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IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 200MHZ 60TFBGA
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IC Winbond 存储器 SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
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IC Winbond 存储器 FLASH 512MBIT 104MHZ 16SOIC Winbond 存储器
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IC Winbond 存储器 SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
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IC Winbond 存储器 SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
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Winbond W25M02GVZEIG/TUBE 闪存芯片, 2Gbit (256M x 8), 8引脚 WSON封装
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IC Winbond 存储器 SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA
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IC Winbond 存储器 FLASH 512MBIT 80MHZ 24TFBGA
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IC Winbond 存储器 SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA
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IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
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IC Winbond 存储器 SDRAM 2GBIT 933MHZ 96BGA
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IC Winbond 存储器 SDRAM 512MBIT 166MHZ 90BGA
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IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 64LFBGA
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IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 64LFBGA
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IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
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Winbond W25M512JVFIQ/TUBE 闪存芯片, 512Mbit (64M x 8), SPI接口, 16引脚 SOIC封装
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IC Winbond 存储器 SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA
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IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 56TSOP
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Winbond W74M64FVSSIQ/TUBE 闪存芯片, 64Mbit (8M x 8), SPI接口, 8引脚 SOIC封装
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W631GU6KB-12
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IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
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W631GU6KB-12
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DRAM
SDRAM - DDR3L
1Gb (64M x 16)
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20ns
并联
1.283 V ~ 1.45 V
0°C ~ 95°C(TC)
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96-TFBGA
96-WBGA(9x13)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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W94AD6KBHX5E TR
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IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 200MHZ 60TFBGA
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W94AD6KBHX5E TR
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DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR
1Gb (64M x 16)
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5ns
并联
1.7 V ~ 1.95 V
-25°C ~ 85°C(TC)
表面贴装
60-TFBGA
60-VFBGA(8x9)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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IC Winbond 存储器 SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
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W9425G6JB-5 TR
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DRAM
SDRAM - DDR
256Mb (16M x 16)
15ns
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并联
2.3 V ~ 2.7 V
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
60-TFBGA
60-TFBGA(13x8)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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W25M512JVFIQ TR
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IC Winbond 存储器 FLASH 512MBIT 104MHZ 16SOIC Winbond 存储器
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W25M512JVFIQ TR
SpiFlash®
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闪存
FLASH - NOR
512Mb (64M x 8)
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SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
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16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
16-SOIC
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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W987D2HBJX7E TR
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IC Winbond 存储器 SDRAM 128MBIT 133MHZ 90BGA
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W987D2HBJX7E TR
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SDRAM - 移动 LPSDR
128Mb (4M x 32)
15ns
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1.7 V ~ 1.95 V
-25°C ~ 85°C(TC)
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90-TFBGA
90-VFBGA(8x13)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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IC Winbond 存储器 SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
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W9425G6JB-5
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易失
DRAM
SDRAM - DDR
256Mb (16M x 16)
15ns
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并联
2.3 V ~ 2.7 V
0°C ~ 70°C(TA)
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60-TFBGA
60-TFBGA(13x8)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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W25M02GVZEIG/TUBE
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95.85
Winbond W25M02GVZEIG/TUBE 闪存芯片, 2Gbit (256M x 8), 8引脚 WSON封装
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W25M02GVZEIG/TUBE
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2Gbit
WSON
8
256M x 8
NAND
2.7 V
3.6 V
256M
8Bit
8.1 x 6.1 x 0.75mm
6.1mm
-40 °C
85 °C
8.1mm
0.75mm
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W987D6HBGX7E TR
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IC Winbond 存储器 SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA
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W987D6HBGX7E TR
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DRAM
SDRAM - 移动 LPSDR
128Mb (8M x 16)
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1.7 V ~ 1.95 V
-25°C ~ 85°C(TC)
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54-TFBGA
54-VFBGA(8x9)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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90.12
IC Winbond 存储器 FLASH 512MBIT 80MHZ 24TFBGA
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W25M512JVCIQ TR
SpiFlash®
非易失
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FLASH - NOR
512Mb (64M x 8)
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SPI
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
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24-TBGA
24-TFBGA(6x8)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
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W9751G6KB25I
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IC Winbond 存储器 SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA
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W9751G6KB25I
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DRAM
SDRAM - DDR2
512Mb (32M x 16)
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400ps
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1.7 V ~ 1.9 V
-40°C ~ 95°C(TC)
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84-TFBGA
84-WBGA(8x12.5)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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85.32
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W971GG6SB25I TR
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85.32
IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
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W971GG6SB25I TR
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SDRAM - DDR2
1Gb (64M x 16)
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400ps
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1.7 V ~ 1.9 V
-40°C ~ 95°C(TC)
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84-TFBGA
84-WBGA(8x12.5)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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IC Winbond 存储器 SDRAM 2GBIT 933MHZ 96BGA
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W632GG6KB-11 TR
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SDRAM - DDR3
2Gb (128M x 16)
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1.425 V ~ 1.575 V
0°C ~ 95°C(TC)
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96-TFBGA
96-WBGA(9x13)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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66.03
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66.03
IC Winbond 存储器 SDRAM 512MBIT 166MHZ 90BGA
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W989D2DBJX6I TR
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易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPSDR
512Mb (16M x 32)
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5ns
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1.7 V ~ 1.95 V
-40°C ~ 85°C(TA)
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90-TFBGA
90-VFBGA(8x13)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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W29GL256PH9B
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IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 64LFBGA
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W29GL256PH9B
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闪存
FLASH - NOR
256Mb (32M x 8,16M x 16)
90ns
90ns
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2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
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64-LBGA
64-LFBGA(11x13)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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73.08
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W29GL256SH9B TR
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IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 64LFBGA
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W29GL256SH9B TR
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非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb (16M x 16)
90ns
90ns
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-40°C ~ 85°C(TA)
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64-LBGA
64-LFBGA(11x13)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
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82.71
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W631GU6KB12I TR
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IC Winbond 存储器 SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
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W631GU6KB12I TR
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DRAM
SDRAM - DDR3L
1Gb (64M x 16)
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96-WBGA(9x13)
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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90.45
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W25M512JVFIQ/TUBE
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Winbond W25M512JVFIQ/TUBE 闪存芯片, 512Mbit (64M x 8), SPI接口, 16引脚 SOIC封装
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W25M512JVFIQ/TUBE
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512Mbit
SPI
SOIC
16
64M x 8
2.7 V
3.6 V
64M
8Bit
10.49 x 7.59 x 2.34mm
7.59mm
-40 °C
85 °C
10.49mm
2.34mm
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另提供行业标准包装
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型号
W947D2HBJX6E TR
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IC Winbond 存储器 SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA
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W947D2HBJX6E TR
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DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR
128Mb (4M x 32)
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IC Winbond 存储器 FLASH 256MBIT 90NS 56TSOP
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闪存
FLASH - NOR
256Mb (32M x 8,16M x 16)
90ns
90ns
并联
2.7 V ~ 3.6 V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装
56-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
56-TSOP(14x20)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
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25.56
另提供行业标准包装
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型号
W74M64FVSSIQ/TUBE
¥
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Winbond W74M64FVSSIQ/TUBE 闪存芯片, 64Mbit (8M x 8), SPI接口, 8引脚 SOIC封装
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W74M64FVSSIQ/TUBE
表面贴装
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64Mbit
SPI
SOIC
8
8M x 8
2.7 V
3.6 V
8M
8Bit
5.38 x 5.38 x 1.91mm
5.38mm
-40 °C
85 °C
5.38mm
1.91mm
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