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电容器数目
¥8.94
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 2917
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
NOJD107M006RWJ
OxiCap
100µF
±20%
6%
D
-
2917（7343 公制）
-55°C ~ 105°C
2917（7343 公制）
2917（7343 公制）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥4310.10
新产品AVX 250V dc 0.1pF 聚合体 多层有机电容器 (MLOC) ML03V10R1BAT2A, ±0.1pF容差, 表面安装器件
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
ML03V10R1BAT2A
±0.1pF
1.6 x 0.838 x 0.635 mm
-
0±30ppm/°C
表面贴装
0603 (1608M)
0.1 pF
250 V 直流
聚合体
-55 → 125 °C
0.84 mm
0.64 mm
1.6 mm
125°C
-55°C
-0.1pF
0.1pF
¥6.33
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXIDE 47UF 20% 10V 2312
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
NOJC476M010SWJ
OxiCap
47µF
±20%
6%
C
-
2312（6032 公制）
-55°C ~ 105°C
2312（6032 公制）
2312（6032 公制）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥55.38
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXID 1000UF 20% 4V 2924
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
NOJV108M004RWJ
OxiCap
1000µF
±20%
18%
V
-
2924（7361 公制）
-55°C ~ 105°C
2924（7361 公制）
2924（7361 公制）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
¥11.82
新产品AVX NOS 系列 NOSC686M006R0200 6.3V dc 68μF, ±20% 容差, 0.2Ω ESR, 6032-28封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
NOSC686M006R0200
±20%
6%
6 x 3.2 x 2.6 mm
-
-
-
-
表面贴装
6032-28
-
125°C
-55°C
0.2Ω
8.2 μA
¥6.30
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXIDE 10UF 20% 4V 1206
京电港自营
自营
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NOJS106M004RWJ
OxiCap
10µF
±20%
8%
S
-
1206（3216 公制）
-55°C ~ 105°C
1206（3216 公制）
1206（3216 公制）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥5.67
AVX 250V dc 0.8pF 聚合体 多层有机电容器 (MLOC) ML03V10R8BAT2A, ±0.1pF容差, 表面安装器件
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
ML03V10R8BAT2A
±0.1pF
1.6 x 0.838 x 0.635 mm
-
0±30ppm/°C
表面贴装
0603 (1608M)
0.8 pF
250 V 直流
聚合体
-55 → 125°C
0.84 mm
0.64 mm
1.6 mm
125°C
-55°C
-0.1pF
0.1pF
¥3.15
AVX W3A 系列 100V dc 10nF 电容器阵列 W3A41C103K4T2A, X7R电介质, ±10%容差, SMT
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
W3A41C103K4T2A
±10%
-
-
-
-
W3A
表面贴装
0612 (1632M)
10 nF
100 V DC
X7R
125°C
-55°C
4
¥38.49
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXI 470UF 20% 2.5V 2917
京电港自营
自营
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NOSD477M002R0100
OxiCap
470µF
±20%
-
D
低 ESR
2917（7343 公制）
-55°C ~ 125°C
2917（7343 公制）
2917（7343 公制）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥17.55
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXI 220UF 20% 6.3V 2917
京电港自营
自营
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NOJY227M006RWJ
OxiCap
220µF
±20%
10%
Y
-
2917（7343 公制）
-55°C ~ 105°C
2917（7343 公制）
2917（7343 公制）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥162.99
AVX NOS 系列 NOSD227M004R0100 4V dc 220μF, ±20% 容差, 0.1Ω ESR, 7343-31封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
NOSD227M004R0100
±20%
8%
7.3 x 4.3 x 2.9 mm
-
-
-
-
表面贴装
7343-31
-
125°C
-55°C
0.1Ω
17.6 μA
¥4.65
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXID 33UF 20% 6.3V 1210
京电港自营
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NOJB336M006RWB
OxiCap
33µF
±20%
6%
B
-
1411 (3528 Metric), 1210
-55°C ~ 105°C
1210（3528 公制）
1411 (3528 Metric), 1210
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥4.29
滤波器 馈通式电容器 CAP FEEDTHRU 0.047UF 50V 0805
京电港自营
精品 自营
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W2F15C4738AT1F

-20%， 50%
-55°C ~ 125°C
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
W2F
50V
300mA
600 毫欧
-
X7R
AEC-Q200
表面贴装
0805（2012 公制），4 PC 板
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.01mm x 1.25mm）
¥1869.30
新产品AVX W2A 系列 10V dc 100nF 电容器阵列 W2A4ZC104MAT2A, X7R电介质, ±20%容差, SMT
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
W2A4ZC104MAT2A
±20%
-
-
-
-
W2A
表面贴装
0508 (1220M)
100 nF
10 V DC
X7R
125°C
-55°C
4
¥36.42
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 2917
京电港自营
自营
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NOSX107M004R0100
OxiCap
100µF
±20%
6%
X
低 ESR
2917（7343 公制）
-55°C ~ 125°C
2917（7343 公制）
2917（7343 公制）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥3895.20
新产品AVX 250V dc 2.1pF 聚合体 多层有机电容器 (MLOC) ML03V12R1BAT2A, ±0.1pF容差, 表面安装器件
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
ML03V12R1BAT2A
±0.1pF
1.6 x 0.838 x 0.635 mm
-
0±30ppm/°C
表面贴装
0603 (1608M)
2.1 pF
250 V 直流
聚合体
-55 → 125 °C
0.84 mm
0.64 mm
1.6 mm
125°C
-55°C
-0.1pF
0.1pF
¥5.79
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXID 10UF 20% 6.3V 1206
京电港自营
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NOSA106M006S0800
OxiCap
10µF
±20%
6%
A
低 ESR
1206（3216 公制）
-55°C ~ 125°C
1206（3216 公制）
1206（3216 公制）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥2.19
电容器 电容器网络，阵列 CAP ARRAY 100PF 100V NP0 0612
京电港自营
精品 自营
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陶瓷
隔离
W3A41A101KAT2A
±10%
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
IPC
C0G，NP0
-
表面贴装
0612（1632 公制）
0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm）
¥2.19
AVX W3A 系列 100V dc 10pF 电容器阵列 W3A41A100KAT2A, C0G电介质, ±10%容差, SMT
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
W3A41A100KAT2A
±10%
-
-
-
-
W3A
表面贴装
0612 (1632M)
10 pF
100 V DC
C0G
125°C
-55°C
4
¥38.34
AVX 氧化铌电容器 CAP NIOB OXID 68UF 20% 6.3V 2917
京电港自营
自营
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NOSY686M006R0100
OxiCap
68µF
±20%
6%
Y
低 ESR
2917（7343 公制）
-55°C ~ 125°C
2917（7343 公制）
2917（7343 公制）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周

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