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ams
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B+B SmartWorx, Inc.
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Micrel
Monolithic Power Systems
NJR Corporation / NJRC
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Panasonic/松下
Renesas Electronics America/瑞萨/英特锡尔
Richtek
ROHM Semiconductor/罗姆
Semtech
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Syfer
Texas Instruments/德州仪器
Torex Semiconductor Ltd.
Toshiba Semiconductor and Storage
Linear Technology/凌力尔特
Microchip Technology
Maxim/美信
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IC REG QD BUCK/LDO SYNC 20WQFN
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55.14
IC REG QD BCK/LINEAR SYNC 20WQFN
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71.49
IC REG BUCK/LINEAR SYNC 20WQFN
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33.24
IC REG DL BCK/BST/LINEAR 16VQFN
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34.02
IC REG QD BUCK/LDO SYNC 20WQFN
已售
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36.45
IC REG 5OUT BUCK/LDO SYNC 32VQFN
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0.00
IC REG 5OUT BUCK/LDO 32VQFN
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14.58
IC MOSFET GATE DVR 7.6A SOT23-6
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14.10
IC DRIVER DUAL 5A NEG VOUT 8SOIC
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14.10
IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8-EMSOP
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14.10
IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8MSOP
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14.10
MOSFET DRVR 5A DUAL LOSIDE 8SOIC
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13.02
IC GATE DVR LOW SIDE 1CH SOT23-5
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13.02
IC GATE DVR LOW SIDE 1CH SOT23-5
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13.02
IC GATE DVR LOW SIDE 1CH SOT23-6
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12.15
IC DVR HALF-BRIDGE 90V 1A 8-SOIC
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12.15
IC GATE DRIVER HALF 1A 8WSON
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12.15
IC DVR HALF-BRIDGE 100V 1A 8SOIC
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7.98
IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC
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6.48
IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8SO
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6.48
IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC
京电港自营
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6.48
IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC
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19.26
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8MSOP
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43.41
IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SON
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19.26
IC GATE DRVR LOW SIDE DL 8MSOP
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19.26
IC INVERTING FET DRVR SOT-23-5
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产品详情
拓扑
功能
输出数
频率开关
电压电流输出1
电压电流输出2
电压电流输出3
带LED驱动器
带监控器
产品型号
驱动配置
通道类型
驱动器数
栅极类型
电压电源
逻辑电压
电流峰值输出
上升/下降时间
工作温度
安装类型
封装外壳
供应商器件封装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
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另提供行业标准包装
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型号
TPS65262-1RHBT
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IC REG 5OUT BUCK/LDO 32VQFN
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降压同步(3),线性(LDO)(2)
任何功能
5
600kHz
可调至0.6V, 3A
可调至0.6V,1A
可调至 0.6V,1A
无
无
TPS65262-1RHBT
4.5 V ~ 18 V
-40°C ~ 85°C
表面贴装
32-VFQFN 裸露焊盘
32-VQFN(5x5)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
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14.58
另提供行业标准包装
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型号
LM5114BMF/NOPB
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14.58
IC MOSFET GATE DVR 7.6A SOT23-6
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LM5114BMF/NOPB
低压侧
单路
1
N 沟道 MOSFET
4 V ~ 12.6 V
0.8V,2.4V
1.3A,7.6A
82ns,12.5ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
表面贴装
SOT-23-6
SOT-23-6
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
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型号
LM5110-3MX/NOPB
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IC DRIVER DUAL 5A NEG VOUT 8SOIC
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LM5110-3MX/NOPB
低压侧
独立式
2
N 沟道 MOSFET
3.5 V ~ 14 V
0.8V,2.2V
3A,5A
14ns,12ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥
14.10
另提供行业标准包装
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型号
LM5111-1MY/NOPB
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14.10
IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8-EMSOP
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LM5111-1MY/NOPB
低压侧
独立式
2
N 沟道 MOSFET
3.5 V ~ 14 V
0.8V,2.2V
3A,5A
14ns,12ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
表面贴装
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘
8-MSOP-PowerPad
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
14.10
另提供行业标准包装
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型号
LM5111-2MY/NOPB
¥
14.10
IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8MSOP
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LM5111-2MY/NOPB
低压侧
独立式
2
N 沟道 MOSFET
3.5 V ~ 14 V
0.8V,2.2V
3A,5A
14ns,12ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
表面贴装
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘
8-MSOP-PowerPad
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
14.10
另提供行业标准包装
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型号
LM5111-1MX/NOPB
¥
14.10
MOSFET DRVR 5A DUAL LOSIDE 8SOIC
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LM5111-1MX/NOPB
低压侧
独立式
2
N 沟道 MOSFET
3.5 V ~ 14 V
0.8V,2.2V
3A,5A
14ns,12ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥
13.02
另提供行业标准包装
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型号
UCC27519DBVR
¥
13.02
IC GATE DVR LOW SIDE 1CH SOT23-5
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UCC27519DBVR
低压侧
单路
1
IGBT,N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 18 V
-
4A,4A
8ns,7ns
-40°C ~ 140°C(TJ)
表面贴装
SC-74A,SOT-753
SOT-23-5
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥
13.02
另提供行业标准包装
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型号
UCC27517DBVR
¥
13.02
IC GATE DVR LOW SIDE 1CH SOT23-5
京电港自营
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对比
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UCC27517DBVR
低压侧
单路
1
IGBT,N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 18 V
1V,2.4V
4A,4A
8ns,7ns
-40°C ~ 140°C(TJ)
表面贴装
SC-74A,SOT-753
SOT-23-5
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
13.02
另提供行业标准包装
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型号
UCC27511DBVR
¥
13.02
IC GATE DVR LOW SIDE 1CH SOT23-6
京电港自营
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UCC27511DBVR
低压侧
单路
1
IGBT,N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 18 V
1V,2.4V
4A,8A
8ns,7ns
-40°C ~ 140°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-6
SOT-23-6
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
12.15
另提供行业标准包装
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型号
LM5109BMAX/NOPB
¥
12.15
IC DVR HALF-BRIDGE 90V 1A 8-SOIC
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LM5109BMAX/NOPB
半桥
独立式
2
N 沟道 MOSFET
8 V ~ 14 V
0.8V,2.2V
1A,1A
15ns,15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥
12.15
另提供行业标准包装
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型号
LM5109BSD/NOPB
¥
12.15
IC GATE DRIVER HALF 1A 8WSON
京电港自营
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LM5109BSD/NOPB
半桥
独立式
2
N 沟道 MOSFET
8 V ~ 14 V
0.8V,2.2V
1A,1A
15ns,15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
表面贴装
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON(4x4)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
12.15
另提供行业标准包装
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型号
LM5109AMAX/NOPB
¥
12.15
IC DVR HALF-BRIDGE 100V 1A 8SOIC
京电港自营
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对比
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LM5109AMAX/NOPB
半桥
独立式
2
N 沟道 MOSFET
8 V ~ 14 V
0.8V,2.2V
1A,1A
15ns,15ns
-40°C ~ 125°C (TJ)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥
7.98
另提供行业标准包装
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型号
SN75477DR
¥
7.98
IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC
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SN75477DR
低压侧
独立式
2
-
4.5 V ~ 5.5 V
0.8V,2V
500mA,500mA
50ns,90ns
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
6.48
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型号
SN75452BPSR
¥
6.48
IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8SO
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SN75452BPSR
低压侧
独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.75 V ~ 5.25 V
0.8V,2V
500mA,500mA
5ns,7ns
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
8-SO
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥
6.48
另提供行业标准包装
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型号
SN75451BDR
¥
6.48
IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC
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对比
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SN75451BDR
低压侧
独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.75 V ~ 5.25 V
0.8V,2V
500mA,500mA
5ns,7ns
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
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6.48
另提供行业标准包装
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型号
SN75453BDR
¥
6.48
IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC
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SN75453BDR
低压侧
独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.75 V ~ 5.25 V
0.8V,2V
500mA,500mA
5ns,7ns
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
19.26
另提供行业标准包装
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型号
UCC27424DGNR
¥
19.26
IC MOSFET DRIVR DUAL HS 4A 8MSOP
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UCC27424DGNR
低压侧
独立式
2
N 沟道,P 沟道 MOSFET
4 V ~ 15 V
1V,2V
4A,4A
20ns,15ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘
8-MSOP-PowerPad
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
43.41
另提供行业标准包装
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型号
UCC27524DSDR
¥
43.41
IC GATE DVR LO-SIDE DL 5A 8SON
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UCC27524DSDR
低压侧
独立式
2
IGBT,N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 18 V
1V,2.3V
5A,5A
7ns,6ns
-40°C ~ 140°C(TJ)
表面贴装
8-WDFN 裸露焊盘
8-SON(3x3)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
19.26
另提供行业标准包装
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型号
UCC27524DGNR
¥
19.26
IC GATE DRVR LOW SIDE DL 8MSOP
京电港自营
自营
对比
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UCC27524DGNR
低压侧
独立式
2
IGBT,N 沟道 MOSFET
4.5 V ~ 18 V
1V,2.3V
5A,5A
7ns,6ns
-40°C ~ 140°C(TJ)
表面贴装
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘
8-MSOP-PowerPad
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
19.26
另提供行业标准包装
立即购买
型号
TPS2818DBVR
¥
19.26
IC INVERTING FET DRVR SOT-23-5
京电港自营
自营
对比
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TPS2818DBVR
低压侧
单路
1
N 沟道 MOSFET
4 V ~ 14 V
1V,4V
2A,2A
14ns,14ns
-40°C ~ 125°C(TA)
表面贴装
SC-74A,SOT-753
SOT-23-5
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
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用户名:18714019-285718
级 别:暂无
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