|
|
IS43DR16160B-37CBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
256Mb （16M x 16） |
15ns |
500ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS61LV25616AL-10TL-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （256K x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS43DR16640B-3DBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
1Gb （64M x 16） |
15ns |
450ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
IS61WV102416DBLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
16Mb （1M x 16） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS61WV5128BLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （512K x 8） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
36-MBGA |
36-迷你型BGA（8x10） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS66WVE4M16EBLL-70BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM（伪 SRAM） |
64Mb （4M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
2.7 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS62WV10248DBLL-55TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （1M x 8） |
55ns |
55ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP2（10.2x18.4） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS42S16100H-7TL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
16Mb （1M x 16） |
- |
5.5ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
0°C ~ 70°C（TA） |
表面贴装 |
50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
50-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS61WV10248EDBLL-10BLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （1M x 8） |
10ns |
10ns |
并联 |
2.4 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS43DR16128B-25EBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
2Gb （128M x 16） |
15ns |
400ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（10.5x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
IS62C256AL-45ULI-TR |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
256Kb （32K x 8） |
45ns |
45ns |
并联 |
4.5 V ~ 5.5 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽） |
28-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS43TR16512AL-125KBLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR3L |
8Gb （512M x 16） |
15ns |
20ns |
并联 |
1.283 V ~ 1.45 V |
-40°C ~ 95°C（TA） |
表面贴装 |
96-LFBGA |
96-LFBGA（10x14） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
IS42S32800J-7BLI |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM |
256Mb （8M x 32） |
- |
5.4ns |
并联 |
3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
90-TFBGA |
90-TFBGA（8x13） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
IS61NLP25636A-200TQLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 同步 |
9Mb （256K x 36） |
- |
3.1ns |
并联 |
3.135 V ~ 3.465 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
100-LQFP |
100-TQFP（14x20） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
|
|
IS43DR16640C-25DBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
1Gb （64M x 16） |
15ns |
400ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 85°C（TC） |
表面贴装 |
84-TFBGA |
84-TWBGA（8x12.5） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
IS66WVE4M16ECLL-70BLI |
- |
易失 |
PSRAM |
PSRAM（伪 SRAM） |
64Mb （4M x 16） |
70ns |
70ns |
并联 |
1.7 V ~ 1.95 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
48-TFBGA |
48-TFBGA（6x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS61C5128AS-25QLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
4Mb （512K x 8） |
25ns |
25ns |
并联 |
4.5 V ~ 5.5 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽） |
32-SOP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS62WV51216BLL-55TLI |
- |
易失 |
SRAM |
SRAM - 异步 |
8Mb （512K x 16） |
55ns |
55ns |
并联 |
2.5 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 85°C（TA） |
表面贴装 |
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
44-TSOP II |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
IS25LP080D-JKLE |
- |
非易失 |
闪存 |
FLASH - NOR |
8Mb （1M x 8） |
800µs |
- |
SPI - 四 I/O |
2.3 V ~ 3.6 V |
-40°C ~ 105°C（TA） |
表面贴装 |
8-WFDFN 裸露焊盘 |
8-WSON（5x6） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
IS43DR82560C-25DBL |
- |
易失 |
DRAM |
SDRAM - DDR2 |
2Gb （256M x 8） |
15ns |
400ps |
并联 |
1.7 V ~ 1.9 V |
0°C ~ 85°C（TC） |
表面贴装 |
60-TFBGA |
60-TWBGA（10.5x8） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
