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产品系列
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封装类型
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等级
原厂标准交货期
产品类型
技术类型
峰值反向重复电压
峰值平均正向电流
峰值正向电压
产品包装
配置
功率 - 最大值
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
供应商器件封装
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
晶体管类型
最大集电极电流
基底电阻器
发射极基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
参考类型
输出类型
电压输出
最大电压输出
电流输出
温度系数
噪声0.1Hz至10Hz
噪声10Hz至10Hz
电流阴极
阻抗（最大值）(Zzt)
¥1.65
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB
京电港自营
自营
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S1MB-13-F
-65°C ~ 150°C
表面贴装
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
标准
1A
1.1V @ 1A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5µA @ 1000V
10pF @ 4V，1MHz
DO-214AA，SMB
7 周
SMB
¥10.29
Diodes Incorporated QZX363C5V6-7-F {id:1 µA @ 2 V,value:1 µA @ 2 V 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
京电港自营
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QZX363C5V6-7-F
-
-65°C ~ 150°C
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel® 得捷定制卷带
±5%
2 对共阳极
200 mW
{id:1 µA @ 2 V,value:1 µA @ 2 V
5.6 V
{id:900 mV @ 10 mA,value:900 mV @ 10 mA
SOT-363
40 Ohms
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
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DDTC123EUA-7
250MHz
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-323
NPN - 预偏压
100mA
2.2k
2.2k
20 @ 20mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
200mW
¥47.58
Diodes 二极管-桥式整流器 RECT BRIDGE GPP 800V 20A GBJ
京电港自营
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GBJ2008-F
通孔
4-SIP，GBJ
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10µA @ 800V
6 周
单相
标准
800V
20A
1.05V @ 10A
管件
GBJ
¥9.51
Diodes TVS 二极管 DIODE 185VWM 328VC DO15
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¥1.44
Diodes Incorporated DCX143ZU-13R-F 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
京电港自营
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DCX143ZU-13R-F
Automotive, AEC-Q101
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
卷带（TR）
200mW
47 千欧
4.7 千欧
500nA
250MHz
SOT-363
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
¥2.01
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 20V 1A SOT-223
京电港自营
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DCP69A-16-13
-
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
SOT-223
1A
20V
500mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
85 @ 500mA，1V
1W
250MHz
PNP
¥9.90
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT323
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DMP32D4SW-7
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
SOT-323
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
1.2nC @ 10V
51.16pF @ 15V
±20V
-
300mW（Ta）
2.4 欧姆 @ 500mA，10V
¥7.11
Diodes 晶体 CRYSTAL 40.0000MHZ 10PF SMD
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FL400WFMR1
SaRonix-eCera™ FL
MHz 晶体
40MHz
±10ppm
10pF
40 欧姆
基谐
-20°C ~ 85°C
表面贴装
4-SMD，无引线
0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）
0.031"（0.78mm）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±10ppm
-
¥6.87
Diodes 电压基准 IC VREF SHUNT 3.3V SOT23-3
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ZXRE330ASA-7
-
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±0.5%
16 周
SOT-23
分流器
固定
3.3V
-
5mA
150ppm/°C
-
55µVrms
2µA
¥11.49
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE RECT SB 40V 1A SOD123F
京电港自营
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1N5819HW1-7-F
-55°C ~ 125°C
表面贴装
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SBR®
超级势垒
1A
510mV @ 1A
快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
500µA @ 40V
30pF @ 10V，1MHz
SOD-123F
SOD-123F
¥1.32
Diodes 二极管-齐纳-单 DIODE ZENER 6V 200MW SOT323
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MMBZ5233BW-7-F
-
-65°C ~ 150°C
表面贴装
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±5%
5µA @ 3.5V
900mV @ 10mA
SOT-323
¥9.48
Diodes 电压基准 IC VREF SHUNT ADJ 10-DFN2626P
京电港自营
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ZXRD060FK-7
-
-40°C ~ 125°C（TA）
表面贴装
10-UFDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±1%
16 周
U-DFN2626-10
分流器， 双
可调式
0.2V
18V
15mA
-
-
-
300µA
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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DDTD142JU-7
200MHz
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SOT-323
NPN - 预偏压
500mA
470
10k
56 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200mW
¥7.68
Diodes 二极管-齐纳-阵列 DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT363
京电港自营
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BZX84C8V2S-7
-
-65°C ~ 150°C
表面贴装
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
±6%
2 个独立式
200mW
700nA @ 5V
900mV @ 10mA
SOT-363
¥10.38
Diodes TVS 二极管 DIODE 15VWM 24.4VC SMA
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¥2.25
Diodes TVS 二极管 DIODE 36VWM 58.1VC DFLAT
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¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26
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DMN5L06DMKQ-7
-
表面贴装
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
SOT-26
400mW
2 个 N 沟道（双）
标准
50V
305mA
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
-
50pF @ 25V
¥16.23
Diodes 二极管-整流器-单 DIODE SBR 150V 2A SMA
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SBR2U150SA-13
-65°C ~ 175°C
表面贴装
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SBR®
超级势垒
2A
800mV @ 2A
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
75µA @ 150V
-
DO-214AC，SMA
7 周
SMA
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8
京电港自营
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ZDT717TC
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2.5A
12V
220mV @ 50mA，2.5A
100nA
300 @ 100mA，2V
2.5W
110MHz
2 PNP（双）

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