CMTS
4GHz
-40 °C
EVAL-ADM3065EEBZ
MSOP
8
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
-
¥
113.34
另提供行业标准包装
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型号
HMC245QS16E
¥
113.34
Analog Devices Hittite 系列 3.5GHz 射频开关电路 HMC245QS16E, 单路 SP3T, 1dB介入损耗, 26dB隔离
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单路 SP3T
1dB
26dB
150ns
1
CMOS/TTL
3.5GHz
-40 °C
HMC245QS16E
QSOP
16
5 x 4 x 1.5mm
5mm
4mm
1.5mm
-
¥
1087.08
另提供行业标准包装
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型号
HMC547ALP3E
¥
1087.08
Analog Devices 20GHz 射频开关 HMC547ALP3E, 单单刀双掷, 3dB介入损耗, 31dB隔离, GaAs MMIC技术, 16引脚
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单单刀双掷
3dB
31dB
10ns
2
GaAs MMIC
20GHz
-40 °C
HMC547ALP3E
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
-
¥
53.34
另提供行业标准包装
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型号
ADG918BRMZ
¥
53.34
Analog Devices 2GHz 射频多路复用器 ADG918BRMZ, 单单刀双掷, 1.25dB介入损耗, 34dB隔离
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单单刀双掷
1.25dB
34dB
-
1
CMOS / LVTTL
2GHz
-40°C
ADG918BRMZ
MSOP
8
3 x 3 x 0.85mm
3mm
3mm
0.85mm
-
¥
847.26
另提供行业标准包装
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型号
HMC232LP4E
¥
847.26
Analog Devices Hittite 系列 12GHz 射频开关电路 HMC232LP4E, 单单刀双掷, 3.1dB介入损耗, 37dB隔离
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单单刀双掷
3.1dB
37dB
6ns
1
MESFET
12GHz
-40 °C
HMC232LP4E
QFN
24
4.1 x 4.1 x 0.95mm
4.1mm
4.1mm
0.95mm
-
¥
280.50
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型号
HMC253QS24E
¥
280.50
Analog Devices Hittite 系列 2.5GHz 射频开关电路 HMC253QS24E, 单路 SP8T, 2.4dB介入损耗, 24dB隔离
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单路 SP8T
2.4dB
24dB
100ns
1
CMOS/TTL
2.5GHz
-40 °C
HMC253QS24E
QSOP
24
8.75 x 4 x 1.5mm
8.75mm
4mm
1.5mm
-
¥
7.38
另提供行业标准包装
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型号
BGS12AL7-4E6327
¥
7.38
Infineon 3GHz 射频开关电路 BGS12AL7-4E6327, 单单刀双掷, 0.5dB介入损耗, CMOS/TTL技术
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单单刀双掷
0.5dB
-
5µs
1
CMOS/TTL
3GHz
-30 °C
BGS12AL7-4E6327
TSLP
7
2.3 x 1.5 x 0.35mm
2.3mm
1.5mm
0.35mm
-
¥
1432.80
另提供行业标准包装
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型号
HMC547LP3E
¥
1432.80
Analog Devices Hittite 系列 20GHz SPDT 射频开关 HMC547LP3E, 单单刀双掷, 2.5dB介入损耗, 33dB隔离
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单单刀双掷
2.5dB
33dB
6ns
1
MESFET
20GHz
-40 °C
HMC547LP3E
QFN
16
3.1 x 3.1 x 0.95mm
3.1mm
3.1mm
0.95mm
-
¥
10.05
另提供行业标准包装
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型号
BF1108R,215
¥
10.05
NXP 射频开关 BF1108R,215, 4引脚 SC-61B封装
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-
-
-
-
-
-
-
-65 °C
BF1108R,215
SC-61B
4
3 x 1.4 x 1mm
3mm
1.4mm
1mm
-
¥
57.27
另提供行业标准包装
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型号
HMC284AMS8GE
¥
57.27
Analog Devices Hittite 系列 3.5GHz 射频开关 HMC284AMS8GE, 单单刀双掷, 1.1dB介入损耗, 30dB隔离
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单单刀双掷
1.1dB
30dB
20ns
1
CMOS/TTL
3.5GHz
-40 °C
HMC284AMS8GE
MSOP
8
3.1 x 3.1 x 0.97mm
3.1mm
3.1mm
0.97mm
-
¥
104.91
另提供行业标准包装
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型号
SA630D/01,112
¥
104.91
NXP 1GHz SPDT 射频开关 SA630D/01,112, 单单刀双掷, 2.8dB介入损耗, 24dB隔离, BiCMOS技术
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单单刀双掷
2.8dB
24dB
20ns
1
BiCMOS
1GHz
-40°C
SA630D/01,112
SOIC
8
5 x 4 x 1.45mm
5mm
4mm
1.45mm
-
¥
96.72
另提供行业标准包装
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型号
MAX1473EUI T
¥
96.72
Maxim MAX1473EUI T 300 - 450MHz ASK 射频接收器芯片, 3 - 3.6 V电源, 28引脚 TSSOP封装
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MAX1473EUI T
ASK
TSSOP
28
-
-
-
-
450MHz
-
-
3.6 V
85 °C
300MHz
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用户名:18714019-285718
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