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AC164120 |
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DV244140 |
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AVR, DsPIC, PIC, SAM |
编程器 |
MPLAB ICE4 |
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PG164100 |
PIC MCUs |
Intel pentium pc system 、 windows 7 及更高版本、 macosx 、 linux 操作系统 |
开发套件 |
MPLAB Snap In-Circuit Debugger/Programmer Kit |
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TPG100001 |
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ASBK-014 |
AgileSwitch ASB-014, Microchip PICKIT4 |
Agile 交换机 |
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Microchip AgileSwitch ASBK-014 Device Programmer Kit |
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PG164140 |
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PIC 和 dsPIC 微控制器 |
开发套件 |
MPLAB PICkit 4 In-Circuit |
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AC244005-2 |
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MPLAB REAL ICE Isolation |
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VP2206N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
640mA(Tj) |
- |
3.5V @ 10mA |
900 毫欧 @ 3.5A,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
450pF @ 25V |
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TP2640N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
180mA(Tj) |
- |
2V @ 1mA |
15 欧姆 @ 300mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
P 沟道 |
300pF @ 25V |
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VP2450N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
100mA(Tj) |
- |
3.5V @ 1mA |
30 欧姆 @ 100mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
190pF @ 25V |
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VP0808L-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
280mA(Tj) |
- |
4.5V @ 1mA |
5 欧姆 @ 1A,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
150pF @ 25V |
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|
VN0550N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
50mA(Tj) |
- |
4V @ 1mA |
60 欧姆 @ 50mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
55pF @ 25V |
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|
DN2540N5-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
500mA(Tj) |
- |
- |
25 欧姆 @ 120mA,0V |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
300pF @ 25V |
|
|
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|
|
TP2535N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
86mA(Tj) |
- |
2.4V @ 1mA |
25 欧姆 @ 100mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
125pF @ 25V |
|
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|
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|
TP2540N8-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
125mA(Tj) |
- |
2.4V @ 1mA |
25 欧姆 @ 100mA,10V |
表面贴装 |
TO-243AA(SOT-89) |
TO-243AA |
剪切带(CT) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
P 沟道 |
125pF @ 25V |
|
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|
VN0300L-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
640mA(Tj) |
- |
2.5V @ 1mA |
1.2 欧姆 @ 1A,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
190pF @ 20V |
|
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|
|
TN0702N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
530mA(Tj) |
- |
1V @ 1mA |
1.3 欧姆 @ 500mA,5V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
200pF @ 20V |
|
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|
|
TN0610N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
500mA(Tj) |
- |
2V @ 1mA |
1.5 欧姆 @ 750mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
150pF @ 25V |
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|
|
TN0104N3-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
450mA(Ta) |
- |
1.6V @ 500µA |
1.8 欧姆 @ 1A,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
70pF @ 20V |
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|
VN2410L-G |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
190mA(Tj) |
- |
2V @ 1mA |
10 欧姆 @ 500mA,10V |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
N 沟道 |
125pF @ 25V |
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