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最小电流增益
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晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
工作温度
原产地
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥0.75
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW UMT3F
京电港自营
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DTA143EUBTL
PNP - 预偏压
50V
30 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
UMT3F
SC-85
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.90
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置ISTOR
京电港自营
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DTC124ECAT116
NPN - 预偏压
50V
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥5.49
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 400V 0.4A SOT223
京电港自营
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NDT02N40T1G
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
-
表面贴装
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
400mA（Tc）
10V
2V @ 250µA
5.5nC @ 10V
121pF @ 25V
2W（Tc）
5.5 欧姆 @ 220mA，10V
¥7.23
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置IST
京电港自营
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DTB143ECT116
PNP - 预偏压
50V
47 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥4.68
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 50V VMT3
京电港自营
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DTC023JMT2L
NPN - 预偏压
50V
80 @ 5mA，10V
150mV @ 500µA，5mA
-
250MHz
150mW
VMT3
SOT-723
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥19.77
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
京电港自营
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NTMFS5C442NT1G
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
-
表面贴装
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
29A（Ta）, 140A（Tc）
10V
4V @ 250µA
6.6nC @ 10V
2100pF @ 25V
3.7W（Ta）, 83W（Tc）
2.3 毫欧 @ 50A，10V
¥1.80
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3
京电港自营
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DTD743ZETL
NPN - 预偏压
30V
140 @ 100mA，2V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
260MHz
150mW
EMT3
SC-75，SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 6A CPH6
京电港自营
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CPH6442-TL-W
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
-
表面贴装
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
20nC @ 10V
1040pF @ 20V
1.6W（Ta）
43 毫欧 @ 3A，10V
¥6.96
Preci-Dip IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
京电港自营
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612-87-306-41-001101
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
612
DIP，0.3"（7.62mm）行间距
6（2 x 3）
0.100"（2.54mm）
金
闪存
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯，玻璃纤维增强型
-
询价
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 390V 20A 150W D2PAK
京电港自营
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NGB8206NG
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V，20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V，9A，1 千欧，5V
¥0.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 0.6A SOT323
京电港自营
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MMBT2907AWT1G
PNP
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
60V
600mA
150mW
1.6V @ 50mA，500mA
-
100 @ 150mA，10V
200MHz
¥70.80
Mill-Max 用于IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 32POS TINLEAD
京电港自营
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214-99-632-01-670800
管件
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
214
DIP，0.6"（15.24mm）行间距
32（2 x 16）
0.100"（2.54mm）
锡 - 铅
100µin（2.54µm）
铜铍
表面贴装
封闭框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡 - 铅
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
-55°C ~ 125°C
-
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
京电港自营
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NSBA123JDP6T5G
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
408mW
SOT-963
SOT-963
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
¥4.80
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 4A SOT89-3
京电港自营
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2SC5566-TD-E
NPN
PCP
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
表面贴装
150°C（TJ）
-
50V
4A
1.3W
225mV @ 100mA，2A
1µA（ICBO）
200 @ 500mA，2V
400MHz
¥39.69
STANDRD SOLDER TAIL DIP SOCKET
京电港自营
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115-47-328-41-001000
管件
115
DIP，0.3"（7.62mm）行间距
28（2 x 14）
0.100"（2.54mm）
金
闪存
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
-55°C ~ 125°C
-
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
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MUN5114DW1T1
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥16.47
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
京电港自营
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2N6038G
NPN - 达林顿
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
通孔
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
60V
4A
40W
3V @ 40mA，4A
100µA
750 @ 2A，3V
-
¥3.93
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 50V 2A SOT89-3
京电港自营
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2SD1623T-TD-E
NPN
PCP
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
-
表面贴装
150°C（TJ）
-
50V
2A
500mW
400mV @ 50mA，1A
100nA（ICBO）
100 @ 100mA，2V
150MHz
¥3.12
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP
京电港自营
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1.7GHz
100mW
80 @ 3mA，2V
50mA
2SC5536A-TL-H
NPN
3-SSFP
SC-81
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
-
表面贴装
150°C（TJ）
-
¥0.90
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT-963
京电港自营
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NST3906DP6T5G
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
-
40V
200mA
350mW
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
250MHz

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