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¥85.32
IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
京电港自营
自营
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W971GG6SB25I TR
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR2
1Gb （64M x 16）
15ns
400ps
并联
1.7 V ~ 1.9 V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
84-TFBGA
84-WBGA（8x12.5）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥84.87
IC Winbond 存储器 SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TFBGA
京电港自营
自营
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W9812G6JB-6I
-
易失
DRAM
SDRAM
128Mb （8M x 16）
-
5ns
并联
3 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
54-TFBGA
54-TFBGA（8x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥82.02
IC Winbond 存储器 PSRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
京电港自营
自营
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W967D6HBGX7I TR
-
易失
PSRAM
PSRAM（伪 SRAM）
128Mb （8M x 16）
-
70ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
54-VFBGA
54-VFBGA（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥82.02
IC Winbond 存储器 PSRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
京电港自营
自营
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W957D6HBCX7I TR
-
易失
PSRAM
PSRAM（伪 SRAM）
128Mb （8M x 16）
-
70ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C（TC）
表面贴装
54-VFBGA
54-VFBGA（6x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥83.46
IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
京电港自营
自营
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W631GG8KB15I TR
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
1Gb （128M x 8）
-
20ns
并联
1.425 V ~ 1.575 V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
78-TFBGA
78-WBGA（10.5x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥82.89
IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 56TSOP
京电港自营
自营
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W29GL256SL9T
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （16M x 16）
90ns
90ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP（14x20）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥82.89
IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 56TSOP
京电港自营
自营
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W29GL256SH9T
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （16M x 16）
90ns
90ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP（14x20）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥82.83
IC Winbond 存储器 FLASH 512MBIT 104MHZ 16SOIC Winbond 存储器
京电港自营
自营
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W25M512JVFIQ TR
SpiFlash®
非易失
闪存
FLASH - NOR
512Mb （64M x 8）
-
-
SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
16-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥82.71
IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA
京电港自营
自营
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W631GU6KB15I TR
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
1Gb （64M x 16）
-
20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
96-TFBGA
96-WBGA（9x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥82.71
IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
京电港自营
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W631GU6KB12I TR
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
1Gb （64M x 16）
-
20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
96-TFBGA
96-WBGA（9x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥82.71
IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA
京电港自营
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W631GU8KB15I TR
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
1Gb （128M x 8）
-
20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
78-TFBGA
78-WBGA（10.5x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥82.71
IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
京电港自营
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W631GG8KB12I TR
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
1Gb （128M x 8）
-
20ns
并联
1.425 V ~ 1.575 V
-40°C ~ 95°C（TC）
表面贴装
78-TFBGA
78-WBGA（10.5x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥81.24
IC Winbond 存储器 SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TFBGA
京电港自营
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W9812G6JB-6I TR
-
易失
DRAM
SDRAM
128Mb （8M x 16）
-
5ns
并联
3 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
54-TFBGA
54-TFBGA（8x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥79.68
IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 64LFBGA
京电港自营
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W29GL256SL9B
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （16M x 16）
90ns
90ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
64-LBGA
64-LFBGA（11x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥79.68
IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 64LFBGA
京电港自营
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W29GL256SH9B
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （16M x 16）
90ns
90ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
64-LBGA
64-LFBGA（11x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥78.99
IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 64LFBGA
京电港自营
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W29GL256PL9B TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （32M x 8，16M x 16）
90ns
90ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
64-LBGA
64-LFBGA（11x13）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥77.40
IC Winbond 存储器 SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
京电港自营
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W9425G6JB-5
-
易失
DRAM
SDRAM - DDR
256Mb （16M x 16）
15ns
55ns
并联
2.3 V ~ 2.7 V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装
60-TFBGA
60-TFBGA（13x8）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥76.08
IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 56TSOP
京电港自营
自营
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W29GL256PL9T TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （32M x 8，16M x 16）
90ns
90ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP（14x20）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥76.08
IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 56TSOP
京电港自营
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W29GL256PH9T TR
-
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb （32M x 8，16M x 16）
90ns
90ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
56-TSOP（14x20）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥75.99
IC Winbond 存储器 FLASH 2GBIT 25NS 63VFBGA
京电港自营
自营
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W29N02GVBIAF
-
非易失
闪存
FLASH - NAND （SLC）
2Gb （256M x 8）
25ns
25ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装
63-VFBGA
63-VFBGA（9x11）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周

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