onsemi/ON Semiconductor

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最大连续集电极电流

最大栅极发射极电压

晶体管数

最大功率耗散

封装类型

安装类型

通道类型

引脚数目

开关速度

晶体管配置

长度

宽度

高度

原产地

¥58.44

ON Semiconductor NGTG30N60FWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

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NGTG30N60FWG

60 A

±20V

167 W

TO-247

通孔

1MHz

单

16.25mm

5.3mm

21.4mm

¥13.89

ON Semiconductor NGTB03N60R2DT4G N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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NGTB03N60R2DT4G

9 A

±20V

49 W

DPAK (TO-252)

表面贴装

1MHz

单

6.73mm

6.22mm

2.38mm

¥95.46

ON Semiconductor NGTB40N60FL2WG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

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NGTB40N60FL2WG

80 A

±20V

366 W

TO-247

通孔

1MHz

单

16.26mm

5.3mm

21.08mm

¥106.26

ON Semiconductor NGTG50N60FWG N沟道 IGBT, 100 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

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NGTG50N60FWG

100 A

±20V

223 W

TO-247

通孔

1MHz

单

16.25mm

5.3mm

21.4mm

¥74.37

ON Semiconductor NGTB30N135IHRWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

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NGTB30N135IHRWG

60 A

±20V

394 W

TO-247

通孔

1MHz

单

16.25mm

5.3mm

21.4mm

¥131.16

ON Semiconductor NGTB40N120SWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

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NGTB40N120SWG

80 A

±20V

535 W

TO-247

通孔

1MHz

单

16.25mm

5.3mm

21.4mm

¥92.01

ON Semiconductor NGTB20N135IHRWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

京电港自营

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NGTB20N135IHRWG

40 A

±20V

394 W

TO-247

通孔

1MHz

单

16.25mm

5.3mm

21.4mm

¥190.77

ON Semiconductor NGTB40N120FL2WG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装

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NGTB40N120FL2WG

80 A

±20V

535 W

TO-247

通孔

1MHz

单

16.25mm

5.3mm

21.4mm

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