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¥64.35
Adesto Technologies AT45DB321E-MWHF2B-T 闪存, 34603008bit (8192 页 x 512 字节), SPI接口, 7ns, 2.3 → 3.6 V
京电港自营
新品 自营
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AT45DB321E-MWHF2B-T
表面贴装
-
-
-
34603008Bit
SPI
VDFN
8
8192 页 x 512 字节
2.3 V
3.6 V
7ns
8192
8.1 x 6.1 x 0.95mm
6.1mm
-40 °C
85 °C
8.1mm
0.95mm
-
-
¥65.19
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8VDFN
京电港自营
自营
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AT45DB321E-MWHF-T
非易失
闪存
FLASH
32Mb （528 字节 x 8192 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥65.19
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8VDFN
京电港自营
自营
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AT45DB321E-MWHF2B-T
非易失
闪存
FLASH
32Mb （512 字节 x 8192 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥65.43
Adesto 存储器 IC FLASH 16MBIT 66MHZ 24CBGA
京电港自营
自营
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AT45DB161D-CCU
非易失
闪存
FLASH
16Mb （528 字节 x 4096 页）
6ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
24-LBGA，CSPBGA
24-CBGA（8x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥71.70
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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AT45DB321E-SHF-B
非易失
闪存
FLASH
32Mb （528 字节 x 8192 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥75.27
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 100MHZ 8SOIC
京电港自营
自营
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AT25DF641A-SH-T
非易失
闪存
FLASH
64Mb （256 字节 x 32K 页）
30µs，6ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥76.92
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 8UDFN
京电港自营
自营
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AT45DB641E-MHN2B-T
非易失
闪存
FLASH
64Mb （256 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥77.34
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
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AT45DB641E-SHN-T
非易失
闪存
FLASH
64Mb （264 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥78.48
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 9UBGA
京电港自营
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AT45DB641E-CCUN-T
非易失
闪存
FLASH
64Mb （264 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
9-UBGA
9-UBGA（6x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥84.51
Adesto 存储器 IC FLASH 16MBIT 85MHZ 8SOIC
京电港自营
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AT45DQ161-SSHFHB-T
非易失
闪存
FLASH
16Mb （512 字节 x 4096 页）
8µs，6ms
-
SPI
-40°C ~ 105°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥85.59
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 8VDFN
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AT45DB641E-MWHN2B-T
非易失
闪存
FLASH
64Mb （256 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥85.65
Adesto Technologies AT45DB641E-MWHN-Y 闪存, 69206016bit (32768 页 x 256 字节), SPI接口, 7ns, 1.65 → 3.6 V
京电港自营
新品 自营
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AT45DB641E-MWHN-Y
表面贴装
-
-
-
69206016Bit
SPI
VDFN
8
32768 页 x 256 字节
1.65 V
3.6 V
7ns
32768
8.1 x 6.1 x 0.95mm
6.1mm
-40 °C
85 °C
8.1mm
0.95mm
-
-
¥91.26
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8VDFN
京电港自营
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AT45DB321E-MWHF-Y
非易失
闪存
FLASH
32Mb （528 字节 x 8192 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥92.19
Adesto 存储器 IC FLASH 32MBIT 85MHZ 8UDFN
京电港自营
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AT45DQ321-MHF-Y
非易失
闪存
FLASH
32Mb （528 字节 x 8192 页）
8µs，4ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥105.21
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 100MHZ 8SOIC
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AT25DF641A-SH-B
非易失
闪存
FLASH
64Mb （256 字节 x 32K 页）
30µs，6ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥108.24
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 8SOIC
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AT45DB641E-SHN-B
非易失
闪存
FLASH
64Mb （264 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥112.92
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 100MHZ 8UDFN
京电港自营
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AT25DF641A-MH-Y
非易失
闪存
FLASH
64Mb （256 字节 x 32K 页）
30µs，6ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-UDFN 裸露焊盘
8-UDFN（5x6）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥118.95
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 8SOIC
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AT45DB641E-SHN2B-T
非易失
闪存
FLASH
64Mb （256 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥119.67
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 8VDFN
京电港自营
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AT45DB641E-MWHN-Y
非易失
闪存
FLASH
64Mb （264 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
8-VDFN 裸露焊盘
8-VDFN（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥130.38
Adesto 存储器 IC FLASH 64MBIT 85MHZ 44WLCSP
京电港自营
自营
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AT45DB641E-UUN2B-T
非易失
闪存
FLASH
64Mb （256 字节 x 32K 页）
8µs，5ms
-
SPI
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
44-UFBGA, WLCSP
44-WLCSP（3.5x4.2）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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