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Vishay
Aries Electronics, Inc.
B+B SmartWorx, Inc.
CEL (California Eastern Laboratories)
Diodes Incorporated
Infineon Technologies/英飞凌
IXYS Corporation
LAPIS Semiconductor
Lite-On, Inc.
Mill-Max
Nexperia
NXP Semiconductors / 恩智浦
onsemi/ON Semiconductor
Optek Technology / TT Electronics
Panasonic/松下
Preci-Dip
ROHM Semiconductor/罗姆
Roving Networks / Microchip
STMicroelectronics/意法半导体
Teccor / Littelfuse
Texas Instruments/德州仪器
Toshiba Semiconductor and Storage
Bourns Inc./伯恩斯
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
DiodesZetex/达尔
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Relpol
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Semikron/赛米控
HY Electronic Corp
Dynex
MagnaChip
DAWIN Electronics
SGX Sensortech
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25.38
Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
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13512.32
Bourns 5.0SMDJ20A UJT 晶体管, 5000 (Minimum) W, 2引脚 DO-214AB (SMC)封装
已售
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件
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8.82
CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
已售
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8.82
CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
已售
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8.94
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
已售
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6.66
CONN IC DIP SOCKET 4POS GOLD
已售
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9.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 200MW SST3
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0.93
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 310MA SOT323
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3.84
OPTOISOLATOR CEL 光隔离器-晶体管,光电输出 5KV TRANS 4SMD
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5.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
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1.95
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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1.17
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
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10.26
Preci-Dip IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
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2.58
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
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13.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 1A TO225AA
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134.61
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
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40.11
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 10A TO247
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46.89
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN TRANSIST TO-5 8POS GOLD
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13.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
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12.18
Toshiba 光隔离器 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
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5.25
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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9.90
Toshiba 光隔离器 Toshiba 光隔离器 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16
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0.72
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23
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2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
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产品图片
产品详情
通道数
电压 - 隔离
电流传输比(最小值)
电流传输比(最大值)
打开 / 关闭时间(典型值)
上升/下降时间(典型值)
输入类型
输出类型
电压 - 输出(最大值)
电流 - 输出/通道
电压 - 正向(Vf)(典型值)
电流 - DC 正向(If)
Vce 饱和值(最大值)
工作温度
安装类型
原产地
频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
¥
9.78
另提供行业标准包装
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型号
DTC114ECAT116
¥
9.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单,预偏置 PREBIAS NPN 200MW SST3
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DTC114ECAT116
NPN - 预偏压
50V
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
SST3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥
0.93
另提供行业标准包装
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型号
2N7002WT1G
¥
0.93
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 310MA SOT323
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表面贴装
-
2N7002WT1G
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
310mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW(Tj)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
¥
3.84
另提供行业标准包装
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型号
PS2501AL-1-F3-A
¥
3.84
OPTOISOLATOR CEL 光隔离器-晶体管,光电输出 5KV TRANS 4SMD
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1
5000Vrms
50% @ 5mA
400% @ 5mA
-
3µs,5µs
DC
晶体管
70V
30mA
1.2V
30mA
300mV
-55°C ~ 100°C
表面贴装
-
PS2501AL-1-F3-A
4-SMD,鸥翼型
定制卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥
5.37
另提供行业标准包装
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型号
NTGS3433T1G
¥
5.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
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表面贴装
-
NTGS3433T1G
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.35A(Ta)
2.5V,4.5V
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
550pF @ 5V
500mW(Ta)
75 毫欧 @ 3.3A,4.5V
¥
1.95
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NSBC123JPDXV6T1G
¥
1.95
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
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对比
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NSBC123JPDXV6T1G
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
500mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
¥
1.17
另提供行业标准包装
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型号
BSV52LT1G
¥
1.17
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
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-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
-
BSV52LT1G
NPN
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-
100mA
12V
400mV @ 5mA,50mA
100nA(ICBO)
40 @ 10mA,1V
225mW
400MHz
¥
10.26
另提供行业标准包装
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型号
110-87-210-01-742101
¥
10.26
Preci-Dip IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
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对比
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通孔
-
110-87-210-01-742101
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
110
DIP,0.2"(5.08mm)行间距
10(2 x 5),6 装载
0.100"(2.54mm)
金
闪存
铜铍
开放框架
焊接
0.100"(2.54mm)
锡
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯,玻璃纤维增强型
¥
2.58
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NSTB1002DXV5T1G
¥
2.58
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
京电港自营
自营
对比
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NSTB1002DXV5T1G
1 NPN 预偏压式,1 PNP
50V,40V
80 @ 5mA,10V / 100 @ 1mA,10V
250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA
500nA
250MHz
500mW
SOT-553
SOT-553
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
¥
13.53
另提供行业标准包装
立即购买
型号
2N4921G
¥
13.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 1A TO225AA
京电港自营
自营
对比
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-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
-
2N4921G
NPN
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
1A
40V
600mV @ 100mA,1A
500µA
30 @ 500mA,1V
30W
3MHz
¥
134.61
另提供行业标准包装
立即购买
型号
299-93-610-10-002000
¥
134.61
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN IC DIP SOCKET 10POS GOLD
京电港自营
自营
对比
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-55°C ~ 125°C
通孔,直角,水平
-
299-93-610-10-002000
管件
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
299
DIP,0.6"(15.24mm)行间距
10(2 x 5)
0.100"(2.54mm)
金
30µin(0.76µm)
铜铍
封闭框架
焊接
0.100"(2.54mm)
锡 - 铅
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
¥
40.11
另提供行业标准包装
立即购买
型号
TIP33CG
¥
40.11
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 10A TO247
京电港自营
自营
对比
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-65°C ~ 150°C(TJ)
通孔
-
TIP33CG
NPN
TO-247
TO-247-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
-
10A
100V
4V @ 2.5A,10A
700µA
20 @ 3A,4V
80W
3MHz
¥
46.89
另提供行业标准包装
立即购买
型号
917-93-108-41-005000
¥
46.89
Mill-Max 用于IC的插座,晶体管 CONN TRANSIST TO-5 8POS GOLD
京电港自营
自营
对比
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-55°C ~ 125°C
通孔
-
917-93-108-41-005000
管件
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
917
晶体管,TO-5
8(圆形)
-
金
30µin(0.76µm)
铜铍
封闭框架
焊接
-
锡 - 铅
200µin(5.08µm)
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯(PCT),聚酯
¥
13.53
另提供行业标准包装
立即购买
型号
BD676AG
¥
13.53
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
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自营
对比
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-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
-
BD676AG
PNP - 达林顿
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
4A
45V
2.8V @ 40mA,2A
500µA
750 @ 2A,3V
40W
-
¥
12.18
另提供行业标准包装
立即购买
型号
TLP785(GR,F)
¥
12.18
Toshiba 光隔离器 OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
京电港自营
自营
对比
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5000Vrms
100% @ 5mA
300% @ 5mA
3µs,3µs
2µs,3µs
DC
晶体管
80V
50mA
1.15V
60mA
400mV
-55°C ~ 110°C
通孔
-
TLP785(GR,F)
4-DIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
5.25
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NCV1413BDR2G
¥
5.25
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
京电港自营
自营
对比
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-
NCV1413BDR2G
7 NPN 达林顿
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
-
500mA
50V
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
-
¥
9.90
另提供行业标准包装
立即购买
型号
TLP292-4(LGBTP,E
¥
9.90
Toshiba 光隔离器 Toshiba 光隔离器 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16
京电港自营
自营
对比
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3750Vrms
100% @ 500µA
600% @ 500µA
3µs,3µs
2µs,3µs
AC,DC
晶体管
80V
50mA
1.25V
50mA
300mV
-55°C ~ 125°C
表面贴装
-
TLP292-4(LGBTP,E
16-SO
16-SOIC(0.179",4.55mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥
0.72
另提供行业标准包装
立即购买
型号
MMBTH10LT3G
¥
0.72
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23
京电港自营
自营
对比
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-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
-
650MHz
225mW
60 @ 4mA,10V
-
MMBTH10LT3G
NPN
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
¥
2.22
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DDC114YH-7
¥
2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
京电港自营
自营
对比
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DDC114YH-7
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
10k
47k
68 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
首页
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