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¥4.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
自营
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DMP3026SFDF-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-
京电港自营
自营
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DMP6110SFDF-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17.2nC @ 10V
969pF @ 30V
±20V
-
1.97W（Ta）
110 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
自营
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DMN2011UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 10V
2248pF @ 10V
±12V
-
2.1W（Ta）
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
京电港自营
自营
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DMP2240UWQ-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
320pF @ 16V
±12V
-
250mW（Ta）
150 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI
京电港自营
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DMN3025LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
11.6nC @ 10V
605pF @ 15V
±20V
-
2W（Ta）
18 毫欧 @ 7.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
京电港自营
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DMP3017SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
41nC @ 10V
2246pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
10 毫欧 @ 11.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3
京电港自营
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DMP2004WK-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
175pF @ 16V
±8V
-
250mW（Ta）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
京电港自营
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DMP1022UFDF-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
800mV @ 250µA
48.3nC @ 4.5V
2712pF @ 10V
±8V
-
730mW（Ta）
14.8 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
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DMP2040UFDF-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
19nC @ 8V
834pF @ 10V
±12V
-
1.8W（Ta）
32 毫欧 @ 8.9A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
京电港自营
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DMT3006LFDF-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.7V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
800mW（Ta）
7 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
京电港自营
自营
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DMN3033LSNQ-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.5nC @ 5V
755pF @ 10V
±20V
-
1.4W（Ta）
30 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
京电港自营
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DMN10H170SVT-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
1.2W（Ta）
160 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
京电港自营
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DMN10H170SFDE-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
660mW（Ta）
160 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
京电港自营
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ZXMN6A07FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
3.2nC @ 10V
166pF @ 40V
±20V
-
625mW（Ta）
250 毫欧 @ 1.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
京电港自营
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DMN4468LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.95V @ 250µA
18.85nC @ 10V
867pF @ 10V
±20V
-
1.52W（Ta）
14 毫欧 @ 11.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
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DMN3020UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
27nC @ 8V
1304pF @ 15V
±12V
-
2.03W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
-
¥3.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
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DMG2302UQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1V @ 50µA
7nC @ 4.5V
594.3pF @ 10V
±8V
-
800mW（Ta）
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6
京电港自营
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DMN4020LFDE-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
19.1nC @ 20V
1060pF @ 20V
±20V
-
660mW（Ta）
20 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
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ZVN3320FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3V @ 1mA
-
45pF @ 25V
±20V
-
330mW（Ta）
25 欧姆 @ 100mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SO
京电港自营
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DMP3037LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
19.3nC @ 10V
931pF @ 15V
±20V
-
1.2W（Ta）
32 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周

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