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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
原产地
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥1.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523
京电港自营
自营
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DMN313DLT-7
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
36.3pF @ 5V
±20V
-
280mW（Ta）
2 欧姆 @ 10mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
京电港自营
自营
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DMN3110S-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
305.8pF @ 15V
±20V
-
740mW（Ta）
73 毫欧 @ 3.1mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥1.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
京电港自营
自营
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DMP3068L-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，10V
1.3V @ 250µA
15.9nC @ 10V
708pF @ 15V
±12V
-
700mW（Ta）
72 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥1.05
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
京电港自营
自营
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DMN53D0U-13
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
37.1pF @ 25V
±12V
-
520mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥3.45
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
京电港自营
自营
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DDA144EH-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
47k
47k
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
-
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥8.34
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
京电港自营
自营
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MMDT4126-7-F
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200mA
25V
400mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
120 @ 2mA，1V
200mW
250MHz
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTC124TE-7
NPN - 预偏压
-
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
22k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 500µA，5mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
¥1.02
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
自营
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DDTA142JU-7-F
PNP - 预偏压
10k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
100mA
470
56 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
200MHz
200mW
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTC125TKA-7-F
NPN - 预偏压
-
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
200k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 50µA，500µA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
¥4.62
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 4A 3-DFN
京电港自营
自营
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ZXTP717MATA
PNP
DFN2020B-3
3-UDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
表面贴装
-
4A
12V
300mV @ 150mA，4A
25nA
180 @ 2.5A，2V
3W
110MHz
-
¥14.88
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 1A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX553
PNP
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
通孔
-
1A
100V
250mV @ 15mA，150mA
100nA（ICBO）
40 @ 150mA，10V
1W
150MHz
-
¥6.27
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
京电港自营
自营
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ZXMN3G32DN8TA
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
表面贴装
-
-
1.8W
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
5.5A
28 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
472pF @ 15V
¥10.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI
京电港自营
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DMNH6021SPD-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
表面贴装
-
1.5W
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
8.2A，32A
25 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 250µA
20.1nC @ 10V
1143pF @ 25V
¥7.47
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 6.5A SOT23F-3
京电港自营
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ZXTN19020DFFTA
NPN
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
表面贴装
-
6.5A
20V
190mV @ 180mA，6.5A
50nA（ICBO）
300 @ 100mA，2V
1.5W
160MHz
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP DARL 60V 1.75A SM8
京电港自营
自营
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ZDT6702TA
NPN，PNP 达林顿（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1.75A
60V
1.28V @ 2mA，1.75A
500nA
5000 @ 500mA，5V / 2000 @ 500mA，5V
2.75W
140MHz
-
¥2.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
京电港自营
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DMP56D0UFB-7
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4V
1.2V @ 250µA
0.58nC @ 4V
50.54pF @ 25V
±8V
-
425mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥18.51
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZXMN6A08GTA
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5.8nC @ 10V
459pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
80 毫欧 @ 4.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥38.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 9.4A
京电港自营
自营
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DMT10H010LPS-13
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3.5V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
1.2W（Ta）, 139W（Tc）
9.5 毫欧 @ 13A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
京电港自营
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DMN3033LSNQ-13
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.5nC @ 5V
755pF @ 10V
±20V
-
1.4W（Ta）
30 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
京电港自营
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DDC142TU-7-F
2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
470
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
-
200MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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