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FET类型
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电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
NTJS3151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.7A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 100µA
8.6nC @ 4.5V
850pF @ 12V
625mW(Ta)
60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTR4171PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.2A(Ta)
2.5V,10V
1.4V @ 250µA
15.6nC @ 10V
720pF @ 15V
480mW(Ta)
75 毫欧 @ 2.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.52
自营
NTJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.3A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1W(Ta)
60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥2.58
自营
CPH3360-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
900mW(Ta)
303 毫欧 @ 800mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.61
自营
3LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
250mW(Ta)
3.7 欧姆 @ 80mA,4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.67
自营
6HP04CH-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
370mA(Ta)
4V,10V
-
0.84nC @ 10V
24.1pF @ 20V
-
4.2 欧姆 @ 190mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
5HP01M-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
70mA(Ta)
4V,10V
-
1.32nC @ 10V
6.2pF @ 10V
150mW(Ta)
22 欧姆 @ 40mA,10V
表面贴装
3-MCP
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.88
自营
SCH1430-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW(Ta)
125 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥2.91
自营
MCH3374-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.03
自营
MGSF2N02ELT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.8A(Ta)
2.5V,4.5V
1V @ 250µA
3.5nC @ 4V
150pF @ 5V
1.25W(Ta)
85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.06
自营
MCH3476-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
1.8V,4.5V
-
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW(Ta)
125 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.06
自营
MCH3481-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
1.2V,4.5V
900mV @ 1mA
2.9nC @ 4.5V
175pF @ 10V
800mW(Ta)
104 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.24
自营
NTD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.30
自营
MCH6342-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
8.6nC @ 4.5V
650pF @ 10V
1.5W(Ta)
73 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.30
自营
CPH6445-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
4V,10V
-
6.8nC @ 10V
310pF @ 20V
1.6W(Ta)
117 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.36
自营
CPH3455-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
4nC @ 10V
186pF @ 20V
1W(Ta)
104 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTR5103NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.6V @ 250µA
0.81nC @ 5V
40pF @ 25V
300mW(Ta)
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
2N7002ET1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.81nC @ 5V
26.7pF @ 25V
300mW(Tj)
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
BSS138LT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
200mA(Ta)
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥0.75
自营
2V7002LT3G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
115mA(Tc)
5V,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
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