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5.40
ON Semiconductor 2N6028RLRAG 可编程 UJT 晶体管, 40V, ±40V, 300 mW, 3引脚 TO-92封装
已售
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件
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1.98
ON Semiconductor MUN5311DW1T1G 双 NPN PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚
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15.03
ON Semiconductor TIP102G NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 TO-220AB封装
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1.41
新产品ON Semiconductor SMMBT6427LT1G NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=40 V, HFE=20000, 3引脚 SOT-23封装
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0.21
新产品ON Semiconductor MMUN2216LT1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23封装
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9.99
ON Semiconductor BD679ASTU NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=80 V, HFE=750, 3引脚 TO-126封装
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529.74
ON Semiconductor FPDB40PH60B IGBT 模块, 40 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 GC封装
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185.07
ON Semiconductor NGTB50N120FL2WG N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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129.51
ON Semiconductor MJ11032G NPN 达林顿晶体管对, 50 A, Vce=120 V, HFE=400, 2引脚 TO-204封装
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10.29
ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
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0.69
新产品ON Semiconductor DTC115EM3T5G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-723封装
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758.82
ON Semiconductor BDX33CG NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220AB封装
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86.46
ON Semiconductor TIG058E8-TL-H N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 1MHz, 8引脚 ECH封装
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59.16
ON Semiconductor NGTB30N60FLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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6.00
ON Semiconductor BD681G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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9.72
ON Semiconductor BD681G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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1.26
ON Semiconductor EMD4DXV6T5G 双 NPN PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚
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6.21
ON Semiconductor BD675AG NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=45 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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605.40
ON Semiconductor FSBB30CH60C IGBT 模块, 30 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 EC封装
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104.88
ON Semiconductor NGTB60N60SWG N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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12.30
ON Semiconductor BD676G PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=45 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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产品图片
产品详情
最大功率
达标情况
原厂标准交货期
产品型号
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
安装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
原产地
产品认证
晶体管类型
每片芯片元件数目
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
最高工作温度
最低工作温度
尺寸
最大发射极基极电压
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
¥
1.98
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型号
MUN5311DW1T1G
¥
1.98
ON Semiconductor MUN5311DW1T1G 双 NPN PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚
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MUN5311DW1T1G
100 mA
SOT-363 (SC-88)
表面贴装
6
隔离式
2mm
1.25mm
0.9mm
-
NPN PNP
2
10 kΩ
35
1
150 °C
-55 °C
2 x 1.25 x 0.9mm
¥
15.03
另提供行业标准包装
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型号
TIP102G
¥
15.03
ON Semiconductor TIP102G NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 TO-220AB封装
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TIP102G
8 A
TO-220AB
通孔
3
单
10.28 mm
4.82 mm
9.28 mm
-
150 °C
-65 °C
10.28 x 4.82 x 9.28 mm
1
-
-
¥
1.41
另提供行业标准包装
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型号
SMMBT6427LT1G
¥
1.41
新产品ON Semiconductor SMMBT6427LT1G NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=40 V, HFE=20000, 3引脚 SOT-23封装
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暂时缺货
SMMBT6427LT1G
500 mA
225 mW,300 mW
SOT-23
表面贴装
3
单
3.04 mm
1.4 mm
1.01 mm
-
150 °C
-55 °C
3.04 x 1.4 x 1.01 mm
1
-
-
¥
0.21
另提供行业标准包装
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型号
MMUN2216LT1G
¥
0.21
新产品ON Semiconductor MMUN2216LT1G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23封装
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MMUN2216LT1G
100 mA
SOT-23
表面贴装
3
单
2.9mm
1.3mm
0.94mm
-
NPN
1
4.7 kΩ
160
无
150 °C
-55 °C
2.9 x 1.3 x 0.94mm
¥
9.99
另提供行业标准包装
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型号
BD679ASTU
¥
9.99
ON Semiconductor BD679ASTU NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=80 V, HFE=750, 3引脚 TO-126封装
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暂时缺货
BD679ASTU
4 A
40 W
TO-126
通孔
3
单
8 mm
3.25 mm
11 mm
-
150 °C
8 x 3.25 x 11 mm
1
-
-
¥
529.74
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型号
FPDB40PH60B
¥
529.74
ON Semiconductor FPDB40PH60B IGBT 模块, 40 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 GC封装
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113 W
-
-
FPDB40PH60B
40 A
SPM27 GC
通孔
N
27
20kHz
44 mm
26.8 mm
5.5mm
-
-
150 °C
-40 °C
44 x 26.8 x 5.5 mm
-
600 V
¥
185.07
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型号
NGTB50N120FL2WG
¥
185.07
ON Semiconductor NGTB50N120FL2WG N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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NGTB50N120FL2WG
100 A
±20V
-
535 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥
129.51
另提供行业标准包装
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型号
MJ11032G
¥
129.51
ON Semiconductor MJ11032G NPN 达林顿晶体管对, 50 A, Vce=120 V, HFE=400, 2引脚 TO-204封装
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MJ11032G
50 A
300 W
TO-204
通孔
2
单
38.86 mm
26.67 mm
8.51 mm
-
200 °C
-55 °C
38.86 x 26.67 x 8.51 mm
1
-
-
¥
10.29
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型号
BDX53CTU
¥
10.29
ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
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暂时缺货
BDX53CTU
8 A
60 W
TO-220
通孔
3
单
9.9 mm
4.5 mm
15.95 mm
-
150 °C
9.9 x 4.5 x 15.95 mm
1
-
-
¥
0.69
另提供行业标准包装
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型号
DTC115EM3T5G
¥
0.69
新产品ON Semiconductor DTC115EM3T5G NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-723封装
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DTC115EM3T5G
100 mA
338 mW
SOT-723
表面贴装
3
单
1.25mm
0.85mm
0.55mm
-
NPN
1
100 kΩ
80
1
150 °C
-55 °C
1.25 x 0.85 x 0.55mm
¥
758.82
另提供行业标准包装
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型号
BDX33CG
¥
758.82
ON Semiconductor BDX33CG NPN 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220AB封装
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BDX33CG
10 A
TO-220AB
通孔
3
单
10.28 mm
4.82 mm
9.28 mm
-
150 °C
-65 °C
10.28 x 4.82 x 9.28 mm
1
-
-
¥
86.46
另提供行业标准包装
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型号
TIG058E8-TL-H
¥
86.46
ON Semiconductor TIG058E8-TL-H N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 1MHz, 8引脚 ECH封装
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暂时缺货
TIG058E8-TL-H
150 A
±6V
-
-
ECH
表面贴装
N
8
1MHz
单
2.9mm
2.3mm
0.9mm
-
¥
59.16
另提供行业标准包装
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型号
NGTB30N60FLWG
¥
59.16
ON Semiconductor NGTB30N60FLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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NGTB30N60FLWG
60 A
±20V
-
250 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥
6.00
另提供行业标准包装
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型号
BD681G
¥
6.00
ON Semiconductor BD681G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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暂时缺货
BD681G
4 A
TO-225
通孔
3
单
7.74 mm
2.66 mm
11.04 mm
-
150 °C
-55 °C
7.74 x 2.66 x 11.04 mm
1
-
-
¥
9.72
另提供行业标准包装
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型号
BD681G
¥
9.72
ON Semiconductor BD681G NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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BD681G
4 A
TO-225
通孔
3
单
7.74 mm
2.66 mm
11.04 mm
-
150 °C
-55 °C
7.74 x 2.66 x 11.04 mm
1
-
-
¥
1.26
另提供行业标准包装
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型号
EMD4DXV6T5G
¥
1.26
ON Semiconductor EMD4DXV6T5G 双 NPN PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚
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EMD4DXV6T5G
100 mA
500 mW
SOT-563
表面贴装
6
隔离式
1.7mm
1.3mm
0.6mm
-
NPN PNP
2
10 kΩ
80
0.21
150 °C
-55 °C
1.7 x 1.3 x 0.6mm
¥
6.21
另提供行业标准包装
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型号
BD675AG
¥
6.21
ON Semiconductor BD675AG NPN 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=45 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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BD675AG
4 A
TO-225
通孔
3
单
7.74 mm
2.66 mm
11.04 mm
-
150 °C
-55 °C
7.74 x 2.66 x 11.04 mm
1
-
-
¥
605.40
另提供行业标准包装
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型号
FSBB30CH60C
¥
605.40
ON Semiconductor FSBB30CH60C IGBT 模块, 30 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 EC封装
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暂时缺货
106 W
-
-
FSBB30CH60C
30 A
SPM27 EC
通孔
N
27
20kHz
44 mm
26.8 mm
5.5mm
-
-
150 °C
-40 °C
44 x 26.8 x 5.5 mm
-
600 V
¥
104.88
另提供行业标准包装
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型号
NGTB60N60SWG
¥
104.88
ON Semiconductor NGTB60N60SWG N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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NGTB60N60SWG
120 A
±20V
-
298 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.26mm
5.3mm
21.08mm
-
¥
12.30
另提供行业标准包装
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型号
BD676G
¥
12.30
ON Semiconductor BD676G PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=45 V, HFE=750, 3引脚 TO-225封装
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BD676G
4 A
TO-225
通孔
3
单
7.74 mm
2.66 mm
11.04 mm
-
150 °C
-55 °C
7.74 x 2.66 x 11.04 mm
1
-
-
首页
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