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峰值正向电压
峰值反向电流
产品包装
配置
容差
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
应用
产品系列
不同 Vr，F 时的电容
电容比
电容比条件
最大峰值反向电压
二极管类型
不同 Vr，F 时的 Q 值
封装类型
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
电压导通
电压断态
电流峰值脉冲（8/20μs）
电流峰值脉冲（10/1000μs）
电容
安装类型
原产地
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
阻抗（最大值）(Zzt)
功能
标准
控制接口
电压 - 供电
¥5.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
ZVN3306FTA
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
35pF @ 18V
±20V
-
330mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
-
询价
Diodes 变容器，可变电抗器 DIODE VARACTOR 12V SOD323
京电港自营
自营
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ZMV934ATC
SOD-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
25pF @ 4V，50MHz
-
-
12V
单一
80 @ 4V，50MHz
SC-76，SOD-323
表面贴装
-
¥2.25
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0806-3
京电港自营
自营
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-
BC857BFA-7B
PNP
3-XFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
45V
500mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
435mW
340MHz
表面贴装
-
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
DMT3006LDK-7
V-DFN3030-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
1.1W（Ta）
6.5 毫欧 @ 12A，10V
表面贴装
-
¥36.30
Diodes 振荡器 OSC XO 125.000MHZ CMOS SMD
京电港自营
自营
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XO（标准）
CMOS
3.3V
±50ppm
-20°C ~ 70°C
0.061"（1.55mm）
20mA
0.276" 长 x 0.197" 宽（7.00mm x 5.00mm）
SaRonix-eCera™ ASSP XO™
FNEPON125
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4-SMD，无引线
表面贴装
-
¥25.50
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 30V 5A E-LINE
京电港自营
自营
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-
ZTX849
NPN
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5A
30V
220mV @ 200mA，5A
50nA（ICBO）
100 @ 1A，1V
1.2W
100MHz
通孔
-
¥1.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
DMG3418L-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
表面贴装
-
¥2.19
Diodes TVS 二极管 DIODE 12VWM 28VC SOD523
京电港自营
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¥1.44
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
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DDTC123JE-7-F
NPN - 预偏压
47k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
100mA
2.2k
80 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
¥83.82
Diodes Incorporated PI7VD9008ABHFDIE 专业视频 128-LQFP
京电港自营
自营
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表面贴装型
-
PI7VD9008ABHFDIE
128-LQFP（14x14）
128-LQFP
托盘
专业视频
表面贴装型
解码器
NTSC，PAL
GPIO，I²C，I²S
-
¥43.95
Diodes 二极管-桥式整流器 RECT BRIDGE GPP 100V 25A GBJ
京电港自营
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单相
标准
100V
25A
1.05V @ 12.5A
10µA @ 100V
管件
GBJ2501-F
GBJ
4-SIP，GBJ
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
通孔
-
¥13.02
Diodes TVS 二极管 DIODE 13.6VWM 22.5VC DO201A
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询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
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DDTA143TKA-7-F
PNP - 预偏压
-
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
4.7k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，2.5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
¥1.89
Diodes Incorporated MMBZ5240BS-7-F {id:3 µA @ 8 V,value:3 µA @ 8 V 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
京电港自营
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-65°C ~ 150°C
-
2 个独立式
±5%
{id:3 µA @ 8 V,value:3 µA @ 8 V
10 V
{id:900 mV @ 10 mA,value:900 mV @ 10 mA
MMBZ5240BS-7-F
200 mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
卷带（TR）
表面贴装型
17 Ohms
询价
Diodes 二极管-桥式整流器 RECT BRIDGE GPP 600V 25A GBPC
京电港自营
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单相
标准
600V
25A
1.1V @ 12.5A
5µA @ 600V
托盘
GBPC2506
GBPC
4-方形，GBPC
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
QC 端子
-
¥23.01
Diodes 晶闸管 表面贴装 THYRISTOR PROTECT BIDIR 50A SMB
京电港自营
自营
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TB0640M-13-F
DO-214AA，SMB
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
77V
58V
250A
50A
140pF
表面贴装
-
¥3.06
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 1A SOT-223
京电港自营
自营
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-
DCP51-13
PNP
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1A
45V
500mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
40 @ 150mA，2V
1W
200MHz
表面贴装
-
¥6.09
Diodes Incorporated UMC5N-7 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
京电港自营
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-
UMC5N-7
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
47 千欧，10 千欧
47 千欧，4.7 千欧
500nA
250MHz
150mW
SOT-353
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel® 得捷定制卷带
¥9.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
京电港自营
自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
-
DMN3070SSN-7
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
含铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±20V
-
780mW（Ta）
40 毫欧 @ 4.2A，10V
表面贴装
-
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
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DDC122TU-7-F
2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
220
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
-
200MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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