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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥13.26
自营
NVTFS5811NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
16A(Ta)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
30nC @ 10V
1570pF @ 25V
3.2W(Ta),21W(Tc)
6.7 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
31 周
¥3.33
自营
CPH6444-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
505pF @ 20V
1.6W(Ta)
78 毫欧 @ 2A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥88.17
自营
NGTB40N60FL2WG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
600V
80A
160A
2V @ 15V,40A
366W
970µJ(开),440µJ(关)
标准
84ns/177ns
400V,40A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 5mA,10mA
500nA
-
408mW
-
NSBA115TDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
PNP
MJD350T4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
300V
500mA
1.56W
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
100µA
30 @ 50mA,10V
-
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
150mW
-
UMC2NT1G
-
SC-88A(SC-70-5 / SOT-353)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NPN - 达林顿
BD677G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
60V
4A
40W
-55°C ~ 150°C(TJ)
2.5V @ 30mA,1.5A
500µA
750 @ 1.5A,3V
-
PNP
BC856BM3T5G
-
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
65V
100mA
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
100MHz
PNP
MJ15016G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
120V
15A
115W
-65°C ~ 200°C(TJ)
5V @ 7A,15A
100µA
10 @ 4A,2V
18MHz
2 NPN(双)
NSS40301MDR2G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
40V
3A
653mW
115mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 1A,2V
100MHz
¥53.25
自营
NTB35N15T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
37A(Ta)
10V
4V @ 250µA
100nC @ 10V
3200pF @ 25V
2W(Ta),178W(Tj)
50 毫欧 @ 18.5A,10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
2N7002KT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
320mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
350mW(Ta)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥5.37
自营
NTMD4184PFR2G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.3A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
4.2nC @ 4.5V
360pF @ 10V
770mW(Ta)
95 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC114EPDXV6T1G
-
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
NPN
SMMBT3904LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
40V
200mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
-
NSVBC144EPDXV6T1G
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
PNP
2N4918G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
40V
1A
30W
-65°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 100mA,1A
500µA
30 @ 500mA,1V
3MHz
NPN
MMBT3904LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
40V
200mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz
PNP
MJF15031G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
150V
8A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
500mV @ 100mA,1A
10µA
20 @ 4A,2V
30MHz
NPN
2N5657G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
350V
500mA
20W
-65°C ~ 150°C(TJ)
10V @ 100mA,500mA
100µA
30 @ 100mA,10V
10MHz
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