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¥58.59
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8UDFN
京电港自营
自营
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AT45DB321E-MHF-T
非易失
闪存
FLASH
32Mb （528 字节 x 8192 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥22.83
Adesto 存储器 IC EEPROM 64KBIT 10MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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RM25C64DS-LSNI-B
非易失
EEPROM
EEPROM
64kb（32B 页面尺寸）
100µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥26.55
Adesto 存储器 IC FLASH 1MBIT 104MHZ 8TSSOP
京电港自营
自营
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AT25XE011-XMHN-T
非易失
闪存
FLASH
1Mb （128K x 8）
12µs，3ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
8-TSSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥15.12
Adesto 存储器 IC EEPROM 128KBIT 10MHZ 8TSSOP
京电港自营
自营
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RM25C128C-LTAI-T
非易失
EEPROM
EEPROM
128kb（64B 页面尺寸）
100µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
8-TSSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥65.19
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8VDFN
京电港自营
自营
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AT45DB321E-MWHF-T
非易失
闪存
FLASH
32Mb （528 字节 x 8192 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥14.82
Adesto 存储器 IC FLASH 2MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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AT25XE021A-SSHN-T
非易失
闪存
FLASH
2Mb （256K x 8）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥64.35
Adesto Technologies AT45DB321E-MWHF2B-T 闪存, 34603008bit (8192 页 x 512 字节), SPI接口, 7ns, 2.3 → 3.6 V
京电港自营
新品 自营
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AT45DB321E-MWHF2B-T
表面贴装
-
-
-
34603008Bit
SPI
VDFN
8
8192 页 x 512 字节
2.3 V
3.6 V
7ns
8192
8.1 x 6.1 x 0.95mm
6.1mm
-40 °C
85 °C
8.1mm
0.95mm
-
-
¥5.43
Adesto 存储器 IC EEPROM 256KBIT 1MHZ 8TSSOP
京电港自营
自营
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RM24C256C-LTAI-T
非易失
EEPROM
EEPROM
256kb（64B 页大小）
100µs，5ms
-
I²C
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
8-TSSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥85.59
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 8VDFN
京电港自营
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AT45DB641E-MWHN2B-T
非易失
闪存
FLASH
64Mb （256 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥29.82
Adesto 存储器 IC FLASH 2MBIT 70MHZ 8SOIC
京电港自营
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AT45DB021E-SHN2B-T
非易失
闪存
FLASH
2Mb （256 字节 x 1024 页）
8µs，3ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥13.50
Adesto 存储器 IC EEPROM 64KBIT 5MHZ 8SOIC
京电港自营
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RM25C64C-BSNC-B
非易失
EEPROM
EEPROM
64kb（32B 页面尺寸）
100µs，3ms
-
SPI
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥37.71
Adesto 存储器 IC FLASH 16MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
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AT45DB161E-SSHF-T
非易失
闪存
FLASH
16Mb （528 字节 x 4096 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥6.06
Adesto 存储器 IC EEPROM 256KBIT 10MHZ 8DFN
京电港自营
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RM25C256C-LMAI-T
非易失
EEPROM
EEPROM
256kb（64B 页大小）
100µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UDFN（2x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.00
Adesto 存储器 IC EEPROM 64KBIT 5MHZ 8SOIC
京电港自营
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RM25C64C-BSNC-T
非易失
EEPROM
EEPROM
64kb（32B 页面尺寸）
100µs，3ms
-
SPI
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥37.71
Adesto 存储器 IC FLASH 8MBIT 100MHZ 8SOIC
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AT25DL081-SSHN-T
非易失
闪存
FLASH
8Mb （256 字节 x 4096 页）
8µs，3ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥91.26
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8VDFN
京电港自营
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AT45DB321E-MWHF-Y
非易失
闪存
FLASH
32Mb （528 字节 x 8192 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥34.20
Adesto 存储器 IC FLASH 8MBIT 100MHZ 8SOIC
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AT25DL081-SSHN-B
非易失
闪存
FLASH
8Mb （256 字节 x 4096 页）
8µs，3ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥20.22
4MBIT,8-TSSOP,1.65-3.6V,T
京电港自营
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AT25DF041B-XMHN-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
8µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
8-TSSOP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥6.87
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 104MHZ 8SOIC
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AT25SF041-SHD-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
5µs，2.5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
33 周
¥32.37
Adesto 存储器 IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8UDFN
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AT25XE041B-MAHN-T
非易失
闪存
FLASH
4Mb （512K x 8）
8µs，2.75ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UDFN（2x3）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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