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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88-6
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MBT3906DW1T1
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2 PNP(双)
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40V
400mV @ 5mA,50mA
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NST847BDP6T5G
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2 NPN(双)
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45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
350mW
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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CPH5520-TL-E
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NPN,PNP(耦合发射器)
2A
80V,50V
260mV @ 50mA,1A
1µA(ICBO)
200 @ 100mA,2V
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
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BC856BDW1T1G
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2 PNP(双)
100mA
65V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
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NSS40300DDR2G
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2 PNP(双)
3A
40V
170mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
180 @ 1A,2V
653mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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NCV1413BDR2G
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7 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA,350mA
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1000 @ 350mA,2V
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963
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NSVT3904DP6T5G
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2 NPN(双)
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA
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100 @ 10mA,1V
350mW
200MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
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SMBT3904DW1T1G
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2 NPN(双)
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
150mW
300MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
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EMX1DXV6T1
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2 NPN(双)
100mA
50V
400mV @ 5mA,50mA
500nA(ICBO)
120 @ 1mA,6V
500mW
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含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88-6
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NSVMBT3904DW1T3G
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2 NPN(双)
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
150mW
300MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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NST3946DXV6T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
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NST3946DXV6T1G
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NPN,PNP
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
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100 @ 10mA,1V
500mW
300MHz,250MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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BC847CDXV6T5
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
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BC847CDXV6T5
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2 NPN(双)
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
500mW
100MHz
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含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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SBC847BDW1T3G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
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SBC847BDW1T3G
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2 NPN(双)
100mA
45V
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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1.83
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SBC856BDW1T1G
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1.83
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363
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SBC856BDW1T1G
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2 PNP(双)
100mA
65V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
380mW
100MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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BC858CDXV6T5G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
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BC858CDXV6T5G
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2 PNP(双)
100mA
30V
650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
420 @ 2mA,5V
500mW
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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NSVBT2222ADW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
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2 NPN(双)
600mA
40V
1V @ 50mA,500mA
10nA(ICBO)
100 @ 150mA,10V
150mW
300MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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MBT3946DW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88
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MBT3946DW1T1G
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NPN,PNP
200mA
40V
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
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100 @ 10mA,1V
150mW
300MHz,250MHz
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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MC1413DR2
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
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MC1413DR2
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7 NPN 达林顿
500mA
50V
1.6V @ 500µA,350mA
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1000 @ 350mA,2V
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SHN1B01FDW1T1G
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AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
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SHN1B01FDW1T1G
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NPN,PNP
200mA
50V
250mV @ 10mA,100mA
2µA
200 @ 2mA,6V
380mW
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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4.05
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NSVT45010MW6T1G
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4.05
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88-6
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NSVT45010MW6T1G
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2 PNP(双)
100mA
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650mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
220 @ 2mA,5V
380mW
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