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STMicroelectronics ULN2075B NPN 达林顿晶体管对, 1.75 A, Vce=80 V, 16引脚 PDIP封装
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58.68
STMicroelectronics STGFW30V60DF IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PF封装
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917.94
新产品STMicroelectronics ESM6045DV NPN 达林顿晶体管对, 84 A, Vce=450 V, HFE=120, 4引脚 ISOTOP封装
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30.93
STMicroelectronics TIP147 PNP 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-247封装
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145.38
STMicroelectronics STGW25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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52.05
STMicroelectronics STGB10NB37LZT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=375 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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8.52
STMicroelectronics MJD122T4 NPN 达林顿晶体管对, 16 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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517.29
STMicroelectronics ESM3030DV NPN 达林顿晶体管对, 100 A, Vce=300 V, HFE=300, 4引脚 ISOTOP封装
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64.95
STMicroelectronics STGWT30H60DFB N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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75.45
STMicroelectronics STGWA30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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9.45
STMicroelectronics BD680 PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=80 V, HFE=750, 3引脚 SOT-32封装
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49.17
STMicroelectronics ULN2064B NPN 达林顿晶体管对, 1.75 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装
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42.42
STMicroelectronics STGD20N40LZ N沟道 IGBT, 25 A, Vce=425 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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15.84
STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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4.17
STMicroelectronics MJD117T4 PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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8.22
STMicroelectronics ULN2003A NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 PDIP封装
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49.92
STMicroelectronics STGP30NC60W N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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8.49
STMicroelectronics TIP121 NPN 达林顿晶体管对, 5 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220封装
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31.59
STMicroelectronics STGB18N40LZT4 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=420 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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462.75
STMicroelectronics STGE50NC60WD IGBT 模块, 100 A, Vce=600 V, 4引脚 ISOTOP封装
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尺寸
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最大集电极发射极电压
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型号
ULN2075B
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53.46
STMicroelectronics ULN2075B NPN 达林顿晶体管对, 1.75 A, Vce=80 V, 16引脚 PDIP封装
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ULN2075B
1.75 A
PDIP
通孔
16
共发射极
20 mm
7.1 mm
5.1 mm
-
4
-20 °C
20 x 7.1 x 5.1 mm
85°C
-
-
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58.68
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型号
STGFW30V60DF
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58.68
STMicroelectronics STGFW30V60DF IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PF封装
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STGFW30V60DF
60 A
±20V
-
58 W
TO-3PF
通孔
-
3
1MHz
单
15.7mm
5.7mm
26.7mm
-
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型号
ESM6045DV
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917.94
新产品STMicroelectronics ESM6045DV NPN 达林顿晶体管对, 84 A, Vce=450 V, HFE=120, 4引脚 ISOTOP封装
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ESM6045DV
84 A
ISOTOP
面板安装
4
单
38.2 mm
25.5 mm
9.1 mm
-
1
-55 °C
38.2 x 25.5 x 9.1 mm
150 °C
-
-
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30.93
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TIP147
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30.93
STMicroelectronics TIP147 PNP 达林顿晶体管对, 10 A, Vce=100 V, HFE=500, 3引脚 TO-247封装
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TIP147
10 A
TO-247
通孔
3
单
15.75 mm
5.15 mm
20.15 mm
-
1
-65 °C
15.75 x 5.15 x 20.15 mm
150 °C
-
-
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145.38
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型号
STGW25S120DF3
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145.38
STMicroelectronics STGW25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
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STGW25S120DF3
50 A
±20V
-
375 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
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52.05
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STGB10NB37LZT4
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52.05
STMicroelectronics STGB10NB37LZT4 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=375 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB10NB37LZT4
20 A
12V
-
-
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
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8.52
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型号
MJD122T4
¥
8.52
STMicroelectronics MJD122T4 NPN 达林顿晶体管对, 16 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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MJD122T4
16 A
DPAK (TO-252)
表面贴装
3
单
6.6 mm
6.2 mm
2.4 mm
-
1
-65 °C
6.6 x 6.2 x 2.4 mm
150 °C
-
-
¥
517.29
另提供行业标准包装
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型号
ESM3030DV
¥
517.29
STMicroelectronics ESM3030DV NPN 达林顿晶体管对, 100 A, Vce=300 V, HFE=300, 4引脚 ISOTOP封装
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ESM3030DV
100 A
ISOTOP
面板安装
4
单
38.2 mm
25.5 mm
9.1 mm
-
1
-55 °C
38.2 x 25.5 x 9.1 mm
150 °C
-
-
¥
64.95
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型号
STGWT30H60DFB
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64.95
STMicroelectronics STGWT30H60DFB N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
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STGWT30H60DFB
60 A
±20V
-
260 W
TO-3P
通孔
N
3
-
单
15.8mm
5mm
14.1mm
-
¥
75.45
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型号
STGWA30M65DF2
¥
75.45
STMicroelectronics STGWA30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
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STGWA30M65DF2
60 A
±20V
-
258 W
TO-247
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.1mm
21.1mm
-
¥
9.45
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型号
BD680
¥
9.45
STMicroelectronics BD680 PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=80 V, HFE=750, 3引脚 SOT-32封装
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BD680
4 A
SOT-32
通孔
3
单
7.8 mm
2.7 mm
10.8 mm
-
1
-65 °C
7.8 x 2.7 x 10.8 mm
150 °C
-
-
¥
49.17
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型号
ULN2064B
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49.17
STMicroelectronics ULN2064B NPN 达林顿晶体管对, 1.75 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装
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ULN2064B
1.75 A
PDIP
通孔
16
共发射极
20 mm
7.1 mm
5.1 mm
-
4
-20 °C
20 x 7.1 x 5.1 mm
85°C
-
-
¥
42.42
另提供行业标准包装
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型号
STGD20N40LZ
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42.42
STMicroelectronics STGD20N40LZ N沟道 IGBT, 25 A, Vce=425 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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STGD20N40LZ
25 A
16V
-
125 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
-
单
6.6mm
6.2mm
2.4mm
-
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15.84
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STGD5H60DF
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15.84
STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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STGD5H60DF
10 A
±20V
-
83 W
DPAK (TO-252)
表面贴装
N
3
-
单
6.6mm
6.2mm
2.4mm
-
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4.17
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MJD117T4
¥
4.17
STMicroelectronics MJD117T4 PNP 达林顿晶体管对, 4 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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MJD117T4
4 A
DPAK (TO-252)
表面贴装
3
单
6.6 mm
6.2 mm
2.4 mm
-
1
-65 °C
6.6 x 6.2 x 2.4 mm
150 °C
-
-
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8.22
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ULN2003A
¥
8.22
STMicroelectronics ULN2003A NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, HFE=1000, 16引脚 PDIP封装
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ULN2003A
0.5 A
PDIP
通孔
16
共发射极
20 mm
7.1 mm
5.1 mm
-
7
-20 °C
20 x 7.1 x 5.1 mm
85 °C
-
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49.92
另提供行业标准包装
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型号
STGP30NC60W
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49.92
STMicroelectronics STGP30NC60W N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
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STGP30NC60W
60 A
±20V
-
200 W
TO-220
通孔
N
3
-
单
10.4mm
4.6mm
15.75mm
-
¥
8.49
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型号
TIP121
¥
8.49
STMicroelectronics TIP121 NPN 达林顿晶体管对, 5 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3引脚 TO-220封装
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TIP121
5 A
TO-220
通孔
3
单
10.4 mm
4.6 mm
9.15 mm
-
1
-65 °C
10.4 x 4.6 x 9.15 mm
150 °C
-
-
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31.59
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STGB18N40LZT4
¥
31.59
STMicroelectronics STGB18N40LZT4 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=420 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB18N40LZT4
30 A
16V
-
150 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
1MHz
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥
462.75
另提供行业标准包装
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STGE50NC60WD
¥
462.75
STMicroelectronics STGE50NC60WD IGBT 模块, 100 A, Vce=600 V, 4引脚 ISOTOP封装
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单
260 W
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STGE50NC60WD
100 A
±20V
ISOTOP
面板安装
N
4
1MHz
单
38.2 mm
25.5 mm
12.2mm
-
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-55 °C
38.2 x 25.5 x 12.2 mm
150 °C
-
600 V
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