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最高工作温度
最小工作电源电压
宽度
原产地
晶体管类型
每片芯片元件数目
最大连续集电极电流
典型输入电阻器
安装类型
最小直流电流增益
晶体管配置
典型电阻比
最低工作温度
最大功率耗散
PUMD48
UMT
6
2.2 x 1.35 x 1mm
1mm
2.2mm
150 °C
1.35mm
-
NPN PNP
2
100 mA
2.2 kΩ,47 kΩ
表面贴装
80
隔离式
1
-65 °C
BCR135
SOT-23
3
2.9 x 1.3 x 1mm
1mm
2.9mm
150 °C
1.3mm
-
NPN
1
100 mA
10 kΩ
表面贴装
70
0.21
-65 °C
DMA261050R
Mini5 G3 B
5
2.9 x 1.5 x 1.1mm
1.1mm
2.9mm
150 °C
1.5mm
-
PNP
2
100 mA
10 kΩ
表面贴装
160
共发射极
300 mW
PDTC144WU
UMT
3
2.2 x 1.35 x 1mm
1mm
2.2mm
150 °C
1.35mm
-
NPN
1
100 mA
47 kΩ
表面贴装
60
2.14
-65 °C
PUMD13
UMT
6
2.2 x 1.35 x 1mm
1mm
2.2mm
150 °C
1.35mm
-
NPN PNP
2
100 mA
4.7 kΩ
表面贴装
100
隔离式
0.1
-65 °C
DMA261040R
Mini5 G3 B
5
2.9 x 1.5 x 1.1mm
1.1mm
2.9mm
150 °C
1.5mm
-
PNP
2
100 mA
10 kΩ
表面贴装
80
共发射极
0.21
300 mW
PDTA143ET
SOT-23 (TO-236AB)
3
3 x 1.4 x 1mm
1mm
3mm
150 °C
1.4mm
-
PNP
1
100 mA
4.7 kΩ
表面贴装
30
1
-65 °C
PEMD2
SSMini
6
1.7 x 1.3 x 0.6mm
0.6mm
1.7mm
150 °C
1.3mm
-
NPN PNP
2
100 mA
22 kΩ
表面贴装
60
隔离式
1
-65 °C
DMC261030R
Mini5 G3 B
5
2.9 x 1.5 x 1.1mm
1.1mm
2.9mm
150 °C
1.5mm
-
NPN
2
100 mA
47 kΩ
表面贴装
80
共发射极
1
300 mW
HMC432E
1/2
8GHz
-
-
42mA
SOT-26
6
3 x 1.7 x 1.3mm
1.3mm
3mm
3 V
85 °C
-
1.7mm
-
HMC362S8GE
1/4
12GHz
500MHz
-
68mA
SOIC
8
5 x 4 x 1.62mm
1.62mm
5mm
5 V
85 °C
-
4mm
-
HMC432E
1/2
8GHz
-
-
42mA
SOT-26
6
3 x 1.7 x 1.3mm
1.3mm
3mm
3 V
85 °C
-
1.7mm
-
HMC363S8GE
1/8
12GHz
500MHz
-
70mA
SOIC
8
5 x 4 x 1.62mm
1.62mm
5mm
5 V
85 °C
-
4mm
-
HMC437MS8GE
1/3
7GHz
100MHz
-
69mA
MSOP
8
3.1 x 3.1 x 0.95mm
0.95mm
3.1mm
5 V
85 °C
-
3.1mm
-
ADF5001BCPZ
-
-
-
-
-
LFCSP WQ
16
3 x 3 x 0.8mm
0.8mm
3mm
-
105 °C
-
3mm
-
HMC437MS8GE
1/3
7GHz
100MHz
-
69mA
MSOP
8
3.1 x 3.1 x 0.95mm
0.95mm
3.1mm
5 V
85 °C
-
3.1mm
-
HMC434E
1/8
8.5GHz
200MHz
-
62mA
SOT-26
6
3 x 1.7 x 1.3mm
1.3mm
3mm
3 V
85 °C
-
1.7mm
-
HMC361S8GE
1/2
10GHz
400MHz
-
83mA
SOIC
8
5 x 4 x 1.62mm
1.62mm
5mm
5 V
85 °C
-
4mm
-
MC12026ADG
8/9/16/17
1.1GHz
100MHz
1.6V
4mA
SOIC
8
5 x 4 x 1.5mm
1.5mm
5mm
5.5 V
85 °C
4.5 V
4mm
-
MC12080DG
10/20/40/80
1.1GHz
100MHz
1.2V
3.7mA
SOIC
8
5 x 4 x 1.5mm
1.5mm
5mm
5.5 V
85 °C
4.5 V
4mm
-
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