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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
配置
铜端口
铜类型
光纤端口
光纤类型
SFP/XFP 端口
距离
MTU
连接器类型
侵入防护
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
产品型号
晶体管类型
最大集电极电流
基底电阻器
发射极基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
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DDTC144TE-7
NPN - 预偏压
100mA
47k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，2.5mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 30V 2A SOT89-3
京电港自营
自营
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-
2A
30V
370mV @ 75mA，1.5A
100nA（ICBO）
270 @ 200mA，2V
900mW
200MHz
表面贴装
2DB1714-13
PNP
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.85
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
京电港自营
自营
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DDTC114YLP-7
NPN - 预偏压
100mA
10k
47k
180 @ 50mA，5V
200mV @ 5mA，50mA
500nA
250MHz
250mW
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥20.52
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 7A SOT223
京电港自营
自营
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-
7A
20V
290mV @ 700mA，7A
50nA（ICBO）
300 @ 10mA，2V
3W
215MHz
表面贴装
ZXTN25020DGTA
NPN
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
京电港自营
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DDTC124GKA-7-F
NPN - 预偏压
100mA
-
22k
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANSISTOR NPN 15V 200MA SC70-3
京电港自营
自营
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-
200mA
15V
-
-
-
-
-
表面贴装
ZUMT2369ATA
NPN
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP
京电港自营
自营
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-
4.5A
15V
280mV @ 50mA，4.5A
25nA
200 @ 3A，2V
1.7W
120MHz
ZXTDAM832TA
2 NPN（双）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 1mA
-
60pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
6 欧姆 @ 170mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
BSS123W-7-F
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
京电港自营
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P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.3V @ 250µA
85nC @ 10V
4621pF @ 10V
±12V
-
2.3W（Ta）
5.5 毫欧 @ 15A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
DMP2007UFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10.3nC @ 10V
502pF @ 30V
±20V
-
2.12W（Ta）
68 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
DMN6068LK3-13
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
京电港自营
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P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
3V @ 250µA
58nC @ 10V
2987pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
11 毫欧 @ 12A，20V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
DMG7401SFGQ-13
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
17.16nC @ 10V
859pF @ 50V
±20V
-
2.11W（Ta）
125 毫欧 @ 2.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
ZXMN10A25K
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
京电港自营
自营
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-
表面贴装
DMN2023UCB4-7
1.45W
X1-WLB1818-4
4-XFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
-
-
-
-
29nC @ 4.5V
-
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.4V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
通孔
ZVN4210ASTZ
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
带盒（TB）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.19
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
京电港自营
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20 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
-
-
EMB11T2R
2 个 PNP 预偏压式（双）
EMT6
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3878.89
B B 媒体转换器 SmartWorx IMCV-FIBERLINX-II, TX/SSFX-SM155
京电港自营
自营
收藏 暂时缺货
模块化 - 卡
1
10/100
1
100BASE-FX（单模）
-
20km
1916
RJ45，SC
-
受控
SNMP 可管理
0°C ~ 50°C
FiberLinX-II
机架安装
856-14044
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥113.85
Aries 用于IC的插座，晶体管 CONN SOCKET SIP 20POS GOLD
京电港自营
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SIP
20（1 x 20）
0.100"（2.54mm）
金
10µin（0.25µm）
铜铍
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
200µin（5.08µm）
黄铜
聚酰胺（PA46），尼龙 4/6，玻璃纤维增强型
518
表面贴装
20-0518-00
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3 周
¥151.32
IXYS IXYH30N120C3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
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通孔
IXYH30N120C3
-
75 A
±20V
-
500 W
TO-247
N
3
50kHz
单
16.26mm
5.3mm
21.46mm
¥45.48
STMicroelectronics STGB10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
京电港自营
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表面贴装
STGB10H60DF
-
20 A
±20V
-
115 W
D2PAK (TO-263)
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
¥26.73
Infineon IRG4BC20KDSTRLP N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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表面贴装
IRG4BC20KDSTRLP
-
16 A
±20V
-
60 W
D2PAK (TO-263)
N
3
-
单
10.67mm
11.3mm
4.83mm

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