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最高工作温度
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产品认证
W25Q16JVSNIQ/TUBE
表面贴装
-
-
-
16Mbit
串行
SOIC
8
2M x 8
2.7 V
3.6 V
2M
8Bit
5 x 4 x 1.5mm
4mm
-40 °C
85 °C
5mm
1.5mm
-
-
W25Q16JVSNIQ/TUBE
表面贴装
-
-
-
16Mbit
串行
SOIC
8
2M x 8
2.7 V
3.6 V
2M
8Bit
5 x 4 x 1.5mm
4mm
-40 °C
85 °C
5mm
1.5mm
-
-
W25Q32JVZPIQ/TUBE
表面贴装
-
-
-
32Mbit
SPI
WSON
8
4M x 8
2.7 V
3.6 V
4M
8Bit
6.1 x 5.1 x 0.75mm
5.1mm
-40 °C
85 °C
6.1mm
0.75mm
-
-
W74M32FVSSIQ/TUBE
表面贴装
-
-
-
32Mbit
SPI
SOIC
8
4M x 8
2.7 V
3.6 V
4M
8Bit
5.38 x 5.38 x 1.91mm
5.38mm
-40 °C
85 °C
5.38mm
1.91mm
-
-
W25Q64JVZPIQ/TUBE
表面贴装
-
-
-
64Mbit
SPI
WSON
8
8M x 8
2.7 V
3.6 V
8M
8Bit
6.1 x 5.1 x 0.75mm
5.1mm
-40 °C
85 °C
6.1mm
0.75mm
-
-
W74M64FVSSIQ/TUBE
表面贴装
-
-
-
64Mbit
SPI
SOIC
8
8M x 8
2.7 V
3.6 V
8M
8Bit
5.38 x 5.38 x 1.91mm
5.38mm
-40 °C
85 °C
5.38mm
1.91mm
-
-
W25Q128JVSIQ/TUBE
表面贴装
-
-
-
128Mbit
SPI
SOIC
8
16M x 8
2.7 V
3.6 V
16M
8Bit
5.38 x 5.38 x 1.91mm
5.38mm
-40 °C
85 °C
5.38mm
1.91mm
-
-
W74M64FVSSIQ/TUBE
表面贴装
-
-
-
64Mbit
SPI
SOIC
8
8M x 8
2.7 V
3.6 V
8M
8Bit
5.38 x 5.38 x 1.91mm
5.38mm
-40 °C
85 °C
5.38mm
1.91mm
-
-
¥42.87
自营
W9825G6KH-5
-
易失
DRAM
SDRAM
256Mb (16M x 16)
-
5ns
并联
3 V ~ 3.6 V
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
54-TSOP II
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥43.74
自营
W9412G6KH-5I
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR
128Mb (8M x 16)
15ns
50ns
并联
2.3 V ~ 2.7 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽)
66-TSOP II
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥43.74
自营
W9812G6KH-6I
-
易失
DRAM
SDRAM
128Mb (8M x 16)
-
5ns
并联
3 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
54-TSOP II
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥44.97
自营
W987D6HBGX6E TR
-
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPSDR
128Mb (8M x 16)
15ns
5.4ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-25°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
54-TFBGA
54-VFBGA(8x9)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥44.97
自营
W987D6HBGX7E TR
-
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPSDR
128Mb (8M x 16)
15ns
5.4ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-25°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
54-TFBGA
54-VFBGA(8x9)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥44.97
自营
W947D6HBHX6E TR
-
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR
128Mb (8M x 16)
15ns
5ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-25°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
60-TFBGA
60-VFBGA(8x9)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥45.09
自营
W9725G6KB-18
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
256Mb (16M x 16)
15ns
350ps
并联
1.7 V ~ 1.9 V
0°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
84-TFBGA
84-WBGA(8x12.5)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
W25Q256JVFIQ TR
SpiFlash®
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb (32M x 8)
3ms
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥45.72
自营
W9712G6KB25I TR
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
128Mb (8M x 16)
15ns
400ps
并联
1.7 V ~ 1.9 V
-40°C ~ 95°C(TC)
表面贴装
84-TFBGA
84-TFBGA(8x12.5)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥45.96
自营
W947D6HBHX6E
-
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR
128Mb (8M x 16)
15ns
5ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-25°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
60-TFBGA
60-VFBGA(8x9)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥45.96
自营
W987D6HBGX6E
-
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPSDR
128Mb (8M x 16)
15ns
5.4ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-25°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
54-TFBGA
54-VFBGA(8x9)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥46.08
自营
W987D2HBJX6E TR
-
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPSDR
128Mb (4M x 32)
15ns
5.4ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-25°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
90-TFBGA
90-VFBGA(8x13)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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