|
|
W78E052DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W79E225ALG |
W79 |
8051/52 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
38 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
1K x 8 |
1.25K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NANO112SC2AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
58 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E052DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
N78E517APG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC122LC1AN |
NuMicro™ NUC122 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
60MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
30 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E051DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NANO120LD2BN |
NuMicro™ Nano120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
34 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N78E055APG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC123LD4AN0 |
NuMicro™ NUC123 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
36 |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
20K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N78E059ALG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
40 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W79E8213RASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
- |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
128 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78E516DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
MINI54LDE |
NuMicro Mini51™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
29 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E058DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78L032A24PL |
W78 |
80C32 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，串行端口 |
- |
32 |
- |
ROMless |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78E058DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78C032C40FL |
W78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，串行端口 |
- |
32 |
- |
ROMless |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W78I054DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NANO112RB1AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
58 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
