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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114TPDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5216DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 35A ATPAK
京电港自营
自营
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ATP212-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
35A（Ta）
4V，10V
-
34.5nC @ 10V
1820pF @ 20V
40W（Tc）
23 毫欧 @ 18A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
3 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC113EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5312DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
京电港自营
自营
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2 PNP（双）
BC858CDXV6T5G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30V
100mA
500mW
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
160 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA114TDXV6T5
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5112DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
京电港自营
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7 NPN 达林顿
MC1413DR2
-
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
500mA
-
1.6V @ 500µA，350mA
-
1000 @ 350mA，2V
-
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5237DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5137DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 400V 30W TO220
京电港自营
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TIG056BF
-
通孔
TO-220FI（LS）
TO-220-3 整包
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
430V
-
240A
5V @ 15V，240A
30W
-
标准
46ns/140ns
320V，240A，10 欧姆，15V
150°C（TJ）
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323
京电港自营
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150MHz
200mW
70 @ 1mA，10V
30mA
NPN
MSC3930-BT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C（TJ）
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
京电港自营
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1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
-
-
-
-
-
-
-
NSTB1004DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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