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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1350V 15A TO247-3
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66.48
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 15A TO-247
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61.38
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 15A TO247
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52.56
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 15A 1200V TO-247
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52.11
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 45A 600V TO-247
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49.05
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 650V 70A 300W TO247
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 70A 300W TO247
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45.18
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
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35.19
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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33.15
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
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32.01
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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27.21
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 10A TO220F3
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26.37
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 15A 600V TO220-3
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17.67
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 400V ECH8
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 5A 600V DPAK
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 400V 150A 8ECH
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216.42
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 80A 535W TO247
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169.08
650V/60A AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT FSII
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AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 50A TO247
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产品型号
系列
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
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67.38
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型号
NGTB15N135IHRWG
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67.38
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1350V 15A TO247-3
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NGTB15N135IHRWG
-
沟槽型场截止
1350V
30A
60A
2.65V @ 15V,15A
357W
420µJ(关)
标准
-/170ns
600V,15A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
66.48
另提供行业标准包装
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型号
NGTG15N120FL2WG
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66.48
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 15A TO-247
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NGTG15N120FL2WG
-
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.4V @ 15V,15A
294W
1.2mJ(开),370µJ(关)
标准
64ns/128ns
600V,15A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
61.38
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型号
NGTB15N120IHRWG
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61.38
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 15A TO247
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NGTB15N120IHRWG
-
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.5V @ 15V,15A
333W
340µJ(关)
标准
-/170ns
600V,15A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
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52.56
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型号
NGTB15N120IHWG
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52.56
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 15A 1200V TO-247
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NGTB15N120IHWG
-
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.45V @ 15V,15A
278W
360µJ(关)
标准
-/130ns
600V,15A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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52.11
另提供行业标准包装
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型号
NGTB45N60S1WG
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52.11
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 45A 600V TO-247
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NGTB45N60S1WG
-
沟道
600V
90A
180A
2.4V @ 15V,45A
300W
1.25mJ(开),530µJ(关)
标准
72ns/132ns
400V,45A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
32 周
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49.05
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型号
NGTB35N65FL2WG
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49.05
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 650V 70A 300W TO247
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NGTB35N65FL2WG
-
沟槽型场截止
650V
70A
120A
2V @ 15V,35A
300W
840µJ(开),280µJ(关)
标准
72ns/132ns
400V,35A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥
49.05
另提供行业标准包装
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型号
NGTB35N60FL2WG
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49.05
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 70A 300W TO247
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NGTB35N60FL2WG
-
沟槽型场截止
600V
70A
120A
2V @ 15V,35A
300W
840µJ(开),280µJ(关)
标准
72ns/132ns
400V,35A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥
45.18
另提供行业标准包装
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型号
NGTG20N60L2TF1G
¥
45.18
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 40A 64W TO-3PF
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NGTG20N60L2TF1G
-
-
600V
40A
105A
1.65V @ 15V,20A
64W
-
标准
60ns/193ns
300V,20A,30 欧姆,15V
175°C(TJ)
通孔
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
35.19
另提供行业标准包装
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型号
NGTB15N60S1EG
¥
35.19
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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NGTB15N60S1EG
-
NPT
600V
30A
120A
1.7V @ 15V,15A
117W
550µJ(开),350µJ(关)
标准
65ns/170ns
400V,15A,22 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
¥
35.19
另提供行业标准包装
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型号
NGTB15N60EG
¥
35.19
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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NGTB15N60EG
-
NPT
600V
30A
120A
1.95V @ 15V,15A
117W
900µJ(开),300µJ(关)
标准
78ns/130ns
400V,15A,22 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
33.15
另提供行业标准包装
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型号
NGTG12N60TF1G
¥
33.15
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
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NGTG12N60TF1G
-
-
600V
24A
88A
1.6V @ 15V,12A
54W
-
标准
55ns/200ns
300V,15A,30 欧姆,15V
150°C(TJ)
通孔
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
32.01
另提供行业标准包装
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型号
NGTG15N60S1EG
¥
32.01
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 30A 117W TO220-3
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对比
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NGTG15N60S1EG
-
NPT
600V
30A
120A
1.7V @ 15V,15A
117W
550µJ(开),350µJ(关)
标准
65ns/170ns
400V,15A,22 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
¥
27.21
另提供行业标准包装
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型号
NGTB10N60FG
¥
27.21
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 10A TO220F3
京电港自营
自营
对比
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NGTB10N60FG
-
-
600V
20A
72A
1.7V @ 15V,10A
40W
-
标准
40ns/145ns
300V,10A,30 欧姆,15V
150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3FS
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
26.37
另提供行业标准包装
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型号
NGTB15N60R2FG
¥
26.37
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 15A 600V TO220-3
京电港自营
自营
对比
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NGTB15N60R2FG
-
-
600V
24A
60A
2.1V @ 15V,15A
54W
550µJ(开),220µJ(关)
标准
70ns/190ns
300V,15A,30 欧姆,15V
175°C(TJ)
通孔
TO-220F-3FS
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
17.67
另提供行业标准包装
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型号
TIG064E8-TL-H
¥
17.67
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 400V ECH8
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TIG064E8-TL-H
-
-
400V
-
150A
7V @ 2.5V,100A
-
-
标准
-
-
150°C(TJ)
表面贴装
8-ECH
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
9.72
另提供行业标准包装
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型号
NGTB05N60R2DT4G
¥
9.72
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 5A 600V DPAK
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NGTB05N60R2DT4G
-
-
600V
16A
20A
2V @ 15V,5A
56W
188µJ(开),60µJ(关)
标准
44ns/82ns
300V,5A,30 欧姆,15V
175°C(TJ)
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥
6.99
另提供行业标准包装
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型号
TIG074E8-TL-H
¥
6.99
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 400V 150A 8ECH
京电港自营
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TIG074E8-TL-H
-
-
400V
-
150A
5.4V @ 2.5V,100A
-
-
标准
-
-
150°C(TJ)
表面贴装
SOT-28FL/ECH8
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥
216.42
另提供行业标准包装
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型号
NGTB40N120FL2WG
¥
216.42
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 1200V 80A 535W TO247
京电港自营
自营
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NGTB40N120FL2WG
-
沟槽型场截止
1200V
80A
200A
2.4V @ 15V,40A
535W
3.4mJ(开),1.1mJ(关)
标准
116ns/286ns
600V,40A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
¥
169.08
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NGTB60N65FL2WG
¥
169.08
650V/60A AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT FSII
京电港自营
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NGTB60N65FL2WG
-
场截止
650V
100A
240A
2V @ 15V,60A
595W
1.59mJ(开),660µJ(关)
标准
117ns/265ns
400V,60A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥
130.56
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NGTG50N60FLWG
¥
130.56
AMI 晶体管-UGBT,MOSFET-单IGBT 600V 50A TO247
京电港自营
自营
对比
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NGTG50N60FLWG
-
沟道
600V
100A
200A
1.9V @ 15V,50A
223W
1.1mJ(开),600µJ(关)
标准
116ns/292ns
400V,50A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
1
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