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Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
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CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
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CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 15V 3A SM8
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FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 20V 2A/1.5A SM8
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
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FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6
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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
工作温度
安装类型
产品型号
系列
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
原产地
基底电阻器
发射极基底电阻器
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
增益
电压测试
额定电流
噪声系数
电流测试
功率输出
电压额定
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型号
DDTA114EUA-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
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250MHz
200mW
30 @ 5mA,5V
100mA
DDTA114EUA-7
PNP - 预偏压
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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300mV @ 500µA,10mA
500nA
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型号
ZDT617TC
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 15V 3A SM8
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ZDT617TC
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2 NPN(双)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3A
15V
200mV @ 50mA,3A
100nA
300 @ 200mA,2V
2.5W
120MHz
-
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型号
NE5550234-AZ
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FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD
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900MHz
NE5550234-AZ
N 通道
3-PowerMiniMold
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
23.5dB
7.5V
600mA
-
40mA
32.2dB
30V
TO-243AA
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型号
MUN5316DW1T1
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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MUN5316DW1T1
-
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
160 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
250mW
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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型号
DDTA113TKA-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
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250MHz
200mW
100 @ 1mA,5V
100mA
DDTA113TKA-7-F
PNP - 预偏压
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1k
-
300mV @ 1mA,10mA
500nA(ICBO)
¥
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型号
ZDT6718TC
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 20V 2A/1.5A SM8
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ZDT6718TC
-
NPN,PNP
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2A,1.5A
20V
200mV @ 50mA,2.5A / 220mV @ 50mA,1.5A
100nA
300 @ 200mA,2V / 300 @ 100mA,2V
2.5W
140MHz,180MHz
-
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型号
ZXMD65P02N8TC
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
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1.75W
表面贴装
ZXMD65P02N8TC
-
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2 个 P 沟道(双)
标准
20V
4A
50 毫欧 @ 2.9A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
20nC @ 4.5V
960pF @ 15V
¥
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另提供行业标准包装
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型号
NSBC124EDXV6T1
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBC124EDXV6T1
-
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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型号
DDTC144GUA-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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250MHz
200mW
68 @ 5mA,5V
100mA
DDTC144GUA-7
NPN - 预偏压
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
47k
300mV @ 500µA,10mA
500nA(ICBO)
¥
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另提供行业标准包装
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型号
DDTC144WKA-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
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250MHz
200mW
56 @ 5mA,5V
100mA
DDTC144WKA-7-F
NPN - 预偏压
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
47k
22k
300mV @ 500µA,10mA
500nA
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另提供行业标准包装
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型号
EMX2DXV6T5
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
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EMX2DXV6T5
-
2 NPN(双)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
50V
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
500mW
180MHz
-
¥
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另提供行业标准包装
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型号
DDTC123EUA-7
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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250MHz
200mW
20 @ 20mA,5V
100mA
DDTC123EUA-7
NPN - 预偏压
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2.2k
2.2k
300mV @ 500µA,10mA
500nA
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型号
MMDT3906-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
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MMDT3906-7
-
2 PNP(双)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
200mA
40V
400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
200mW
250MHz
-
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型号
DI9945T
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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
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2W
表面贴装
DI9945T
-
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2 个 N 沟道(双)
标准
60V
3.5A
100 毫欧 @ 3.5A,10V
-
30nC @ 10V
435pF @ 25V
¥
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型号
NSBA143EDXV6T1
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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NSBA143EDXV6T1
-
2 个 PNP 预偏压式(双)
50V
15 @ 5mA,10V
250mV @ 1mA,10mA
500nA
-
500mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
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型号
NSVF2250WT1
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AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANSISTOR NPN BIPO UHF SOT-323
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-
-
50mA
-
表面贴装
NSVF2250WT1
-
NPN
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
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型号
DDTC124XCA-7
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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250MHz
200mW
68 @ 5mA,5V
100mA
DDTC124XCA-7
NPN - 预偏压
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
22k
47k
300mV @ 500µA,10mA
500nA
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型号
DDTC123JKA-7-F
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
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250MHz
200mW
80 @ 10mA,5V
100mA
DDTC123JKA-7-F
NPN - 预偏压
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2.2k
47k
300mV @ 250µA,5mA
500nA
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型号
NE3515S02-A
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FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
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12GHz
NE3515S02-A
HFET
S02
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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ZXTS1000E6TA
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Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6
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PNP 二极管(隔离式)
SOT-23-6
SOT-23-6
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1.25A
12V
240mV @ 100mA,1.25A
10nA
200 @ 500mA,2V
885mW
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