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¥4072.86
Micron 存储器模块 MODULE DDR4 SDRAM 32GB 288RDIMM
京电港自营
自营
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MTA36ASF4G72PZ-2G3B1
DDR4 SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
-
2400MT/s
288-RDIMM
¥2257.29
Micron 存储器模块 MODULE DDR3L SDRAM 16GB 240RDIMM
京电港自营
自营
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MT36KSF2G72PZ-1G6P1
DDR3L SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1600MT/s
240-RDIMM
¥2132.91
Micron 存储器模块 MODULE DDR3L SDRAM 4GB 240UDIMM
京电港自营
自营
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MT8KTF51264AZ-1G9P1
DDR3L SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1866MT/s
240-UDIMM
¥1783.26
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
京电港自营
自营
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MT9VDDT3272HG-40BG2
DDR SDRAM
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200MHz
200-SODIMM
¥1409.32
Micron 存储器模块 MODULE DDR3L SDRAM 8GB 240UDIMM
京电港自营
自营
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MT16KTF1G64AZ-1G9P1
DDR3L SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1866MT/s
240-UDIMM
¥1409.32
Micron 存储器模块 MODULE DDR3L SDRAM 8GB 204SODIMM
京电港自营
自营
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MT16KTF1G64HZ-1G9P1
DDR3L SDRAM
8GB
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1866MT/s
204-SODIMM
¥1179.75
Micron 存储器模块 MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM
京电港自营
自营
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MT9VDDT6472AG-335D1
DDR SDRAM
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
167MHz
184-UDIMM
¥1065.22
Micron 存储器模块 MODULE DDR3L SDRAM 8GB 204SODIMM
京电港自营
自营
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MT16KTF1G64HZ-1G6N1
DDR3L SDRAM
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1600MT/s
204-SODIMM
¥694.71
IC Micron 存储器 SDRAM 8GBIT 81010MHZ 96FBGA
京电港自营
自营
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MT41K512M16HA-125:A
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
8Gb （512M x 16）
-
13.5ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
0°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
96-TFBGA
96-FBGA（14x9）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥607.50
Micron PC28F00AG18FE 闪存, 1 Gbyte (64M x 16 位), 并行接口, 96ns, 1.7 → 2 V, 64引脚 EBGA封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
PC28F00AG18FE
表面贴装
-
-
-
EBGA
1 Gbyte
并行
64
64M x 16 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
64M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
-
-
¥537.93
Micron PC28F00AP33EFA 闪存, 1 Gbyte (64M x 16 位), 并行接口, 95ns, 2.3 → 3.6 V, 64引脚 EBGA封装
京电港自营
新品 自营
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PC28F00AP33EFA
表面贴装
-
-
-
EBGA
1 Gbyte
并行
64
64M x 16 位
NOR
2.3 V
3.6 V
非对称、对称
64M
95ns
16Bit
10.1 x 8.1 x 1.2mm
8.1mm
-40 °C
85 °C
10.1mm
1.2mm
-
-
¥505.32
IC Micron 存储器 SDRAM 512MBIT 167MHZ 66TSOP
京电港自营
自营
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MT46V128M4TG-6T:D TR
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR
512Mb （128M x 4）
15ns
700ps
并联
2.3 V ~ 2.7 V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）
66-TSOP
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥392.58
IC Micron 存储器 SDRAM 2GBIT 41010MHZ 84FBGA
京电港自营
自营
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MT47H128M16RT-25E:C
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
2Gb （128M x 16）
15ns
400ps
并联
1.7 V ~ 1.9 V
0°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
84-TFBGA
84-FBGA（9x12.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥391.68
IC Micron 存储器 SDRAM 4GBIT 933MHZ 78FBGA
京电港自营
自营
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MT41K512M8DA-107 AAT:P
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb （512M x 8）
-
20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
-40°C ~ 105°C（TC）
表面贴装
78-TFBGA
78-FBGA（8x10.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥357.15
IC Micron 存储器 FLASH 512MBIT 11010NS 64EASYBGA
京电港自营
自营
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PC48F4400P0VB0EE
Axcell™
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb （32M x 16）
100ns
100ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
64-TBGA
64-EasyBGA（10x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥356.28
IC Micron 存储器 SDRAM 4GBIT 933MHZ 78FBGA
京电港自营
自营
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MT41K512M8DA-107 AIT:P
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb （512M x 8）
-
20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
78-TFBGA
78-FBGA（8x10.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥326.58
IC Micron 存储器 SDRAM 4GBIT 1.2GHZ 78BGA
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MT40A1G4RH-083E:B
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR4
4Gb （1G x 4）
-
-
并联
1.14 V ~ 1.26 V
0°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
78-TFBGA
78-FBGA（9x10.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥320.43
IC Micron 存储器 FLASH 512MBIT 11010NS 64EASYBGA
京电港自营
自营
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PC28F512P30BFA
Axcell™
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb （32M x 16）
100ns
100ns
并联
1.7 V ~ 2 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
64-TBGA
64-EasyBGA（8x10）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥291.33
Micron PC28F128G18FE 闪存, 128Mbit (8M x 16 位), 并行接口, 96ns, 1.7 → 2 V, 64引脚 EBGA封装
京电港自营
新品 自营
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PC28F128G18FE
表面贴装
-
-
-
EBGA
128Mbit
并行
64
8M x 16 位
NOR
1.7 V
2 V
对称
8M
96ns
16Bit
10 x 8 x 1.2mm
8mm
-30 °C
85 °C
10mm
1.2mm
-
-
¥286.20
Micron JS28F512M29EWHA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位，64M x 8 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
JS28F512M29EWHA
表面贴装
-
-
-
TSOP
512Mbit
并行
56
32M x 16 位，64M x 8 位
NOR
2.7 V
3.6 V
对称
32M, 64M
110ns
8/16Bit
18.4 x 14 x 1mm
14mm
-40 °C
85 °C
18.4mm
1mm
-
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