|
R8C/2x/2J |
R8C |
16-位 |
8MHz |
LIN,SIO,UART/USART |
POR,PWM,电压检测,WDT |
2KB(2K x 8) |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
20-LSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
|
- |
R5F212J0SDSP#W4 |
|
12 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
M4A3-32/32-10VNC |
系统内可编程 |
32 |
TA |
表面贴装 |
|
44-TQFP(10x10) |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
20-DIP(0.300",7.62mm) |
|
- |
N79E824ADG |
|
18 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
I²C,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
4K x 8 |
512 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
|
- |
N79E854AWG |
|
25 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI,I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
44-LCC(J 形引线) |
|
- |
N79E352APG |
|
36 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
W79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
- |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
128 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
|
- |
W79E8213RARG |
|
18 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI |
LED,WDT |
4KB(4K x 8) |
掩模 ROM |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
44-BQFP |
|
- |
W78L801A24FL |
|
36 |
0°C ~ 70°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
W79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
- |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
4KB(4K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
128 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
|
- |
W79E8213RASG |
|
18 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI,I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
40-DIP(0.600",15.24mm) |
|
- |
N79E352ADG |
|
32 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI |
LED,WDT |
4KB(4K x 8) |
掩模 ROM |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
44-LCC(J 形引线) |
|
- |
W78L801A24PL |
|
36 |
0°C ~ 70°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LC4032ZC-75TN48C |
系统内可编程 |
32 |
TJ |
表面贴装 |
|
48-TQFP(7x7) |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
NuMicro M051™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI,I²C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
M054LDE |
|
40 |
-40°C ~ 105°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C,SPI |
LVD,POR,WDT |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
32-UFQFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
|
CY8C20424-12LQXIT |
|
28 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
32-QFN(5x5) |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
NuMicro™ Nano102 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C,IrDA,LIN,智能卡,SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NANO102LB1AN |
|
40 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LC4032ZC-5TN48C |
系统内可编程 |
32 |
TJ |
表面贴装 |
|
48-TQFP(7x7) |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI,I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
44-LCC(J 形引线) |
|
- |
N79E352RAPG |
|
36 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
|
- |
N79E825ASG |
|
18 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI,I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT |
8KB(8K x 8) |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
40-DIP(0.600",15.24mm) |
|
- |
N79E352RADG |
|
32 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C,UART/USART |
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT |
16KB(16K x 8) |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) |
|
- |
N79E825ARG |
|
18 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
|
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XC9536XL-10VQ44C |
系统内可编程(最少 10,000 次编程/擦除循环) |
34 |
0°C ~ 70°C(TA) |
|
44-TQFP |
44-VQFP(10x10) |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |