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包装
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原厂标准交货期
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
京电港自营
自营
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DMC1016UPD-13
-
N 和 P 沟道
标准
12V，20V
9.5A， 8.7A
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
32nC @ 8V
1454pF @ 6V
2.3W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
京电港自营
自营
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DMC1029UFDB-7
-
N 和 P 沟道
标准
12V
5.6A，3.8A
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
19.6nC @ 8V
914pF @ 6V
1.4W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
京电港自营
自营
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DMC4050SSDQ-13
N 和 P 沟道互补型
标准
40V
5.3A
45 毫欧 @ 3A，10V
1.8V @ 250µA
37.56nC @ 10V
1790.8pF @ 20V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
京电港自营
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DMC3028LSDXQ-13
-
N 和 P 沟道
标准
30V
5.5A，5.8A
27 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 5V
641pF @ 15V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥38.76
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
京电港自营
自营
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ZDM4306NTA
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
2A
330 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
3W
表面贴装
SM8
SOT-223-8
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
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ZDM4306NTC
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
2A
330 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
3W
表面贴装
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
京电港自营
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DMN2013UFX-7
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
10A
11.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V
1.1V @ 250µA
57.4nC @ 8V
2607pF @ 10V
780mW
表面贴装
W-DFN5020-6
6-VFDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.48
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
京电港自营
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DMP3098LSD-13
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
4.4A
65 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 10V
336pF @ 25V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥16.47
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
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DMN3015LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
8.4A（Ta）
15 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥6.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060
京电港自营
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DMC1018UPD-13
N 和 P 沟道
标准
12V，20V
9.5A，6.9A
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
30.4nC @ 8V
1525pF @ 6V
2.3W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.82
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO
京电港自营
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DMS3017SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
8A，6A
12 毫欧 @ 9.5A，10V
2.5V @ 250µA
30.6nC @ 10V
1276pF @ 15V
1.19W
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
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DMN2023UCB4-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
-
-
-
-
29nC @ 4.5V
-
1.45W
表面贴装
X1-WLB1818-4
4-XFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
京电港自营
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DMG4932LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
9.5A
15 毫欧 @ 9A，10V
2.4V @ 250µA
42nC @ 10V
1932pF @ 15V
1.19W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
京电港自营
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DMP2035UTS-13
-
2 P 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
6.04A
35 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
15.4nC @ 4.5V
1610pF @ 10V
890mW
表面贴装
8-TSSOP
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.13
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
京电港自营
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DMN4031SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
5.2A
31 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
18.6nC @ 10V
945pF @ 20V
1.42W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.88
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD
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DMC1017UPD-13
-
N 和 P 沟道
标准
12V
9.5A，6.9A
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
35.4nC @ 10V
1787pF @ 6V
2.3W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
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DMC3021LSDQ-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
8.5A，7A
21 毫欧 @ 7A，10V
2.1V @ 250µA
16.1nC @ 10V
767pF @ 10V
2.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
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DMC3016LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
8.2A，6.2A
16 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
京电港自营
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DMN3016LDN-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
7.3A
20 毫欧 @ 11A，10V
2V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
1.1W
表面贴装
V-DFN3030-8（J 类）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.70
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
京电港自营
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DMC3026LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A，6.2A
25 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 10V
641pF @ 15V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周

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