|
IS42S16400J-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
64Mb (4M x 16) |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS62C1024AL-35QLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
1Mb (128K x 8) |
35ns |
35ns |
并联 |
4.5 V ~ 5.5 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) |
32-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
IS61LV25616AL-10TL-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb (256K x 16) |
10ns |
10ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS62WV25616BLL-55TLI-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb (256K x 16) |
55ns |
55ns |
并联 |
2.5 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS61WV5128BLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb (512K x 8) |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
36-MBGA |
36-迷你型BGA(8x10) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS61WV25616BLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb (256K x 16) |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-迷你型BGA(6x8) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS43DR16640C-25DBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
1Gb (64M x 16) |
15ns |
400ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 85°C(TC) |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA(8x12.5) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
IS43TR16640B-125JBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3 |
1Gb (64M x 16) |
15ns |
20ns |
并联 |
1.425 V ~ 1.575 V |
0°C ~ 95°C(TA) |
表面贴装 |
96-TFBGA |
96-TWBGA(9x13) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
IS61LV25616AL-10TL-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb (256K x 16) |
10ns |
10ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS42S32400F-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
128Mb (4M x 32) |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) |
86-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS61C5128AS-25QLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb (512K x 8) |
25ns |
25ns |
并联 |
4.5 V ~ 5.5 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
32-SOIC(0.455",11.30mm 宽) |
32-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS66WVE2M16ECLL-70BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM(伪 SRAM) |
32Mb (2M x 16) |
70ns |
70ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA(6x8) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS43TR81280BL-125JBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3L |
1Gb (128M x 8) |
15ns |
20ns |
并联 |
1.283 V ~ 1.45 V |
0°C ~ 95°C(TA) |
表面贴装 |
78-TFBGA |
78-TWBGA(8x10.5) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS43DR81280C-25DBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
1Gb (128M x 8) |
15ns |
400ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 85°C(TC) |
表面贴装 |
60-TFBGA |
60-TWBGA(10.5x8) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
IS66WVE4M16EBLL-70BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM(伪 SRAM) |
64Mb (4M x 16) |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA(6x8) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
IS43DR16320C-3DBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
512Mb (32M x 16) |
15ns |
450ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 70°C(TA) |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA(8x12.5) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS42S83200J-7TLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb (32M x 8) |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
54-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
IS66WVE4M16EBLL-55BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM(伪 SRAM) |
64Mb (4M x 16) |
55ns |
55ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA(6x8) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
IS64WV6416BLL-15TLA3 |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
1Mb (64K x 16) |
15ns |
15ns |
并联 |
2.5 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 125°C(TA) |
表面贴装 |
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
IS66WVE4M16ECLL-70BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM(伪 SRAM) |
64Mb (4M x 16) |
70ns |
70ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C(TA) |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA(6x8) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |