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核心处理器
核心尺寸
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连接性
外设
I/O 数
程序存储容量
程序存储器类型
EEPROM 容量
RAM 容量
数据转换器
振荡器类型
工作温度
封装类型
供应商器件封装
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
R5F10RB8AFP#X0
RL78/L12
RL78
16-位
24MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LCD,LVD,POR,PWM,WDT
20
8KB(8K x 8)
闪存
2K x 8
1K x 8
A/D 4x8/10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
32-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
¥23.13
自营
CY8C4014SXI-421T
ARM® Cortex®-M0
32-位
16MHz
I²C
欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
13
16KB(16K x 8)
闪存
-
2K x 8
D/A 1x7b,1x8b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
16-SOIC
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W79E2051RASG
W79
8051
8-位
24MHz
UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
17
2KB(2K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N79E8432ASG
N79
8051
8-位
24MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
13
4KB(4K x 8)
闪存
4K x 8
512 x 8
A/D 4x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
W79E2051RARG
W79
8051
8-位
24MHz
UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
17
2KB(2K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
R5F11EB8AFP#50
RL78/G1G
RL78
16-位
24MHz
CSI,I²C,UART/USART
LVD,POR,PWM,WDT
25
8KB(8K x 8)
闪存
-
1.5K x 8
A/D 8x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
32-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
N79E822ASG
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
18
2KB(2K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N79E822ARG
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
18
2KB(2K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
R5F11EAAASP#50
RL78/G1G
RL78
16-位
24MHz
CSI,I²C,UART/USART
LVD,POR,PWM,WDT
23
16KB(16K x 8)
闪存
-
1.5K x 8
A/D 8x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
30-LSSOP(0.240",6.10mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
N79E822ADG
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
18
2KB(2K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-DIP(0.300",7.62mm)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥24.21
自营
CY8C24093-24LKXI
M8C
8-位
24MHz
I²C,SPI
LVD,POR,PWM,WDT
13
8KB(8K x 8)
闪存
-
1K x 8
A/D 1x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
16-UFQFN
16-QFN(3x3)
托盘
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
R5F104AAASP#X0
RL78/G14
RL78
16-位
32MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
21
16KB(16K x 8)
闪存
4K x 8
2.5K x 8
A/D 8x8/10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
30-LSSOP(0.240",6.10mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R5F10RBAAFP#X0
RL78/L12
RL78
16-位
24MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LCD,LVD,POR,PWM,WDT
20
16KB(16K x 8)
闪存
2K x 8
1K x 8
A/D 4x8/10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
32-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R5F1006CASP#X0
RL78/G13
RL78
16-位
32MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
13
32KB(32K x 8)
闪存
-
2K x 8
A/D 6x8/10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-LSSOP(0.240",6.10mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
MINI52LDE
NuMicro Mini51™ DE
ARM® Cortex®-M0
32-位
24MHz
SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
29
8KB(8K x 8)
闪存
-
2K x 8
A/D 8x10b
内部
-40°C ~ 105°C(TA)
48-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
W78E051DLG
W78
8052
8-位
40MHz
EBI/EMI,UART/USART
POR,WDT
36
4KB(4K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
外部
-40°C ~ 85°C(TA)
48-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
R5F10Y14DSP#30
RL78/G10
RL78
16-位
20MHz
CSI,I²C,LIN,UART/USART
DMA,LVD,POR,PWM,WDT
6
1KB(1K x 8)
闪存
-
128 x 8
A/D 4x8/10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
10-LSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
R5F11EBAAFP#50
RL78/G1G
RL78
16-位
24MHz
CSI,I²C,UART/USART
LVD,POR,PWM,WDT
25
16KB(16K x 8)
闪存
-
1.5K x 8
A/D 8x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
32-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
W79E4051ASG
W79
8051
8-位
24MHz
UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
17
4KB(4K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
W79E4051ARG
W79
8051
8-位
24MHz
UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
17
4KB(4K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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