|
|
N79E352RALG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
38 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
M0518LC2AE |
NuMicro M0518 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
42 |
36KB（36K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W79E2051RARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NANO100LD3BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
M058LDE |
NuMicro M051™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
40 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NANO100LD2BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
38 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78L801A24PL |
W78 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI |
LED，WDT |
36 |
4KB（4K x 8） |
掩模 ROM |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
NANO112VC2AN |
NuMicro™ Nano112 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT |
80 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E823ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NANO100LC2BN |
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
38 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E051DFG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W78L365A24FL |
W78 |
8052 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，串行端口 |
POR，PWM，WDT |
36 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
0°C ~ 70°C（TA） |
44-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W79E4051ARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W78I052DPG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LCC（J 形引线） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NANO102SC2AN |
NuMicro™ Nano102 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
32MHz |
I²C，IrDA，LIN，智能卡，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
58 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC120RE3DN |
NuMicro™ NUC120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
47 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N78E059ADG |
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
32 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
40-DIP（0.600"，15.24mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E825ARG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
MINI51LDE |
NuMicro M051™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
29 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC220LD2AN |
NuMicro™ NUC220 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
31 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
