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64.80
Infineon IHW20N120R3 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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52.89
Infineon IKW08T120 N沟道 IGBT, 16 A, Vce=1200 V, 20kHz, 3引脚 TO-247封装
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105.60
Infineon IKW25N120H3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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109.38
Infineon IRG4PH50SPBF N沟道 IGBT, 57 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
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294.72
Infineon AUIRGPS4067D1 N沟道 IGBT, 240 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 Super-247封装
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109.44
Infineon IRG4PC50WPBF N沟道 IGBT, 55 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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6.30
ON Semiconductor TIG065E8-TL-H N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 1MHz, 8引脚 ECH封装
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13.89
ON Semiconductor NGTB03N60R2DT4G N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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14.25
STMicroelectronics STGP3HF60HD N沟道 IGBT, 7.5 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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14.82
Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
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15.84
STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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16.86
Fairchild Semiconductor FGD3N60UNDF N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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16.92
Infineon IKB06N60T N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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17.46
STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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17.88
ON Semiconductor NGTB05N60R2DT4G N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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18.03
ON Semiconductor NGTB15N60EG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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18.93
STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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19.59
Toshiba GT8G151,LQ(O N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 2.4μs, 8引脚 TSON封装
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19.77
ON Semiconductor NGTB15N60S1EG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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20.10
Infineon IKA08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 10.8 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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20.40
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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20.43
STMicroelectronics STGF10NC60KD N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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20.43
STMicroelectronics STGF6NC60HD N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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20.46
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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20.49
Infineon IKP08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 18 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
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20.88
Littelfuse NGB8245NT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=500 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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6.30
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型号
TIG065E8-TL-H
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6.30
ON Semiconductor TIG065E8-TL-H N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 1MHz, 8引脚 ECH封装
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TIG065E8-TL-H
150 A
±4V
-
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ECH
表面贴装
N
8
1MHz
单
2.9mm
2.3mm
0.9mm
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型号
NGTB03N60R2DT4G
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13.89
ON Semiconductor NGTB03N60R2DT4G N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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NGTB03N60R2DT4G
9 A
±20V
-
49 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
1MHz
单
6.73mm
6.22mm
2.38mm
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14.25
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STGP3HF60HD
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14.25
STMicroelectronics STGP3HF60HD N沟道 IGBT, 7.5 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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STGP3HF60HD
7.5 A
±20V
-
38 W
TO-220
通孔
N
3
-
单
10.4mm
4.6mm
15.75mm
-
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14.82
另提供行业标准包装
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型号
IRGS4607DPBF
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14.82
Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
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IRGS4607DPBF
11 A
±20V
-
58 W
D2PAK
表面贴装
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
-
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15.84
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型号
STGD5H60DF
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15.84
STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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STGD5H60DF
10 A
±20V
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83 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
-
单
6.6mm
6.2mm
2.4mm
-
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16.86
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型号
FGD3N60UNDF
¥
16.86
Fairchild Semiconductor FGD3N60UNDF N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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FGD3N60UNDF
6 A
±20V
-
60 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
-
单
6.6mm
6.1mm
2.3mm
-
¥
16.92
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型号
IKB06N60T
¥
16.92
Infineon IKB06N60T N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IKB06N60T
12 A
±20V
-
88 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
1MHz
单
10.31mm
9.45mm
4.57mm
-
¥
17.46
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型号
STGB10NC60KDT4
¥
17.46
STMicroelectronics STGB10NC60KDT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB10NC60KDT4
20 A
±20V
-
65 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
1MHz
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥
17.88
另提供行业标准包装
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型号
NGTB05N60R2DT4G
¥
17.88
ON Semiconductor NGTB05N60R2DT4G N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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NGTB05N60R2DT4G
16 A
±20V
-
56 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
1MHz
单
6.73mm
6.22mm
2.38mm
-
¥
18.03
另提供行业标准包装
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型号
NGTB15N60EG
¥
18.03
ON Semiconductor NGTB15N60EG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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NGTB15N60EG
30 A
±20V
-
117 W
TO-220
通孔
N
3
-
单
10.28mm
4.82mm
15.75mm
-
¥
18.93
另提供行业标准包装
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型号
STGD10NC60KDT4
¥
18.93
STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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STGD10NC60KDT4
20 A
±20V
-
-
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
-
单
6.6mm
6.2mm
2.4mm
-
¥
19.59
另提供行业标准包装
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型号
GT8G151,LQ(O
¥
19.59
Toshiba GT8G151,LQ(O N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 2.4μs, 8引脚 TSON封装
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GT8G151,LQ(O
150 A
±4V
-
830 mW
TSON
表面贴装
N
8
2.4µs
单
3.1mm
3.1mm
0.85mm
-
¥
19.77
另提供行业标准包装
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型号
NGTB15N60S1EG
¥
19.77
ON Semiconductor NGTB15N60S1EG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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NGTB15N60S1EG
30 A
±20V
-
117 W
TO-220
通孔
N
3
-
单
10.28mm
4.82mm
15.75mm
-
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20.10
另提供行业标准包装
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型号
IKA08N65H5XKSA1
¥
20.10
Infineon IKA08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 10.8 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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IKA08N65H5XKSA1
10.8 A
±20V
-
31.2 W
TO-220FP
通孔
N
3
1MHz
单
10.65mm
4.85mm
16.15mm
-
¥
20.40
另提供行业标准包装
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型号
IRGR4607DPBF
¥
20.40
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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IRGR4607DPBF
11 A
±30V
-
58 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
8 → 30kHz
单
6.73mm
6.22mm
2.39mm
-
¥
20.43
另提供行业标准包装
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型号
STGF10NC60KD
¥
20.43
STMicroelectronics STGF10NC60KD N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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STGF10NC60KD
9 A
±20V
-
25 W
TO-220FP
通孔
N
3
1MHz
单
10.4mm
4.6mm
16.4mm
-
¥
20.43
另提供行业标准包装
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型号
STGF6NC60HD
¥
20.43
STMicroelectronics STGF6NC60HD N沟道 IGBT, 6 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
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STGF6NC60HD
6 A
±20V
-
20 W
TO-220FP
通孔
N
3
1MHz
单
10.4mm
4.6mm
16.4mm
-
¥
20.46
另提供行业标准包装
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型号
IRGR4607DPBF
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20.46
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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IRGR4607DPBF
11 A
±20V
-
58 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
9.65mm
4.83mm
-
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20.49
另提供行业标准包装
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型号
IKP08N65H5XKSA1
¥
20.49
Infineon IKP08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 18 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
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IKP08N65H5XKSA1
18 A
±20V
-
70 W
TO-220AB
通孔
N
3
1MHz
单
10.36mm
4.57mm
15.95mm
-
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20.88
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NGB8245NT4G
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Littelfuse NGB8245NT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=500 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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NGB8245NT4G
50 A
500V
-
150 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
9.65mm
10.29mm
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