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容差
反向漏电流
正向电压
整流器类型
最大连续正向电流
最大正向电压降
速度
峰值反向电流
工作温度
产品类型
技术类型
峰值反向重复电压
峰值平均正向电流
峰值正向电压
产品包装
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
产品系列
不同 Vr,F 时的电容
电容比
电容比条件
最大峰值反向电压
二极管类型
不同 Vr,F 时的 Q 值
安装类型
封装类型
原产地
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
ZXTC6717MCTA
NPN,PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
4.5A,4A
15V,12V
310mV @ 50mA,4.5A / 310mV @ 150mA,4A
100nA
200 @ 3A,2V / 180 @ 2.5A,2V
1.7W
120MHz,110MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
ZXM61N02FTC
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
表面贴装
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.7V,4.5V
700mV @ 250µA
3.4nC @ 4.5V
160pF @ 15V
±12V
-
625mW(Ta)
180 毫欧 @ 930mA,4.5V
-
标准
5A
1.15V @ 5A
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
10µA @ 400V
-65°C ~ 150°C
S5GC-13-F
SMC
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
-
40pF @ 4V,1MHz
表面贴装
DO-214AB,SMC
-
±5%
100nA @ 12V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
MMBZ5246BW-7-F
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
-
DMN601VKQ-7
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
表面贴装
-
-
250mW
2 个 N 沟道(双)
标准
60V
305mA
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
标准
300mA(DC)
1.25V @ 150mA
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
2.5µA @ 75V
-65°C ~ 150°C
BAL99-7
SOT-23
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2pF @ 0V,1MHz
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
-
±6%
100nA @ 15.4V
900mV @ 10mA
-65°C ~ 150°C
BZT52C22S-7-F
SOD-323
SC-76,SOD-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
-
DMN5L06V-7
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
-
150mW
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
50V
280mA
3 欧姆 @ 200mA,2.7V
1.2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
肖特基
2A
450mV @ 2A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
1.5mA @ 30V
-65°C ~ 125°C
PD3S230L-7
PowerDI™ 323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
40pF @ 10V,1MHz
表面贴装
PowerDI™ 323
-
ZTX651
NPN
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
通孔
-
-
2A
60V
500mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
-
1W
175MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
2N7002E-7-F
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
表面贴装
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.22nC @ 4.5V
50pF @ 25V
±20V
-
370mW(Ta)
3 欧姆 @ 250mA,10V
-
ZC934ATA
SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
25pF @ 4V,50MHz
-
-
12V
单一
80 @ 4V,50MHz
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
-
ZXTP19060CFFTA
PNP
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
表面贴装
-
-
4A
60V
270mV @ 400mA,4A
50nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
1.5W
180MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
DMP2007UFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
表面贴装
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,10V
1.3V @ 250µA
85nC @ 10V
4621pF @ 10V
±12V
-
2.3W(Ta)
5.5 毫欧 @ 15A,10V
-
标准
1.5A
1.15V @ 1.5A
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
5µA @ 1000V
-65°C ~ 150°C
S2M-13-F
SMB
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
-
20pF @ 4V,1MHz
表面贴装
DO-214AA,SMB
-
DDTC114ECA-7
NPN - 预偏压
10k
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
10k
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
5µA @ 400V
单相
标准
400V
8A
1V @ 4A
管件
GBJ804-F
GBJ
4-SIP,GBJ
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
通孔
-
DDC122TH-7
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
220
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
-
200MHz
150mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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