|
|
R5F563NWDDFB#V0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
111 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
192K x 8 |
A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F6411FDFN#UA |
M16C/R32C/100/111 |
R32C/100 |
16/32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，LVD，PWM，WDT |
49 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R4F2164VTE34V |
H8® H8S/2100 |
H8S/2600 |
16-位 |
34MHz |
I²C，LPC，SCI |
POR，PWM，WDT |
95 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
40K x 8 |
A/D 8x10b |
外部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
144-TQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F564MFDDFB#V1 |
RX600 |
RXv2 |
32-位 |
120MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，MMC/SD，SCI，SPI，SSI，UART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
111 |
2MB（2M x 8） |
闪存 |
64K x 8 |
552K x 8 |
A/D 29x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F563NEDDFP#V0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
78 |
2MB（2M x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
128K x 8 |
A/D 8x10b，14x12b，D/A 1x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R7S721020VCBG#AC1 |
RZ/A1L |
ARM® Cortex®-A9 |
32-位 |
400MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，SSI，ART/USART，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
78 |
- |
ROMless |
- |
3M x 8 |
A/D 8x12b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
176-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
R7S721020VCFP#AA1 |
RZ/A1L |
ARM® Cortex®-A9 |
32-位 |
400MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，SSI，ART/USART，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
78 |
- |
ROMless |
- |
3M x 8 |
A/D 8x12b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
176-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
DF3048BF25V |
H8® H8/300H |
H8/300H |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，PWM，WDT |
70 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
100-BFQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DF3029F25V |
H8® H8/300H |
H8/300H |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，PWM，WDT |
70 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
100-BFQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
R5F563NEDDBG#U0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
133 |
2MB（2M x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
128K x 8 |
A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
176-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F64176DFB#U0 |
M16C/R32C/100/117 |
R32C/100 |
16/32-位 |
50MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，LVD，PWM，WDT |
84 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
40K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M3062LFGPGP#U9C |
M16C™ M16C/60/62P |
M16C/60 |
16-位 |
20MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
20K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF2318VTE25V |
H8® H8S/2300 |
H8S/2000 |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
POR，PWM，WDT |
70 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
100-TQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R4F2153VBR25KDV |
H8® H8S/2100 |
H8S/2600 |
16-位 |
25MHz |
I²C，LPC，SCI |
POR，PWM，WDT |
53 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
40K x 8 |
A/D 8x10b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
112-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F3651TDFC#U0 |
M16C™ M16C/60/65 |
M16C/60 |
16-位 |
32MHz |
EBI/EMI，I²C，SIO，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
111 |
768KB（768K x 8） |
闪存 |
- |
47K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
128-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F64169DFB#UB |
M16C/R32C/100/116 |
R32C/100 |
16/32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，LVD，PWM，WDT |
84 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
63K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF2398F20V |
H8® H8S/2300 |
H8S/2000 |
16-位 |
20MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，POR，PWM，WDT |
87 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
128-BFQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M30626FHPGP#U5C |
M16C™ M16C/60/62P |
M16C/60 |
16-位 |
24MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
31K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M3062LFGPFP#U3C |
M16C™ M16C/60/62P |
M16C/60 |
16-位 |
20MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
20K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-BQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF2145BTE20V |
H8® H8S/2100 |
H8S/2000 |
16-位 |
20MHz |
I²C，IrDA，SCI，X-Bus |
PWM，WDT |
74 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
100-TQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
