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电压 - 隔离
电流传输比（最小值）
电流传输比（最大值）
打开 / 关闭时间（典型值）
上升/下降时间（典型值）
输出类型
电压 - 输出（最大值）
电流 - 输出/通道
电压 - 正向（Vf）（典型值）
电流 - DC 正向（If）
Vce 饱和值（最大值）
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
安装类型
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
工作温度
原产地
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
¥68.43
Infineon IRGP6640D-EPBF N沟道 IGBT, 53 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
IRGP6640D-EPBF
通孔
-
53 A
±20V
-
200 W
TO-247
N
3
-
单
15.9mm
20.7mm
5.31mm
¥78.12
Infineon IHW30N110R3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
IHW30N110R3
通孔
-
60 A
±20V
-
333 W
TO-247
N
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
¥10.44
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 150MW VMT3
京电港自营
自营
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DTC144EMT2L
NPN - 预偏压
50V
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
VMT3
SOT-723
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.61
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 150MA 3CP
京电港自营
自营
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3LN01C-TB-E
3-CP
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
250mW（Ta）
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTC114EKAT146
NPN - 预偏压
50V
30 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.5A SOT23
京电港自营
自营
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NVTR4503NT1G
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
-
表面贴装
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
135pF @ 15V
420mW（Ta）
110 毫欧 @ 2.5A，10V
¥9.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTB123YKT146
PNP - 预偏压
50V
56 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.5A SCH6
京电港自营
自营
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SCH1330-TL-H
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
1W（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
¥0.48
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 40V 0.2A SOT23
京电港自营
自营
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MMBT3906LT1G
PNP
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
-
表面贴装
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
40V
200mA
300mW
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
250MHz
¥40.08
Preci-Dip IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 32POS GOLD
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
110-87-632-41-001101
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
110
DIP，0.6"（15.24mm）行间距
32（2 x 16）
0.100"（2.54mm）
金
闪存
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯，玻璃纤维增强型
-
¥7.56
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 400V ECH8
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
TIG058E8-TL-H
8-ECH
8-SMD，扁平引线
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
表面贴装
150°C（TJ）
-
-
400V
-
150A
5.6V @ 4V，100A
-
-
标准
-
-
¥2.07
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 15V 0.7A SOT23-3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
2SD1048-6-TB-E
NPN
3-CP
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
-
表面贴装
125°C（TJ）
-
15V
700mA
200mW
80mV @ 10mA，100mA
100nA（ICBO）
200 @ 50mA，2V
250MHz
¥66.96
Mill-Max 用于IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 32POS GOLD
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
110-93-632-41-001000
管件
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
110
DIP，0.6"（15.24mm）行间距
32（2 x 16）
0.100"（2.54mm）
金
30µin（0.76µm）
铜铍
通孔
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡 - 铅
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
-55°C ~ 125°C
-
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
MUN5132DW1T1G
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
15 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
250mW
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
自营
收藏 暂时缺货
NSBA114EDXV6T5
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
35 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥13.08
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 25V 5A DPAK
京电港自营
自营
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MJD200G
NPN
DPAK-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
表面贴装
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
25V
5A
1.4W
1.8V @ 1A，5A
100nA（ICBO）
45 @ 2A，1V
65MHz
¥171.12
Mill-Max 用于IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 20POS GOLD
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
299-93-320-10-001000
管件
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
299
DIP，0.3"（7.62mm）行间距
20（2 x 10）
0.100"（2.54mm）
金
30µin（0.76µm）
铜铍
通孔，直角，水平
封闭框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡 - 铅
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
-55°C ~ 125°C
-
¥98.52
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 30A TO3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
2N5302G
NPN
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
通孔
-65°C ~ 200°C（TJ）
-
60V
30A
200W
3V @ 6A，30A
5mA
15 @ 15A，2V
2MHz
¥20.28
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
2N6387G
NPN - 达林顿
TO-220AB
TO-220-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
通孔
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
60V
10A
2W
3V @ 100mA，10A
1mA
1000 @ 5A，3V
-
¥32.01
Toshiba 光隔离器 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 6-DIP
京电港自营
新品 自营
收藏 加入购物车
5000Vrms
50% @ 5mA
600% @ 5mA
3µs，3µs
2µs，3µs
晶体管
55V
50mA
1.15V
60mA
400mV
TLP632(F)
6-DIP
6-DIP（0.300"，7.62mm）
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
通孔
-55°C ~ 100°C
-
DC

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