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产品系列
核心处理器
核心尺寸
速度
连接性
外设
程序存储容量
程序存储器类型
EEPROM 容量
RAM 容量
数据转换器
振荡器类型
封装类型
包装
原产地
产品型号
可编程类型
I/O 数
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
达标情况
原厂标准交货期
R8C/2x/2J
R8C
16-位
8MHz
LIN,SIO,UART/USART
POR,PWM,电压检测,WDT
2KB(2K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
内部
20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
R5F212J0SDSP#W4
12
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
M4A3-32/32-10VNC
系统内可编程
32
TA
表面贴装
44-TQFP(10x10)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
20-DIP(0.300",7.62mm)
-
N79E824ADG
18
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N79
8051
8-位
24MHz
I²C,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
4K x 8
512 x 8
A/D 8x10b
内部
28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
-
N79E854AWG
25
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
N79
8051
8-位
24MHz
EBI/EMI,I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
44-LCC(J 形引线)
-
N79E352APG
36
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
W79
8051
8-位
20MHz
-
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
4KB(4K x 8)
闪存
128 x 8
128 x 8
A/D 8x10b
内部
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
-
W79E8213RARG
18
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W78
8051
8-位
24MHz
EBI/EMI
LED,WDT
4KB(4K x 8)
掩模 ROM
-
256 x 8
-
内部
44-BQFP
-
W78L801A24FL
36
0°C ~ 70°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
W79
8051
8-位
20MHz
-
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
4KB(4K x 8)
闪存
128 x 8
128 x 8
A/D 8x10b
内部
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
W79E8213RASG
18
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥30.54
自营
N79
8051
8-位
24MHz
EBI/EMI,I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
40-DIP(0.600",15.24mm)
-
N79E352ADG
32
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
W78
8051
8-位
24MHz
EBI/EMI
LED,WDT
4KB(4K x 8)
掩模 ROM
-
256 x 8
-
内部
44-LCC(J 形引线)
-
W78L801A24PL
36
0°C ~ 70°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
LC4032ZC-75TN48C
系统内可编程
32
TJ
表面贴装
48-TQFP(7x7)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
NuMicro M051™ DE
ARM® Cortex®-M0
32-位
50MHz
EBI/EMI,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
-
4K x 8
A/D 8x12b
内部
48-LQFP
-
M054LDE
40
-40°C ~ 105°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥31.77
自营
M8C
8-位
12MHz
I²C,SPI
LVD,POR,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
-
512 x 8
-
内部
32-UFQFN 裸露焊盘
标准卷带
CY8C20424-12LQXIT
28
-40°C ~ 85°C(TA)
32-QFN(5x5)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
NuMicro™ Nano102
ARM® Cortex®-M0
32-位
32MHz
I²C,IrDA,LIN,智能卡,SPI,UART/USART
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
-
4K x 8
A/D 7x12b
内部
48-LQFP
-
NANO102LB1AN
40
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
LC4032ZC-5TN48C
系统内可编程
32
TJ
表面贴装
48-TQFP(7x7)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N79
8051
8-位
24MHz
EBI/EMI,I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
44-LCC(J 形引线)
-
N79E352RAPG
36
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
N79E825ASG
18
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N79
8051
8-位
24MHz
EBI/EMI,I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
8KB(8K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
40-DIP(0.600",15.24mm)
-
N79E352RADG
32
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
16KB(16K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
-
N79E825ARG
18
-40°C ~ 85°C(TA)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
XC9536XL-10VQ44C
系统内可编程(最少 10,000 次编程/擦除循环)
34
0°C ~ 70°C(TA)
44-TQFP
44-VQFP(10x10)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
对比栏

1

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