|
|
N79E855AWG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
25 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
512 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E054DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78E054DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
N79E825ADG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-DIP（0.300"，7.62mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
M058SLAN |
NuMicro M058S |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
42 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E352RAPG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
N79E352RADG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
32 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
40-DIP（0.600"，15.24mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
N79E825ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
N79E825ARG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NANO102LB1AN |
NuMicro™ Nano102 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
40 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
M054LDE |
NuMicro M051™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
40 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W79E8213RASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
- |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
128 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
N79E352APG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
N79E352ADG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
32 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
40-DIP（0.600"，15.24mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W79E8213RARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
- |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
128 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78L801A24PL |
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI |
LED，WDT |
36 |
4KB（4K x 8） |
掩模 ROM |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
W78L801A24FL |
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI |
LED，WDT |
36 |
4KB（4K x 8） |
掩模 ROM |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
N79E854AWG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
25 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
512 x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
28-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E824ADG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-DIP（0.300"，7.62mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78L032A24FL |
W78 |
80C32 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，串行端口 |
- |
32 |
- |
ROMless |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
