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容差
反向漏电流
正向电压
整流器类型
峰值反向重复电压
最大连续正向电流
最大正向电压降
速度
不同 Vr,F 时的电容
安装类型
封装类型
工作温度
原产地
产品类型
技术类型
峰值平均正向电流
峰值正向电压
峰值反向电流
产品包装
配置
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
阻抗(最大值)(Zzt)
-
±5%
表面贴装
-65°C ~ 150°C
-
2 个独立式
3µA @ 6.5V
900mV @ 10mA
MMBZ5237BS-7-F
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MMBZ5221BTW~MMBZ5262BTW
±5%
表面贴装型
-55°C ~ 150°C(TJ)
3 个独立式
3.9 V
MMBZ5228BTW_R1_00001
200 mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
23 Ohms
AZ23-G
±5%
表面贴装型
-55°C ~ 150°C
1 对共阳极
3.6 V
AZ23C3V6-G3-18
300 mW
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
卷带(TR)
95 Ohms
-
±5%
3µA @ 7V
900mV @ 10mA
表面贴装
-65°C ~ 150°C
-
MMBZ5239BW-7-F
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
50V
通孔
-
单相
标准
2A
1.1V @ 2A
5µA @ 50V
管件
KBP2005G
KBP
4-SIP,KBP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
AZ23
±5%
表面贴装型
-55°C ~ 150°C
1 对共阳极
{id:100 nA @ 38 V,value:100 nA @ 38 V
51 V
AZ23C51-E3-08
300 mW
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
卷带(TR)
100 Ohms
AZ23
±2%
表面贴装型
-55°C ~ 150°C
1 对共阳极
{id:100 nA @ 17 V,value:100 nA @ 17 V
22 V
AZ23B22-E3-18
300 mW
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
卷带(TR)
55 Ohms
800V
QC 端子
-
单相
标准
35A
1.1V @ 17.5A
5µA @ 800V
托盘
GBPC3508
GBPC
4-方形,GBPC
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
Automotive, AEC-Q101, AZ23
±2%
表面贴装型
-55°C ~ 150°C
1 对共阳极
{id:100 nA @ 3 V,value:100 nA @ 3 V
6.8 V
AZ23B6V8-HE3-08
300 mW
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
卷带(TR)
8 Ohms
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
DMN3018SSS-13
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1.4W(Ta)
21 毫欧 @ 10A,10V
-
-
100nA @ 30V
1.1V @ 200mA
通孔
200°C
-
1N5259TA
DO-35
DO-204AH,DO-35,轴向
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
AZ23-G
±2%
表面贴装型
-55°C ~ 150°C
1 对共阳极
{id:100 nA @ 7 V,value:100 nA @ 7 V
9.1 V
AZ23B9V1-G3-08
300 mW
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
卷带(TR)
10 Ohms
DTC143XETL
NPN - 预偏压
50V
30 @ 10mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
EMT3
SC-75,SOT-416
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥124.89
自营
标准
50V
200mA
1V @ 200mA
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
-
通孔
DO-204AH,DO-35,轴向
-65°C ~ 175°C
-
JANTXV1N4150-1
散装
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
DMP6023LSS-13
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
53.1nC @ 10V
2569pF @ 30V
±20V
-
1.2W(Ta)
25 毫欧 @ 5A,10V
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
DMN3030LSS-13
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
25nC @ 10V
741pF @ 15V
±25V
-
2.5W(Ta)
18 毫欧 @ 9A,10V
-
±6%
表面贴装型
-65°C ~ 150°C
3 个独立式
{id:5 µA @ 1 V,value:5 µA @ 1 V
3.3 V
{id:900 mV @ 10 mA,value:900 mV @ 10 mA
BZX84C3V3TS-7-F
200 mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
卷带(TR)
95 Ohms
DTDG23YPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA,2V
400mV @ 5mA,500mA
500nA
80MHz
1.5W
MPT3
TO-243AA
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-
±5%
50µA @ 950mV
1.1V @ 200mA
通孔
200°C
-
1N5225BTA
DO-35
DO-204AH,DO-35,轴向
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
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