|
|
M3062LFGPGP#U9C |
M16C™ M16C/60/62P |
M16C/60 |
16-位 |
20MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
20K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F64176DFB#U0 |
M16C/R32C/100/117 |
R32C/100 |
16/32-位 |
50MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，LVD，PWM，WDT |
84 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
40K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F563NEDDBG#U0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
133 |
2MB（2M x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
128K x 8 |
A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
176-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF3029F25V |
H8® H8/300H |
H8/300H |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，PWM，WDT |
70 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
100-BFQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DF3048BF25V |
H8® H8/300H |
H8/300H |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，PWM，WDT |
70 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
100-BFQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
R7S721020VCFP#AA1 |
RZ/A1L |
ARM® Cortex®-A9 |
32-位 |
400MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，SSI，ART/USART，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
78 |
- |
ROMless |
- |
3M x 8 |
A/D 8x12b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
176-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
R7S721020VCBG#AC1 |
RZ/A1L |
ARM® Cortex®-A9 |
32-位 |
400MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，SSI，ART/USART，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
78 |
- |
ROMless |
- |
3M x 8 |
A/D 8x12b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
176-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
R5F563NEDDFP#V0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
78 |
2MB（2M x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
128K x 8 |
A/D 8x10b，14x12b，D/A 1x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F564MFDDFB#V1 |
RX600 |
RXv2 |
32-位 |
120MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，MMC/SD，SCI，SPI，SSI，UART/USART，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
111 |
2MB（2M x 8） |
闪存 |
64K x 8 |
552K x 8 |
A/D 29x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R4F2164VTE34V |
H8® H8S/2100 |
H8S/2600 |
16-位 |
34MHz |
I²C，LPC，SCI |
POR，PWM，WDT |
95 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
40K x 8 |
A/D 8x10b |
外部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
144-TQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F6411FDFN#UA |
M16C/R32C/100/111 |
R32C/100 |
16/32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，LVD，PWM，WDT |
49 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F563NWDDFB#V0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
111 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
192K x 8 |
A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F61665MZN50FPV |
H8® H8SX/1600 |
H8SX |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，SCI，智能卡，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
92 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
40K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
外部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F563NBCDFB#V0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
111 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
128K x 8 |
A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R4F24569DVRFQV |
H8® H8S/2400 |
H8S/2600 |
16-位 |
32MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，SCI，SSU，UART/USART，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
96 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
64K x 8 |
A/D 16x10b；D/A 2x8b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M30280FAHP#U9B |
M16C™ M16C/微型/28 |
M16C/60 |
16-位 |
20MHz |
I²C，IEBus，SIO，UART/USART |
DMA，POR，PWM，电压检测，WDT |
71 |
96KB（96K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 24x10b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
80-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
HD6417145F50V |
SuperH® SH7144 |
SH-2 |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，SCI |
DMA，POR，PWM，WDT |
98 |
- |
ROMless |
- |
8K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R4F24268NVRFQV |
H8® H8S/2400 |
H8S/2600 |
16-位 |
33MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，SCI，SSU，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
96 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
48K x 8 |
A/D 10x10b，D/A 2x8b |
外部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R4F24565NVFQV |
H8® H8S/2400 |
H8S/2600 |
16-位 |
32MHz |
EBI/EMI，I²C，IrDA，SCI，SSU，UART/USART，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
96 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
48K x 8 |
A/D 16x10b；D/A 2x8b |
外部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F6411EDFN#UA |
M16C/R32C/100/111 |
R32C/100 |
16/32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，LVD，PWM，WDT |
49 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
32K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
