|
|
CY8C4013SXI-411T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
12 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
16-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
CY8C4013SXI-410T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
5 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
MB95F262KPF-G-SNE2 |
F²MC-8FX |
8-位 |
16MHz |
LIN，SIO，UART/USART |
LVD，POR，PWM，WDT |
16 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
240 x 8 |
A/D 6x8/10b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
20-SOP |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
CY8C4013SXI-400T |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
5 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
8-SOIC |
标准卷带 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
MB95F283KPF-G-SNE1 |
F²MC-8FX |
8-位 |
16MHz |
LIN，SIO，UART/USART |
LVD，POR，PWM，WDT |
13 |
12KB（12K x 8） |
闪存 |
- |
496 x 8 |
A/D 5x8/10b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
16-SOP |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
MB95F274KPF-G-SNE2 |
F²MC-8FX |
8-位 |
16MHz |
- |
LVD，POR，PWM，WDT |
5 |
20KB（20K x 8） |
闪存 |
- |
496 x 8 |
A/D 2x8/10b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
8-SOP |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
MB9BFD18TBGL-GK7E1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
144MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SD，ART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
154 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
192-LFBGA |
192-FBGA（12x12） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
|
S6E2G38J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
192K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
S6E2GM6JHAGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SD，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
MB9BF218TPMC-GE1 |
ARM® Cortex®-M3 |
32-位 |
144MHz |
CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，UART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
154 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
27 周 |
|
|
S6E2G38H0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
192K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
144-LQFP |
144-LQFP（20x20） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
22 周 |
|
|
S6E2GK6JHAGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，SD，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
S6E2G26JHAGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
S6E2GK6J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，SD，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
S6E2G26J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
CY8C3666LTI-050 |
8051 |
8-位 |
67MHz |
EBI/EMI，I²C，LIN，SPI，UART/USART，USB |
电容感应，DMA，LCD，POR，PWM，WDT |
25 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
8K x 8 |
A/D 1x12b，D/A 4x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
48-QFN（7x7） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
S6E2GM6J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SD，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
153 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 32x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
S6E2GH6J0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，SD，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
121 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
176-LQFP |
176-LQFP（24x24） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
S6E2H46G0AGV20000 |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
160MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
100 |
544KB（544K x 8） |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 24x12b. D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
120-LQFP |
120-LQFP（16x16） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
|
S6E2G26H0AGV2000A |
ARM® Cortex®-M4F |
32-位 |
180MHz |
CAN，CSIO，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，智能卡，SPI，UART/USART，USB |
DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
121 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
128K x 8 |
A/D 24x12b |
内部 |
-40°C ~ 125°C（TA） |
144-LQFP |
144-LQFP（20x20） |
托盘 |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
