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¥54.27
ON Semiconductor NGTB30N120IHSWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
自营
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NGTB30N120IHSWG
60 A
±20V
-
192 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.26mm
5.3mm
21.08mm
-
¥54.81
新产品ON Semiconductor MJ11012G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=60 V, HFE=200, 2引脚 TO-204AA封装
京电港自营
新品 自营
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MJ11012G
30 A
200 W
TO-204AA
通孔
2
单
8.51 mm
-
2
-55 °C
21.08 (Dia.) x 8.51 mm
200 °C
-
-
¥55.80
ON Semiconductor NGTB25N120IHLWG N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
自营
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NGTB25N120IHLWG
50 A
±20V
-
192 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.26mm
5.3mm
21.08mm
-
¥55.80
ON Semiconductor NGTB35N60FL2WG N沟道 IGBT, 70 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
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NGTB35N60FL2WG
70 A
±20V
-
300 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.26mm
5.3mm
21.08mm
-
¥57.60
ON Semiconductor MJ11015G PNP 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=120 V, HFE=200, 3引脚 TO-204封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
MJ11015G
30 A
TO-204
通孔
3
单
39.37 mm
26.67 mm
8.51 mm
-
1
-55 °C
39.37 x 26.67 x 8.51 mm
200 °C
-
-
¥58.44
ON Semiconductor NGTG30N60FWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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NGTG30N60FWG
60 A
±20V
-
167 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥58.47
ON Semiconductor NGTB30N60FWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
新品 自营
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NGTB30N60FWG
60 A
±20V
-
167 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥59.16
ON Semiconductor NGTB30N60FLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
自营
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NGTB30N60FLWG
60 A
±20V
-
250 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥61.38
ON Semiconductor MJH11022G NPN 达林顿晶体管对, 15 A, Vce=250 V, HFE=100, 3引脚 TO-247封装
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新品 自营
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MJH11022G
15 A
150 W
TO-247
通孔
3
单
16.26 mm
5.3 mm
21.08 mm
-
1
-65 °C
16.26 x 5.3 x 21.08 mm
150 °C
-
-
¥61.83
ON Semiconductor MJH6284G NPN 达林顿晶体管对, 20 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 TO-247封装
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新品 自营
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MJH6284G
20 A
160 W
TO-247
通孔
3
单
16.26 mm
5.3 mm
21.08 mm
-
1
-65 °C
16.26 x 5.3 x 21.08 mm
150 °C
-
-
¥61.92
ON Semiconductor MJ11016G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=120 V, HFE=200, 3引脚 TO-204封装
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新品 自营
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MJ11016G
30 A
TO-204
通孔
3
单
39.37 mm
26.67 mm
8.51 mm
-
1
-55 °C
39.37 x 26.67 x 8.51 mm
200 °C
-
-
¥62.79
ON Semiconductor NGTB30N60IHLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
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新品 自营
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NGTB30N60IHLWG
60 A
±20V
-
250 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.26mm
5.3mm
21.08mm
-
¥65.46
ON Semiconductor NGTB20N120IHRWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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新品 自营
收藏 暂时缺货
NGTB20N120IHRWG
40 A
±20V
-
384 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥66.33
ON Semiconductor NGTG30N60FLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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NGTG30N60FLWG
60 A
±20V
-
250 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥67.80
ON Semiconductor NGTB30N120LWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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NGTB30N120LWG
60 A
±20V
-
260 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.26mm
5.3mm
21.08mm
-
¥72.00
ON Semiconductor NGTB40N120S3WG N沟道 共发射极 IGBT, 160 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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NGTB40N120S3WG
160 A
±30V
1
454 W
TO-247
通孔
N
3
-
共发射极
16.25mm
5.3mm
21.34mm
-
¥72.48
ON Semiconductor NGTB30N60SWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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新品 自营
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NGTB30N60SWG
60 A
±20V
-
189 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.26mm
5.3mm
21.08mm
-
¥72.90
ON Semiconductor NGTB30N135IHR1WG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1350 V, 3引脚 TO-247封装
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NGTB30N135IHR1WG
60 A
±20V
-
394 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥74.37
ON Semiconductor NGTB30N135IHRWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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NGTB30N135IHRWG
60 A
±20V
-
394 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥75.03
ON Semiconductor MJ11012G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=60 V, HFE=200, 2引脚 TO-204AA封装
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MJ11012G
30 A
200 W
TO-204AA
通孔
2
单
8.51 mm
-
2
-55 °C
21.08 (Dia.) x 8.51 mm
200 °C
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