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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5CPH
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
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最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
包装
产品型号
系列
晶体管类型
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
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BC847BPDW1T2G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
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BC847BPDW1T2G
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NPN,PNP
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45V
600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
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100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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NPN,PNP
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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NST45011MW6T1G
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2 NPN(双)配对
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
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SBC846BPDW1T1G
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NPN,PNP
100mA
65V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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BC858CDXV6T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
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BC858CDXV6T1G
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2 PNP(双)
100mA
30V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
500mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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CPH5517-TL-E
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 1A 5CPH
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CPH5517-TL-E
-
NPN,PNP(共基极)
1A
50V
430mV @ 10mA,500mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
900mW
420MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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BC847CDXV6T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
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BC847CDXV6T1G
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2 NPN(双)
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
500mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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2.49
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SMBT3904DW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
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SMBT3904DW1T1G
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2 NPN(双)
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
150mW
300MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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BC848CPDW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363
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BC848CPDW1T1G
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NPN,PNP
100mA
30V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
250mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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6.54
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BC847CDW1T1G
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6.54
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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BC847CDW1T1G
-
2 NPN(双)
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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14.19
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MC1413BPG
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
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MC1413BPG
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7 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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12.63
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MC1413DG
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12.63
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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MC1413DG
-
7 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
-
-
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11 周
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3.66
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NST45010MW6T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
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NST45010MW6T1G
-
2 PNP(双)配对
100mA
45V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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3.60
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型号
CPH5506-TL-E
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3.60
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5CPH
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CPH5506-TL-E
-
NPN,PNP(耦合发射器)
1.5A
30V
225mV @ 15mA,750mA / 375mV @ 15mA,750mA
100nA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
1.2W
500MHz,450MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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3.15
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型号
MCH6541-TL-E
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3.15
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH
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MCH6541-TL-E
-
NPN,PNP
700mA
30V
190mV @ 10mA,200mA / 220mV @ 10mA,200mA
100nA(ICBO)
300 @ 50mA,2V / 200 @ 10mA,2V
550mW
540MHZ,520MHz
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SBC846BDW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT-363
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SBC846BDW1T1G
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2 NPN(双)
100mA
65V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
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1.83
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SBC856BDW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
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SBC856BDW1T1G
-
2 PNP(双)
100mA
65V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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另提供行业标准包装
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型号
SBC847BDW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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SBC847BDW1T1G
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2 NPN(双)
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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0.90
另提供行业标准包装
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型号
MMBTH10LT1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
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650MHz
225mW
60 @ 4mA,10V
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3(TO-236)
标准卷带
MMBTH10LT1G
-
NPN
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥
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另提供行业标准包装
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型号
SBC846BPDW1T2G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
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SBC846BPDW1T2G
-
NPN,PNP
100mA
65V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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