|
|
N78E366ALG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
40 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC131LC2AE |
NuMicro™ NUC131 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
42 |
36KB（36K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC122ZC1AN |
NuMicro™ NUC122 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
60MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
断电检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，WDT |
18 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC122LC1AN |
NuMicro™ NUC122 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
60MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
30 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
M0518LD2AE |
NuMicro M0518 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
42 |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E365A40PL |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W78L365A24FL |
W78 |
8052 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，串行端口 |
POR，PWM，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W78E058DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NUC123LC2AN1 |
NuMicro™ NUC123 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
36 |
36KB（36K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
M0518SC2AE |
NuMicro M0518 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
56 |
36KB（36K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E058DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NUC131LD2AE |
NuMicro™ NUC131 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
42 |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO100NC2BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
38 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC200LC2AN |
NuMicro™ NUC200 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
35 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC100LC1DN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
37 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO112VC2AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
80 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC131SC2AE |
NuMicro™ NUC131 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
56 |
36KB（36K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
M0518SD2AE |
NuMicro M0518 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
56 |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E516DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78E516DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
