一、概述：
KC-1型可控硅测试仪，是一种新颖的全数字显示式多功能可控硅参数测试装置，它可以测量各种大小功率的单双向可控硅（晶闸管），小至TO-92、TO-126、TO-220、TO-3P等封装的单双向可控硅，大至1000A 的平板型可控硅、螺栓型可控硅和各种组合模块，可以测量触发电流IGT、触发电压VGT、断态不重复峰值电VDSM、反向不重复峰值电压VRSM等可控硅主要参数，该仪器主要用于可控硅使用厂家对可控硅元件的质量检验、参数的配对、可控硅设备的维修之用。仪器还可以用于其它电子元器件的高低压耐压测试，如：大中小功率的二极管、三极管、场效应管的耐压，压敏电阻的电压值，触发二极管的转折电压等。
二、主要应用范围：
1、可以测量0.5A-1000A 以下的单双向可控硅及各种可控硅模块的IGT、VGT、VDSM、VRSM 。
2、可以测量可控硅专用的双向触发二极管的转折电压。
3、可以测量各种大小功率的二极管、三极管、稳压管、场效应管、IGBT及各种模块的击穿电压。
4、可以测量各种大小功率的压敏电阻、放电管等的击穿电压。
5、可以测量非电解类小容量电容器的耐压（尤其可以测量4KV以下的小容量高压电容）。
6、一般可控硅测试采用0-4KV等级的仪器已能满足要求，若有其它特殊要求可以定制最高达0-12KV的仪器。
三、主要技术参数：
1、触发电压VGT测量范围： 0—5V ， 精度 ≤2.5%。
2、触发电流IGT 测量范围： 0—19.99mA ，0—199.9mA ， （分两档） 精度 ≤2.5%。
3、可控硅耐压参数测试用高压输出和测量范围： 0—2KV、 0—4KV ，（分两档） 精度 ≤2.5% 。
4、其它电子原器件耐压测试用高压输出和测量范围： 0—2KV、 0—4KV 。
该测试仪是我根据几十年丰富的实践经验自行研究设计制造，
其特点是：1、实用性强 。2、测量范围广。3、使用方便。4、采用一种特殊的可调恒压限流电源可确保
在测试耐压的过程中不易损坏被测器件。
测试实例
一、平板型大功率可控硅（晶闸管）的测试
二、螺栓型中大功率可控硅（晶闸管）的测试
三、利用塑封管测试架可以测量从TO-92到TO-3P等各种封装的可控硅
四、塑封中小功率可控硅（晶闸管）的测试
五、可控硅（晶闸管）模块的测试
注：若完全用于塑封管测试时请选择KC-2可控硅测试仪
KC-2型可控硅测试仪
MOS-1型功率场效应管测试仪
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