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14.52
STMicroelectronics TIP142T NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装
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18.93
STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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99.33
STMicroelectronics STGW60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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1102.95
STMicroelectronics ESM6045DV NPN 达林顿晶体管对, 84 A, Vce=450 V, HFE=120, 4引脚 ISOTOP封装
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18.06
STMicroelectronics TIP132 NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装
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26.34
STMicroelectronics STGF10NB60SD N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
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42.33
STMicroelectronics STGF15H60DF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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30.96
STMicroelectronics TIP147T PNP 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装
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54.75
STMicroelectronics STGB15H60DF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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115.83
STMicroelectronics STGW50HF60SD N沟道 IGBT, 110 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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2.70
STMicroelectronics ULN2003D1013TR NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装
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175.92
STMicroelectronics STGWT80H65FB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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237.60
STMicroelectronics STGIF10CH60TS-L 智能功率模块, 阵列, 15 A, Vce=600 V, 26引脚 SDIP2F封装
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46.89
STMicroelectronics ULN2066B NPN 达林顿晶体管对, 1.75 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装
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46.14
STMicroelectronics STGP30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
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238.95
STMicroelectronics STGIPS10K60T 智能功率模块, 3 相, 10 A, Vce=600 V, 25引脚 SDIP封装
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18.03
STMicroelectronics BDX33C NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
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66.66
STMicroelectronics STGB30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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17.46
STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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5.82
STMicroelectronics BDX53B NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=80 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
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产品图片
产品详情
配置
最大功率
达标情况
原厂标准交货期
产品型号
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
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安装类型
通道类型
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开关速度
晶体管配置
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宽度
高度
原产地
产品认证
最大发射极基极电压
最低工作温度
尺寸
最高工作温度
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
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14.52
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型号
TIP142T
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14.52
STMicroelectronics TIP142T NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装
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TIP142T
10 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
1
-65 °C
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
150 °C
-
-
¥
18.93
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型号
STGD10NC60KDT4
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18.93
STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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STGD10NC60KDT4
20 A
±20V
-
-
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
-
单
6.6mm
6.2mm
2.4mm
-
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99.33
另提供行业标准包装
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型号
STGW60H65DFB
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99.33
STMicroelectronics STGW60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW60H65DFB
80 A
±20V
-
375 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
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1102.95
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型号
ESM6045DV
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1102.95
STMicroelectronics ESM6045DV NPN 达林顿晶体管对, 84 A, Vce=450 V, HFE=120, 4引脚 ISOTOP封装
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ESM6045DV
84 A
ISOTOP
面板安装
4
单
38.2 mm
25.5 mm
9.1 mm
-
1
-55 °C
38.2 x 25.5 x 9.1 mm
150 °C
-
-
¥
18.06
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型号
TIP132
¥
18.06
STMicroelectronics TIP132 NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装
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TIP132
8 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
1
-65 °C
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
150 °C
-
-
¥
26.34
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型号
STGF10NB60SD
¥
26.34
STMicroelectronics STGF10NB60SD N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
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STGF10NB60SD
23 A
±20V
-
25 W
TO-220FP
通孔
N
3
-
单
10.4mm
4.6mm
20mm
-
¥
42.33
另提供行业标准包装
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型号
STGF15H60DF
¥
42.33
STMicroelectronics STGF15H60DF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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STGF15H60DF
30 A
±20V
-
30 W
TO-220FP
通孔
N
3
1MHz
单
10.4mm
4.6mm
16.4mm
-
¥
30.96
另提供行业标准包装
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型号
TIP147T
¥
30.96
STMicroelectronics TIP147T PNP 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-220封装
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TIP147T
10 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
1
-65 °C
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
150 °C
-
-
¥
54.75
另提供行业标准包装
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型号
STGB15H60DF
¥
54.75
STMicroelectronics STGB15H60DF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB15H60DF
30 A
±20V
-
115 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥
115.83
另提供行业标准包装
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型号
STGW50HF60SD
¥
115.83
STMicroelectronics STGW50HF60SD N沟道 IGBT, 110 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW50HF60SD
110 A
±20V
-
284 W
TO-247
通孔
N
3
-
-
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
¥
2.70
另提供行业标准包装
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型号
ULN2003D1013TR
¥
2.70
STMicroelectronics ULN2003D1013TR NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 SOIC封装
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ULN2003D1013TR
0.5 A
SOIC
表面贴装
16
共发射极
10 mm
4 mm
1.65 mm
-
7
-20 °C
10 x 4 x 1.65 mm
85 °C
-
-
¥
175.92
另提供行业标准包装
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型号
STGWT80H65FB
¥
175.92
STMicroelectronics STGWT80H65FB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT80H65FB
120 A
±20V
-
469 W
TO-3P
通孔
N
3
1MHz
单
15.8mm
5mm
20.1mm
-
¥
237.60
另提供行业标准包装
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型号
STGIF10CH60TS-L
¥
237.60
STMicroelectronics STGIF10CH60TS-L 智能功率模块, 阵列, 15 A, Vce=600 V, 26引脚 SDIP2F封装
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3 相
33 W
-
-
STGIF10CH60TS-L
15 A
SDIP2F
通孔
N
26
3 相
38 mm
24 mm
3.5mm
-
-
-40 °C
38 x 24 x 3.5 mm
125 °C
-
600 V
¥
46.89
另提供行业标准包装
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型号
ULN2066B
¥
46.89
STMicroelectronics ULN2066B NPN 达林顿晶体管对, 1.75 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装
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ULN2066B
1.75 A
PDIP
通孔
16
共发射极
20 mm
7.1 mm
5.1 mm
-
4
-20 °C
20 x 7.1 x 5.1 mm
85 °C
-
-
¥
46.14
另提供行业标准包装
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型号
STGP30V60F
¥
46.14
STMicroelectronics STGP30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
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STGP30V60F
30 A
±20V
-
260 W
TO-220
通孔
N
3
1MHz
单
10.4mm
4.6mm
15.75mm
-
¥
238.95
另提供行业标准包装
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型号
STGIPS10K60T
¥
238.95
STMicroelectronics STGIPS10K60T 智能功率模块, 3 相, 10 A, Vce=600 V, 25引脚 SDIP封装
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3 相
33 W
-
-
STGIPS10K60T
10 A
SDIP
通孔
N
25
44.9 mm
22.5 mm
7.5mm
-
-
-40 °C
44.9 x 22.5 x 7.5 mm
150 °C
-
600 V
¥
18.03
另提供行业标准包装
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型号
BDX33C
¥
18.03
STMicroelectronics BDX33C NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
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BDX33C
10 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
1
-65 °C
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
150 °C
-
-
¥
66.66
另提供行业标准包装
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型号
STGB30M65DF2
¥
66.66
STMicroelectronics STGB30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB30M65DF2
60 A
±20V
-
258 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥
17.46
另提供行业标准包装
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型号
STGB10NC60KDT4
¥
17.46
STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB10NC60KDT4
20 A
±20V
-
65 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
1MHz
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥
5.82
另提供行业标准包装
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型号
BDX53B
¥
5.82
STMicroelectronics BDX53B NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=80 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
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BDX53B
8 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
1
-65 °C
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
150 °C
-
-
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3
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5
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7
8
9
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